-Метки

anti-usa bio-tech bmi hi-tech hmi it-юмор авиация альтернативная энергетика антихач асадов башорг бессмертие битвы бог братья славяне бронетехника вмф вов военные истории война генетика геополитика герои графен грузия дети евтушенко жизнь искусство исследования мозга история квантовые компьютеры киборгизация концепт космос культура личное лукьяненко любовь медицина мозг мужчины и женщины нанодвигатели нанотехнологии национальный вопрос никитин ноутбуки оперативная память оптика оранжевая украина оранжевые память политика притчи протезы рассказы религия роботы романтика русский язык и литература русь свобода информации ссср счастье танки третья мировая украина умный дом флот фото/картинки холодное оружие хранение информации хранение энергии чай человек чтение мыслей электроника энергетика энергия солнца юмор со смыслом

 -Музыка

 -Подписка по e-mail

 

 -Поиск по дневнику

Поиск сообщений в m007kuzya

 -Статистика

Статистика LiveInternet.ru: показано количество хитов и посетителей
Создан: 21.01.2007
Записей:
Комментариев:
Написано: 11756


Создан прототип одноэлектронного транзистора на основе графена

Понедельник, 23 Июня 2008 г. 13:30 + в цитатник
Исключительные электронные свойства графена - двумерного кристалла углерода - позволили изготовить самый маленький в мире транзистор.

Группа ученых из университета в Манчестере (А.Гейм, К.Новоселов, Л.Пономаренко и др.) опубликовала на прошлой неделе в журнале Science статью с описанием эксперимента, в котором доказана принципиальная возможность создания одноэлектронного транзистора размерами около 10 нм. Подобный одноэлектронный транзистор является единичным элементом будущих графеновых микросхем.

Одноэлектронный транзистор содержит только одну область проводимости, соединенную с истоковым и стоковым электродами туннельными барьерами. Электрод затвора управляет протекающим через область проводимости током c помощью емкостной связи. В основе концепции одноэлектронного транзистора лежит возможность получить заметные изменения напряжения при манипуляции с отдельными электронами.

В прошлом году та же группа исследователей сообщила о создании транзистора на одноатомном слое из нанолент графена шириной в 50 атомов, разделенных еще более узкой полоской графена. Прототип транзистора показал отличные электрические свойства и принципиальную возможность управления потоком электронов.

В новой статье британских исследователей применен иной подход - в едином листе графена с помощью электронно-лучевой литографии и реактивного плазменного травления вырезают квантовую точку (по сути, удаляется несколько атомов углерода), которая является своеобразным островом, присоединенным к остальной части листа через очень тонкие контакты. Размеры этого отдельного фрагмента графена таковы, что начинают проявляться квантовые свойства вещества, которые и определяют возможность управления отдельными электронами.

В сформированном таким образом транзисторе провели исследование поведения электронов в ограниченном пространстве. Электроны, попавшие внутрь квантовой точки, не в состоянии выбраться оттуда без внешнего поля, и при этом другие электроны попасть с электродов в квантовую точку также уже не могут. Этот эффект можно наблюдать даже при комнатной температуре.

Очень важно, что прототип имеет размеры около 10 нм - это область, где традиционная кремниевая микроэлектроника работать уже не будет, по мнению специалистов. Исследователи графена считают, что можно сократить размеры квантовой точки и до 1 нм, при этом физические характеристики транзистора не должны измениться.

Сами исследователи считают, что рано говорить о наступлении эры углеродной наноэлектроники, однако графеновые транзисторы имеют фантастические перспективы в этой области, сообщает PhysOrg.

Источник
Рубрики:  Наука,исследования и разработки
Метки:  

 

Добавить комментарий:
Текст комментария: смайлики

Проверка орфографии: (найти ошибки)

Прикрепить картинку:

 Переводить URL в ссылку
 Подписаться на комментарии
 Подписать картинку