-Рубрики

 -Поиск по дневнику

Поиск сообщений в hangar15

 -Подписка по e-mail

 

 -Статистика

Статистика LiveInternet.ru: показано количество хитов и посетителей
Создан: 27.08.2010
Записей: 801
Комментариев: 16281
Написано: 19025


новости по передовой памяти

+ в цитатник

Cообщение скрыто для удобства комментирования.
Прочитать сообщение


hangar15   обратиться по имени 8 Гбайт памяти DDR3-2300 серии RipjawsX от G.Skill Среда, 20 Апреля 2011 г. 19:44 (ссылка)
Игроманов и компьютерных энтузиастов компания G.Skill International Co. решила порадовать выпуском нового двухканального набора оперативной памяти DDR3 из продуктовой линейки RipjawsX Series суммарным объёмом 8 Гбайт.

Входящие в данный комплект два 240-контактных DIMM-модуля оборудованы оригинальными по конструкции радиаторами синего цвета с улучшающими рассеивание тепла «гребешками», работают на частоте 2300 МГц с задержками CL9 и характеризуются напряжением питания 1,65 В.

здесь интересно сочетание - 4Гбх2 + 2300 МГц

G.Skill_RipjawsX_8GB_DDR3-2300_Memory_Kit (550x357, 107Kb)

Производителям памяти всё сложнее наращивать частоты в рамках технологии DDR3, а потому они совершенствуют оверклокерские комплекты памяти путём ужесточения таймингов, снижения номинального напряжения и увеличения объёма одного модуля.

Новый комплект памяти относится к семейству Ripjaws-X, что предполагает наличие радиаторов особой формы и активной системы охлаждения с двумя вентиляторами. Комплект памяти поддерживает расширения XMP, в которых для режима DDR3-2300 прописаны тайминги 9-11-9-29.

Сочетание высокой частоты, низких таймингов, большого объёма и умеренного номинального напряжения делает этот набор памяти по-своему уникальным. К сожалению, о цене новинки ничего не сообщается, но вряд ли она будет низкой.
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Hynix осваивает производство памяти типа DDR4 Суббота, 23 Апреля 2011 г. 20:36 (ссылка)
Эволюция типов оперативной памяти в настольных и мобильных системах сейчас замедлилась, поскольку модули DDR3 соревнуются в плотности, способности работать на высоких частотах при низких номинальных напряжениях, и в меньшей степени - непосредственно в частотном потенциале. Однако, уже во второй половине этого года JEDEC утвердит основные стандарты памяти типа DDR4, и к 2015 году он уже станет доминирующим на рынке.

Корейская компания Samsung объявила о начале опытного производства памяти типа DDR4 в модулях типа UDIMM, использующих выпущенные по 3х нм технологии микросхемы. Другой корейский производитель памяти, компания Hynix, заявила об освоении выпуска модулей DDR4 в исполнении SO-DIMM с поддержкой ECC только сегодня. Подобные модули памяти используются в серверных системах, массовые поставки соответствующих изделий Hynix планирует начать во второй половине 2012 года.
2011_04_04 hynix_01 (486x297, 48Kb)
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Kingston представляет модули DDR3 с функцией автоматического разгона Вторник, 26 Апреля 2011 г. 14:29 (ссылка)
2011_04_26 kingston2 (450x118, 21Kb)

Особенностью модулей станет поддержка частот 1600 МГц и 1866 МГц и спецификаций JEDEC. Пользователю достаточно установить модуль в ПК или ноутбук, а система автоматически определит оптимальный для себя режим работы, без дополнительных настроек в BIOS. По заверениям производителя, для новых модулей HyperX разгон стал автоматической функцией, прирост производительности от которой не останется незамеченным.

Команда инженеров, разрабатывающая HyperX, проектировала модули таким образом, чтобы достигалась максимальная производительность без необходимости дополнительных манипуляций со стороны пользователя. Соответствие спецификациям JEDEC позволяет подобрать наиболее оптимальные тайминги, что даёт возможность энтузиастам выжать максимум из своих систем. Кроме того, новые модули совместимы и с ранними стандартами DDR3, так что область применения памяти не ограничивается платформой Sandy Bridge.

Модули HyperX Plug and Play доступны у официальных партнеров Kingston, в интернет-магазинах и у розничных продавцов. Компания предоставляет пожизненную гарантию на свои продукты и бесплатную техническую поддержку 24/7. Ознакомиться с ценами для рынка США и характеристиками модулей можно ниже.


2011_04_26 kingston (637x267, 54Kb)
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени про режим и напряжение Вторник, 03 Мая 2011 г. 20:21 (ссылка)
Двухканальная память сможет работать в режимах до DDR3-1600 включительно при напряжении 1.5 В, и в режимах до DDR3-1333 включительно при напряжении 1.35 В.
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Обзор восьми наборов памяти на 8 Гбайт (2х4 Гбайт) для P67 Express Четверг, 05 Мая 2011 г. 17:36 (ссылка)
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Изучение частотного потенциала памяти DDR3 Exceleram Суббота, 07 Мая 2011 г. 12:38 (ссылка)
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени DDR3 SDRAM для Sandy Bridge: какая память лучше? Четверг, 12 Мая 2011 г. 16:56 (ссылка)
http://www.fcenter.ru/forprint.shtml?online/articles/hardware/motherboards/30981

Выводы


Очередное изменение контроллера памяти, произошедшее с выходом процессоров, построенных на микроархитектуре Sandy Bridge, заслуживает самых лестных оценок. Инженерам Intel удалось не только исправить недостатки контроллера памяти процессоров прошлого поколения Westmere, но и создать контроллер, обладающий наивысшей эффективностью среди всех существующих вариантов. В результате ликвидации всех основных узких мест между вычислительными ядрами и контроллером памяти Sandy Bridge демонстрирует более сильную зависимость от параметров установленных в системе модулей DDR3, нежели предшествующие и конкурирующие CPU.

Но качественно это ситуацию не меняет. Каждый раз, рассуждая о воздействии скорости памяти на общую производительность в тех или иных конфигурациях, мы неминуемо приходили к выводу о том, что влияние это незначительно. Это заключение, сделанное нами ранее для Socket AM3 и для LGA1156 систем, оказывается вновь справедливым. Оно распространяется и на платформы, построенные на процессорах Sandy Bridge, и подтверждается тестами. По их результатам, увеличение частоты работы памяти на 266 МГц приводит к росту среднего быстродействия лишь в пределах 2-4 %. Уменьшение же всех задержек на один цикл способно увеличить производительность ещё меньше — на 1—2%.

Однако это вовсе не означает, что грамотным подбором оперативной памяти для LGA1155 систем можно пренебречь. Незначительный практический эффект от применения более быстрой памяти — это лишь усреднённая картина. В то же время существуют приложения, интенсивно работающие с большими объёмами данных, скорость работы которых от характеристик модулей DDR3 SDRAM зависит гораздо более явно. К таким приложениям, например, относятся некоторые современные игры, в которых благодаря простому апгрейду подсистемы памяти в существующей платформе порой можно выжать несколько дополнительных кадров в секунду.

Такая неопределённость вкупе с достаточно серьёзным разбросом цен на модули DDR3 с разными параметрами не позволяет дать нам однозначные рекомендации по выбору памяти для Sandy Bridge. Но в целом следует учитывать две вещи. Во-первых, частота работы памяти для итоговой производительности значит больше, чем её задержки. Во-вторых, погоня за максимально быстрой памятью приводит к серьёзным дополнительным финансовым затратам, которые в конечном итоге вряд ли способны окупиться. В частности, скоростные модули DDR3-2133 и DDR3-1866 могут стоить в полтора-два раза дороже, нежели ординарная DDR3-1333 память.

Поэтому наиболее разумным вариантом для современных LGA1155 систем представляется недорогая DDR3-1600 SDRAM с неагрессивными таймингами — именно она на наш взгляд обеспечивает наилучшее сочетание между ценой и производительностью.
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Corsair выпускает двухканальный комплект DDR3-2400 объёмом 2 х 4 Гб Пятница, 27 Мая 2011 г. 18:36 (ссылка)
На производительность оперативной памяти влияют факторы, редко уживающиеся в одном комплекте: низкие тайминги, большой объём и высокая тактовая частота. Тем не менее, производители памяти стараются оптимизировать свои предложения таким образом, чтобы удовлетворить требования самых взыскательных покупателей.

Компания Corsair, например, дополнила линейку Dominator GT двухканальным набором памяти типа DDR3-2400 с таймингами 9-11-10-30 объёмом 2 х 4 Гб, который работает при номинальном напряжении 1.65 В. Только отборные микросхемы памяти попадают в эти комплекты - подобной чести удостаиваются только 5% подвергаемых тестированию микросхем.

Модули памяти этой серии снабжаются радиаторами DHX+ и блоком вентиляторов AirFlow II GTL. "Гребень" радиатора в случае необходимости может заменяться на фирменный термоэлектрический модуль охлаждения или водоблок. Специальный разъём также позволяет считывать информацию внешним устройствам, например, для отображения эксплуатационных параметров на "графическом эквалайзере" из нескольких светодиодных линеек или экране. Стоимость комплекта памяти в американской рознице достигает $499.


2011_05_27 corsair_01 (500x244, 38Kb)
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени Переход на DDR4 начнётся только в 2014 году Вторник, 28 Июня 2011 г. 17:53 (ссылка)
http://www.overclockers.ru/hardnews/42491/Perehod_...hnetsya_tolko_v_2014_godu.html

С завидной регулярностью производители и независимые аналитики каждый год предсказывают сроки перехода на использование памяти типа DDR4, но пока этот процесс кажется отдалённой перспективой. Предполагается, что сам стандарт будет утверждён в этом году, в 2012 году начнётся его внедрение, а массовое распространение на рынке модули DDR4 получат не ранее 2015 года.

Аналитики IHS iSuppli представили свою картину миграции на DDR4. Прежде всего, в ближайшие три года память типа DDR3 будет доминировать. Сейчас её доля достигает 89%, в следующем году она возрастёт до 92%, а в 2013 году достигнет пикового значения в 94%, прежде чем DDR3 начнёт уступать позиции DDR4. Уже в 2014 году доля последнего типа памяти может достичь 12%, а в 2015 году она увеличится до 56%. Заметим, что в прошлом году на долю DDR3 приходилось только 67% всей памяти, размещаемой на модулях. В 2015 году её доля снизится до 42%.

DDR2 царствовала на рынке около четырёх лет, DDR3 будет доминировать на протяжении пяти лет. В 2015 году самым популярным объёмом модуля оперативной памяти станут 8 Гб, тогда как в 2009 году этот показатель был равен 1 Гб. Подобное увеличение плотности модулей памяти позволит компенсировать ограничения по количеству модулей DDR4, приходящихся на один канал. Со второго квартала этого года в серверном сегменте начнёт распространяться память в исполнении LRDIMM, плотность которой может достигать 16 Гб на модуль и более. Для работы с этой памятью понадобятся новые материнские платы.
Ответить С цитатой В цитатник
hangar15   обратиться по имени только тесты Четверг, 21 Июля 2011 г. 17:35 (ссылка)
листая все что выше явно виден бардак
Ответить С цитатой В цитатник
Перейти к дневнику

Обзор и тестирование оперативной памяти GEIL Enhance Plus 1750 МГц

Четверг, 21 Июля 2011 г. 17:35ссылка
hangar15   обратиться по имени роль 16Гб памяти Воскресенье, 18 Сентября 2011 г. 20:09 (ссылка)
При объеме 16 Гбайт эта память совершенно не разгоняется, к оверклокерской её не причислишь. К плюсам можно отнести возможность работать на очень низких напряжениях. Советовать ее к покупке можно разве что дизайнерам, работающим в Photoshop, 3D Studio Max или иных подобных приложениях. Вдобавок с подобным объемом на борту можно уверенно забыть о файле подкачки операционной системы (попросту отключив его) или даже создать виртуальный жесткий диск в памяти с помощью некоторых программ.
Ответить С цитатой В цитатник
Комментировать К дневнику Страницы: [1] [Новые]
 

Добавить комментарий:
Текст комментария: смайлики

Проверка орфографии: (найти ошибки)

Прикрепить картинку:

 Переводить URL в ссылку
 Подписаться на комментарии
 Подписать картинку