-Поиск по дневнику

Поиск сообщений в DurnoI

 -Подписка по e-mail

 

 -Статистика

Статистика LiveInternet.ru: показано количество хитов и посетителей
Создан: 10.09.2007
Записей:
Комментариев:
Написано: 744





Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:17 + в цитатник
Потери энергии. При перемагничивании магнитных ма-териалов переменным полем петля гистерезиса, характери-зующая затраты энергии на перемагничивание в течение одно-го цикла перемагничивания, расширяется (увеличивает свою площадь) за счет потерь на гистерезис, вихревые токи и маг-нитное последействие. Такую петлю гистерезиса называют ди-намической, а сумму составляющих потерь – полными потеря-ми. Потери энергии, обусловленные перемагничиванием пере-менным полем, вызывают нагрев материала. Вкладом потерь на последействие в нагрев ферромагнетика обычно можно пренебречь.
Потери энергии на гистерезис Эг за один чикл перемагничивания, отнесенной к единице объема материала, определяются на площади статической предельной (или частной) петли гистерезиса

, Дж/м3 (3.21)

Выравнивание, связывающее удельную мощность по-терь на гистерезисе Рг и потери энергии на гистерезис, имеет следующий вид
, Вт/кг, (3.22)

где f – частота перемагничивания, Гц; d – плотность материала кг/м3.
Для практических целей при вычислении удельных по-терь на гистерезис пользуются эмпирической формулой:

, (3.23)

где η – коэффициент, зависящий от свойств материала (η ≈ 1); Вm – максимальная индукция, достигаемая в данном цикле Тл; n – показатель степени, принимающий значения от 1,6 до 2 в зависимости от Вm.
Потери энергии на гистерезис обусловлены необратимы-ми процессами перемагничивания. При этом эти потери за один период изменения внешнего поля остаются постоянными в достаточно широком диапазоне частот.
Потери энергии на вихревые токи обусловлены образо-ванием вихревых токов в проводящей среде за счет ЭДС само-индукции, пропорциональной скорости изменения магнитного потока. Поэтому потери на вихревые токи возрастают пропор-ционально частоте.
Вихревые токи всегда возникают в плоскости, расположенной перпендикулярно магнитному потоку. Под действием переменного магнитного потока в любом контуре, ориентированном вдоль оси магнитного сердечника, возникает ЭДС самоиндукции, пропорциональная частоте и индукции возбуждающегося поля Е ~ f Вm. По закону Джоуля-Ленца ак-тивная мощность, выделяющаяся в материале в виде тепла при возбуждении в нем вихревых токов, определяется выражением

, (3.24)

где γ – удельная проводимость ферромагнетика.
При расчете удельных потерь на вихревые токи исполь-зуют эмпирическую формулу

, Вт/кг, (3.25)

где ξ – коэффициент, пропорциональный удельной проводимо-сти материала и зависящий от геометрической формы и разме-ров поперечного сечения магнитного сердечника.
Так как значение Рв квадратично зависит от частоты пе-ременного магнитного поля, то для снижения потерь на вихре-вые токи необходимо использовать магнитный материал с вы-соким удельным сопротивлением (ферриты) или собирать маг-нитный сердечник из тонких листов, изолированных друг от друга. Для листового образца удельные потери на вихревые токи находят из выражения

, Вт/м2, (3.26)

где h – толщина листа, м; d – плотность материала, кг/м3; ρ – удельное сопротивление, Ом м.
Потери на магнитное последействие обусловлены от-ставанием магнитной индукции от изменения напряженности магнитного поля. Спад намагниченности ферромагнетиков по-сле отключения внешнего поля происходит не мгновенно, а в течение некоторого промежутка времени. Время установления стабильного магнитного состояния возрастает с температурой. Одной из причин магнитного последействия является тепловая энергия, которая помогает слабо закрепленным доменным гра-ницам преодолевать энергетические барьеры, мешающие их свободному смещению. Явление отставания магнитной индук-ции от изменения напряженности магнитного поля, называют магнитной вязкостью.
Комплексная магнитная проницаемость и угол по-терь. В слабых магнитных полях и на высоких частотах дина-мическая петля гистерезиса вследствие отставания индукции от напряженности поля имеет форму эллипса. Отставание по фазе индукции от напряженности объясняется действием вих-ревых токов, препятствующих согласно закону Ленца, измене-нию индукции, гистерезисом и магнитной вязкостью. Угол от-ставания δμ называют углом потерь. Магнитную индукцию можно разложить на две составляющие: Вm1 = Bm.cosδμ и Bm2 = Bm . sinδμ. Первая составляющая Вm1 совпадает по фазе с напряженностью поля и связана с обратимыми процессами превращения энергии при перемагничивании, а вторая (Вm2) - отстает от Н на угол π/2 и обусловлена необратимыми процес-сами. Потери на перемагничивание обусловлены лишь состав-ляющей Вm2.
Для характеристики магнитных свойств материалов, ис-пользуемых в целях переменного тока, существуют следующие виды магнитной проницаемости: упругая μ', проницаемость потерь μ", определяющая величину необратимых потерь в об-щем случае на гистерезис, вихревые токи, магнитную вязкость и резонансное поглощение, и комплексная .
Упругая магнитная проницаемость определяется отно-шением

. (3.27)

Введенная ранее относительная проницаемость μ совпа-дает с μ'.
Проницаемость потерь равна

. (3.28)

Наиболее полно описывает процессы намагничивания в переменных полях комплексная проницаемость
. (3.29)
Для характеристики потерь в магнитных материалах в переменных полях вводят параметр tgδμ – тангенс угла маг-нитных потерь, который равен отношению

. (3.30)

Он определяет отношение активной мощности электро-магнитного поля Ра, выделяемой в виде тепла, к полной мощ-ности возбуждающего магнитного поля Р (tgδ = Pa/P).
Практически тангенс угла магнитных потерь определяют по измеренным параметрам катушки индуктивности с магнит-ным сердечников по формуле

, (3.31)
где r – активное сопротивление потерь; ω – угловая частота, L – индуктивность катушки с магнитным сердечником.
Обратную величину tgδμ называют добротностью сер-дечника (Q = 1/tgδμ).
В диапазоне СВЧ при одновременном воздействии на материал взаимно перпендикулярных постоянного и перемен-ного магнитных полей в ферромагнетиках обнаруживается ин-тенсивное поглощение электромагнитной энергии - ферромаг-нитный резонанс. Ферромагнитный резонанс (максимум tgδμ) связан с явлением резонанса при совпадении частоты перемен-ного поля с частотой прецессионного вращения электронных орбит вокруг напряженности постоянного магнитного поля.
Поверхностный эффект. Вихревые токи, индуцируемые в ферромагнетике, согласно закону Ленца стремятся воспре-пятствовать тем изменениям, которые их вызывают. Поэтому собственное магнитное поле вихревых токов всегда стремится ослабить изменение основного магнитного потока, что прояв-ляется в уменьшении индукции и эффективной магнитной про-ницаемости. Размагничивающее действие вихревых токов наи-более резко выражено в центральной части магнитного сер-дечника. Поэтому переменный магнитный поток неравномерно распределяется по сечению магнитного сердечника; магнитная индукция имеет наименьшее значение в центральной части и наибольшее на поверхности. Вытеснение магнитного поля на поверхность, называемое поверхностным эффектом, проявля-ется тем сильнее, чем больше частота его изменения. Измене-ние магнитной индукции по сечению сердечника вдоль нормали к его поверхности характеризуется выражением

, (3.32)

где - магнитная индукция на поверхности сердечника; Δ – глубина проникновения электромагнитного поля в ферро-магнетик.
Значение Δ рассчитывается по формуле

, (3.33)
где ρ – удельное электрическое сопротивление.
Например, для электротехнической стали, имеющей μ = 1000 и ρ = 10-7 мм, а на частоте 106 Гц – лишь 0,005 мм.
Поверхностный эффект используется при создании элек-тромагнитных экранов, служащих для защиты электронных схем от внешних наводок. Для эффективной защиты толщина стенки экрана должна превышать глубину проникновения Δ электромагнитного излучения в материале экрана. На радио-частотах практически непроницаемыми являются экраны из материалов с низким удельным сопротивлением (медь, алюми-ний, латунь). Но на низких частотах экраны из этих материалов неэффективны, поскольку необходимы очень толстые стенки (например, на частоте 50 Гц у меди Δ ≈ 10 мм). В этих случаях используют экраны из магнитных материалов с высоким зна-чением магнитной проницаемости.
По магнитным параметрам и применению магнитные ма-териалы подразделяют на следующие группы:
магнитомягкие низкочастотные материалы, характерным признаком которых является высокая магнитная проницае-мость и малые потери на перемагничивание; удельное электрическое сопротивление этих материалов составляет 10-6 ÷ 10-7 Ом м;
магнитомягкие высокочастотные материалы, имеющие высокую магнитную проницаемость, малую коэрцитивную си-лу (малые потери на перемагничивание); удельное электриче-ское сопротивление их велико и составляет 10 – 108 Ом м;
магнитотвердые материалы, характеризующиеся боль-шой коэрцитивной силой (до 500 кА/м);
магнитные материалы специального назначения, к кото-рым относятся: материалы с прямоугольной петлей гистерези-са, магнитострикционные материалы, материалы для устройств СВЧ диапазона, магнитные пленки с цилиндрическими маг-нитными доменами (ЦМД) и др.

3.5. Магнитомягкие низкочастотные материалы

Железо. В радиоэлектронной аппаратуре применяют особо чистое железо – электролитическое, карбонильное и технически чистое железо (армкожелезо). Электролитическое железо изготавливают путем электролиза раствора сернокис-лого или хлористого железа. Карбонильное железо получают термическим разложением пентакарбонила железа согласно уравнению

Fe(CO)5 = Fe + 5 CO. (3.34)

Оно имеет вид тонкодисперсного порошка, свободного от примесей кремния, фосфора, серы. Применяется для изго-товления магнитных сердечников методом прессования.
Технически чистое железо обычно содержит небольшое количество примесей углерода, серы, марганца, изготавливает-ся рафинированием чугуна в мартеновских печах, бессемеров-ских или томасовских конверторах.
Все виды железа применяются для изготовления магни-топроводов на постоянном токе или на очень низких частотах из-за низкого удельного сопротивления (ρ ≈ 9,7 10-8 Ом м). В табл. 3.2 приведены магнитные свойства различных видов же-леза.
Таблица 3.2

Состав и магнитные свойства различных видов железа

Наименование материала Содержание примесей, % Мн Мmax Нc (A/м) Вs (Тл) ρ
(Ом м)
С О
1 2 3 4 5 6 7 8
Элекролити-ческое железо 0,02 0,01 600 15000 28 2,2 0,1 10-6
Карбонильное железо 0,005 0,005 3300 21000 6,4 2,18 0,1 10-6

Продолжение табл.3.2

1 2 3 4 5 6 7 8
Технически чистое железо 0,02 0,07 250 7000 80 2,18 0,1 10-6
Железо, обра-ботанное в во-дороде 0,005 0,003 6000 200000 7,2 - 0,1 10-6

Электротехническая сталь. Кремнистая электротехни-ческая сталь является одним из основных материалов массово-го применения. Введением в состав стали кремния повышают удельное сопротивление ρ до 50 10-8 Ом м, что вызывает сни-жение потерь на вихревые токи. Кремний является хорошим раскислителем стали, при этом углерод переводится из цемен-тита (Fe3C), ухудшающий магнитные свойства, в графит, вы-падающий в виде мелких включений. Кремний снижает также магнитострикцию и анизотропию, улучшат крупнозернистость. Все это приводит к увеличению µн, уменьшению Нс и к сни-жению потерь на гистерезис, но ухудшает технологические свойства - растет трудоемкость и повышается хрупкость.
По технологии изготовления различают горячекатаные и холоднокатаные стали. Горячекатаные стали выпускают в виде листов толщиной 0,35 – 1,0 мм для частот f = 50 – 400 Гц и 0,1 – 0,2 мм для повышенных частот. Уменьшение толщины снижает потери на вихревые токи, но снижает и индукцию. Горячекатаная сталь применяется для изготовления генерато-ров, двигателей и трансформаторов, рассчитанных на частоту 50 Гц.
Различают холодно- и горячекатаные стали. При холод-ной прокатке листов с промежуточным длительным отжигом происходит упорядочение кристаллов: зерна получают пре-имущественную ориентацию, при этом ребра [100] оказывают-ся расположенными параллельно направлению проката. Такая электротехническая сталь называется текстурированной (с ребровой текстурой) – магнитные свойства материала вдоль проката выше. Холодная прокатка производится из горячека-таной стали с толщины 2,5 - 2,8 мм до 0,2 - 0,1 мм в несколько циклов с отжигом в среде водорода или в вакууме. При отжиге снимаются напряжения и удаляются вредные примеси. Холод-нокатаная сталь имеет более высокую магнитную индукцию и более низкие потери. Для небольших силовых трансформато-ров применение холоднокатаной стали снижает потери на 40 % и расход материала на 30 %. Наибольший эффект дает приме-нение холоднокатаной стали в ленточных трансформаторах. Холоднокатаная сталь выпускается в виде листов и лент тол-щиной 0,2 – 0,5 мм для использования на частоте f = 50 Гц в сильных и средних полях; и толщиной 0,5 - 0,15 мм на часто-те f = 400 Гц в средних полях.
Сталь электротехническую тонколистовую подразделяют и маркируют:
- по структурному состоянию и виду проката на классы (первая цифра марки) 1 – горячекатаная изотропная; 2 - холод-нокатаная изотропная; 3 – холоднокатаная анизотропная с реб-ровой текстурой; 5 – холоднокатаная изотропная с плоской ку-бической текстурой;
- по содержанию кремния (вторая цифра марки) 0 – с со-держанием кремния до 0,4 % включительно (нелегированная), 1 – от 0,4 до 0,8 % Si включительно, 2 – от 0,8 до 1,8 % Si включительно, 3 – от 1,8 до 2,8 % Si включительно, 4 – от 2,8 до 3,8 % Si включительно, 5 – от 3,8 до 4,8 % Si включительно;
- по основной нормируемой характеристике на группы (третья цифра) 0 – удельные потери в Вт/кг при магнитной индукции В = 1,7 Тл и частоте 50 Гц (Р1,7/50); 1 – при В = 1,5 Тл и 50 Гц (Р1,5/50); 2 – при В = 1,0 Тл и 400 Гц (Р1,0/400); 6 – магнитная индукция в слабых магнитных полях при Н = 0,4 А/м (В0,4); 7 – магнитная индукция в средних маг-нитных полях при Н = 10 А/м (В1,0).
Сталь маркируется четырьмя цифрами. Вместе первые три цифры означают тип стали, а четвертая – порядковый но-мер типа стали.
В табл. 3.3 указана плотность и удельное электрическое сопротивление в зависимости от содержания кремния. В табл. 3.4 приведены предельные значения удельных потерь и индукции для стали класса 2, а в табл. 3.5 для стали класса 3.
Сталь поставляется либо без покрытия и с термостойким покрытием, не ухудшающим штампуемость, с нетермостойким электроизоляционным покрытием, с термостойким электро-изоляционным покрытием. Тип покрытия согласуется с потре-бителем.
Таблица 3.3

Плотность и удельное сопротивление электротехнической
стали в зависимости от содержания кремния

Степень легирования кремнием Вторая цифра марки Плотность (кг/м3) 10-3 Удельное сопро-тивление
ρ (Ом м) 10-6
нелегированная 0 7,85 0,14
слаболегированная 1 7,82 0,17
нижесреднелегированная 2 7,80 0,25
среднелегированная 3 7,75 0,40
повышеннолегированная 4 7,65 0,50
высоколегированная 5 7,55 0,60

Таблица 3.4

Предельные значения удельных потерь и магнитной
индукции электротехнической стали класса 2

Марка Тол-щины (мм) Удельные потери Вт/кг (не более) Магнитная индукция (Тл) при напряженности Н (А/м)
(не менее)
Р1,0/50 Р1,5/50 1000 2500 5000 10000 30000
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2013 0,65 3,1 7,0 1,55 1,64 1,74 1,85 2,05
0,50 2,5 5,6 1,54 1,65 1,75 1,85 2,05

Продолжение табл.3.4

1 2 3 4 5 6 7 8 9
2112 0,65 3,5 8,0 1,46 1,59 1,67 1,77 2,02
0,50 2,6 6,0 1,46 1,60 1,68 1,77 2,02
2212 0,65 2,6 6,3 1,42 1,58 1,67 1,77 2,00
0,50 2,2 5,0 1,42 1,60 1,68 1,77 2,00
2312 0,65 2,4 5,06 1,38 1,54 1,64 1,72 1,96
0,50 1,75 4,0 1,4 1,56 1,66 1,76 1,96
2412 0,65 1,30 3,1 1,35 1,50 1,60 1,70 1,95
0,50 1,15 2,5 1,35 1,50 1,60 1,70 1,95


Таблица 3.5

Предельные значения удельных потерь и магнитной
индукции электротехнической стали класса 3

Марка Тол-щина (мм) Удельные потери (Вт/кг) (не более) Магнитная индукция (Тл) при напряженности Н (А/м) (не менее)
Р1,0/50 Р1,5/50 Р1,7/50 100 250 2500
3411 0,50 1,10 2,45 3,2 - - 1,75
0,35 0,80 7,75 2,50 - - 1,75
3414 0,50 0,70 1,50 2,20 1,60 1,70 1,88
0,35 0,50 1,10 1,60 1,60 1,70 1,88
3415 0,35 0,46 1,03 1,50 1,61 1,71 1,90

На рис. 3.14 представлена зависимость магнитной ин-дукции от напряженности магнитного поля для двух марок электротехнических сталей 1521 и 1572.




Рис. 3.14. Зависимость магнитной индукции от напряженности поля электротехнической стали: 1 – марка стали 1521; 2 – марка ста-ли 1572

Низкокоэрцитивные высокопроницаемые сплавы. Пермаллой – это сплав железа с никелем, обладающий боль-шой магнитной проницаемостью в области слабых полей и очень малой коэрцитивной силой. Свойства пермаллоев в сильной степени зависит от содержаний никеля. Поэтому их подразделяют на высоконикелевые (72 – 80 % Ni) и низкони-келевые (40 – 50 % Ni).
На рис. 3.15 представлены графики зависимостей основ-ных магнитных параметров от содержания никеля. Как видно из рисунка, наибольшая магнитная проницаемость получается для сплава, содержащего 78,5 % Ni (μmax ≈ 100000). Из рисунка также видно, что индукция насыщения высоконикелевых пер-маллоев (Вs = 0,8 – 1 Т) почти в два раза ниже, чем у электро-технической стали и в полтора раза ниже, чем у низконикеле-вых сплавов. Магнитная проницаемость высоконикелевых пермаллоев в несколько раз выше, чем у низконикелевых спла-вов и намного выше, чем у электротехнических сталей. Удель-ное сопротивление у низконикелевых сплавов примерно в 3 раза больше, чем у высоконикелевых, поэтому их обычно при-меняют на более высоких частотах.


Рис. 3.15. Зависимость магнитных свойств и удельных сопро-тивлений сплавов железо-никель от содержания никеля
Очень легкая намагниченность в слабых полях пермал-лоев объясняется практически отсутствием у них анизотропии и явления магнитострикции.
Магнитные свойства их очень чувствительны к внешним механическим напряжениям, наличию примесей в сплаве, а также зависят от режима термообработки. Высоконикелевые пермаллои имеют добавки (молибден, хром, медь, кремний, марганец) с целью снижения температуры, отвечающей точке Кюри, и увеличения µmax. Кроме того, молибден и хром повы-шают удельное сопротивление и начальную магнитную прони-цаемость и уменьшают чувствительность к деформациям, но снижают индукцию насыщения. Медь увеличивает постоянст-во µ в узких интервалах напряженности магнитного поля, по-вышает температурную стабильность и удельное сопротивле-ние, а также улучшает технологические свойства. Кремний и марганец в основном увеличивают удельное сопротивление пермаллоев.
На рис. 3.16 приведены графики зависимости макси-мальной магнитной проницаемости от режима термообработ-ки. Как видно из рисунка, пермаллой очень чувствителен к термообработке. Пермаллойная обработка заключается в гомо-генизирующем отжиге при Т = 1000 – 1100 оС и повторном на-греве до 600 – 650 оС с последующим охлаждением до 350 – 400 оС со скоростью 20 - 80 оС/с. При такой обработке можно получить высокое значение магнитной проницаемо-сти µн = 10000, µmax = 100000, при Вs = 1,1 Тл и Нс = 1,6 А/м. В табл. 3.6 приведены примеры рекомендованных режимов тер-мообработки пермаллоев.
Еще большее значение магнитной проницаемости полу-чают при термомагнитной обработке, заключающейся в том, что охлаждение после термической обработки ведется в посто-янном магнитном поле. Так, у сплава 79 Ni (супермаллой) удалось получить с помощью термомагнитной обработки µн = 10000, µmax = 1,5 106 при Вs = 0,8 Тл и Нс = 0,3 А/м.



Рис. 3.16. Зависимость максимальной магнитной прони-цаемости пермаллоя от режима термообработки: а - без термо-обработки; б – при пермаллойной обработке; в – при термо-магнитной термообработке

Сплавы железоникелевые с высокой магнитной прони-цаемостью выпускаются группами, каждая из которых имеет несколько марок. В марках пермаллоев Н обозначает никель, цифра перед Н обозначает процентное содержание Ni. После буквы Н буква К обозначает кобальт, М – марганец, Х – хром, С – кремний, Д – медь. Дополнительная буква У обозначает сплав с улучшенными свойствами, П – с прямоугольной петлей гистерезиса. В табл. 3.7 приведены сведения о свойствах неко-торых марок пермаллоев.
Высоконикелевые сплавы 79НМ, 80НХС, 76НХД ис-пользуют для изготовления сердечников малогабаритных трансформаторов, реле и магнитных экранов; при толщине листов 0,02 мм – для сердечников импульсных трансформато-ров, магнитных усилителей и бесконтактных реле.


Таблица 3.6

Режимы термообработки сплавов Fe-Ni, Fe-Co

Марка Температура на-грева, достигае-мая со скоростью
400-500 оС/час Режим охлаждения
45 Н 1100 - 1250 до 600 оС со скоростью
100 – 200 оС/час; до 200 оС со ско-ростью 400 оС/час (не более)
50НХС 1100 - 1150 до 400 оС со скоростью 100 оС/час и далее охлаждение на воздухе
76НХD 1100 – 1150 до 500 оС со скоростью 50 оС/час, до 300 оС со скоростью 10 оС/час и далее со скоростью 400 оС/час (не более)
49К2Ф 820 до 500 оС со скоростью 100 оС/час
49КФ 1110
Примечание: термообработку проводят в вакууме, время вы-держки 3 – 6 час


Низконикелевые пермаллои 45Н, 50Н применяют для из-готовления сердечников малогабаритных силовых трансфор-маторов, дросселей, реле и деталей магнитных цепей, рабо-тающих при повышенных индукциях без подмагничивания или с небольшим подмагничиванием. Из сплава 50НХС изготавли-вают сердечники импульсных трансформаторов в аппаратуре связи звуковых и высоких частот, в устройствах памяти.
В отличие от электротехнических сталей магнитомягкие сплавы поставляются только в термически необработанном со-стоянии. Высокие магнитные свойства приобретаются только при соответствующей термической обработки (табл.3.6).

Таблица 3.7

Состав и свойства некоторых пермаллоев

Группа Марка µн µmax Нс, А/м Вs,
Тл ρ,
Ом м 106
Нелегированные низконикелевые 45Н, 50Н 1700-3000 16000-35000 32-10 1,5 0,45
Легированные низконикелевые 50НХС 1500-3200 15000-30000 20-8 1,0 0,9
Легированные
высоконикелевые 79НМ,
80НХС,
76НХД,
79НМ-У 16000-35000 50000-220000 5,5-1,0 0,65 0,55
Суперпермаллой,
79 % Ni, 5 % Mo, 15 % Fe, 0,5 % Mn - 100000
до 1500000 при
В=0,3 Тл 0,3 0,8 0,6

Сплавы системы Fe-Co (пермендюры) являются магнит-ными материалами с высокой индукцией насыщения Вs (до 2,4 Тл) и температурой Кюрия до 1050 оС. Для улучшения тех-нологических свойств при механической обработке в эти спла-вы вводится ванадий (V). В виде листовых холоднокатаных лент и листов выпускаются сплавы марок 49КФ, 49К2Ф, 48КНФ. Сплавы системы Fe-Co обладают самым большим зна-чением индукции насыщения в магнитных полях с напряжен-ностью магнитного поля до 15 кА/м. Пермендюры использу-ются в устройствах с подмагничиванием: мембраны телефо-нов, репродукторов, дроссели фильтров выпрямителей, сер-дечники электромагнитов и силовых трансформаторов и как магнитострикционные материалы. Ограничением по примене-нию их является достаточно высокая стоимость.
Альсиферы – тройные сплавы железа с кремнием и алю-минием. Оптимальный состав альсифера: 9,5 % Si, 5,6 % Al, остальное Fe. Магнитные свойства альсифера: µн = 35000; µmax = 117000; Нс = 1,8 А/м; ρ = 800 10-8 Ом м, т.е. не уступают свойствам высоконикелевых пермаллоев. В отличие от карбо-нильного железа альсифер обладает отрицательным темпера-турным коэффициентом магнитной проницаемости.
Благодаря высокой хрупкости его можно размалывать в порошок и использовать для изготовления высокочастотных подстроечных сердечников методом порошковой металлургии.
Аморфные магнитные сплавы. Особенностью аморф-ных материалов является отсутствие в них дальнего порядка. Возможность существования ферромагнетизма в аморфных те-лах теоретически обоснована в 1960 г. А.И.Губановым, а экс-периментально подтверждена в 1968 г. Аморфные тела обла-дают упорядоченной ориентацией спиновых магнитных мо-ментов несмотря на отсутствие периодичности в пространст-венном расположении атомов.
Магнитные аморфные сплавы, называемые металличе-скими стеклами, содержат в качестве основного состава один или несколько переходных металлов Fe, Ni, Co в количестве 75 - 85 %, металлоиды (аморфизаторы) Si, Ge, Sb, P, C, B и другие легирующие элементы (Cr, Ta, V, Mn и др.) для улуч-шения различных свойств (термической стабильности, повы-шения удельного сопротивления и коррозионной стойкости).
Кроме того, получены аморфные магнитные пленки на основе редкоземельных элементов La, Cr, Pr, Nd, Gd, Sm с ме-таллами нормальной валентности (Cu, Ga, Sn, Zn).
Существует несколько методов формирования аморфных ферромагнитных сплавов.
1. Конденсация паров металлических сплавов. При этом способе расплав нагревают до температуры испарения и на-правляют полученный поток пара на подложку, охлажденную до температуры жидкого азота или гелия. Конденсацией пара в вакууме получают ферромагнитные пленки в аморфном со-стоянии из Fe, Ni, Co, Mn толщиной до 1 мкм.
2. Высокоскоростное ионно-плазменное распыление на охлаждаемую подложку. Таким способом получают аморфные пленки составов SmCo2, Cm2Co17, Fe80B20, Fe-Ni-Cr-B и др. тол-щиной до 5 мкм.
3. Электролитическое и химическое осаждение. Способ осаждения позволяет получить аморфные слои толщиной до 0,2 мм. Этим способом были получены аморфные пленки со-ставов: Co100-x Px, где х = 17 – 22 %; Со50Ni26P24; Ni80P20.
4. Быстрая закалка металлических расплавов. При этом способе расплав выдавливают небольшим избыточным давле-нием нейтрального газа из кварцевого или керамического тиг-ля на быстро вращающуюся металлическую поверхность, ин-тенсивно отводящую теплоту. Средняя скорость охлажде-ния выдавливаемой струи расплава 105 – 108 оС/с. Таким методом получают аморфные магнитные пленки толщиной 10 – 100 мкм. В настоящее время известно свыше 200 систем, в которых получают аморфную структуру закалкой расплавов. Методом закалки металлических расплавов получают ферро-магнитные пленки: на основе элементов Fe, Ni, Co с 20 % ато-мов металлоидов Si, Ge, Sb, P, C, на основе редкоземельных элементов La, Ce, Pr, Nd, Gd с металлами нормальной валент-ности Fg, Fu, Cu, Ga, Jn, Sn.
Аморфное состояние сплавов является термостабильным. Поэтому после формирования пленок их подвергают отжигу, в процессе которого происходит релаксация к более стабильно-му состоянию стеклофазы.
Магнитные свойства аморфных сплавов сохраняются до температуры Та = (0,3 – 0,35) Тпл (Тпл – средняя температура плавления сплава). А при нагревании выше температуры (0,4 – 0,65) Тпл наблюдается постепенный переход аморфного состояния в кристаллическое состояние.
Считалось, что структура аморфных тел изотропна, по-скольку отсутствует кристаллографическая анизотропия. Од-нако выявление в аморфных сплавах магнитной анизотропии показало ее связь с макроскопической анизотропией структу-ры. Анизотропия атомной структуры возникает в процессе по-лучения лент непосредственно перед стеклованием, когда вяз-кость расплава резко возрастает, вызывая сдвиговые напряже-ния и деформации. Анизотропия в структуре создает ось лег-кого намагничивания, расположенную вблизи главной оси лен-ты. Магнитная анизотропия увеличивается при отжиге в маг-нитном поле.
Аморфные сплавы непосредственно после их получения еще не обладают комплексом высоких магнитных свойств. Как правило, они имеют повышенное значение коэрцитивной силы Нс и невысокое значение магнитной проницаемости. Для по-вышения этих значений проводят термическую обработку аморфных сплавов при наложении внешнего магнитного поля. Применяют несколько видов термообработки:
1. Термообработка в продольном магнитном поле увели-чивает максимальную магнитную проницаемость µmax и коэф-фициент прямоугольности петли гистерезиса, уменьшает коэр-цитивную силу Нс и динамические потери.
2. Термообработка в поперечном магнитном поле повы-шает начальную магнитную проницаемость µн, снижает маг-нитные потери.
3. Термообработка во вращающемся магнитном поле применяется для высококобальтовых сплавов с температурой Кюри, превышающей температуру кристаллизации. Она по-вышает начальную магнитную проницаемость и препятствует стабилизации границ доменов.
Оптимальная обработка аморфных сплавов должна обес-печивать высокую магнитную проницаемость, малую коэрци-тивную силу, высокие значения индукции насыщения и удель-ного электрического сопротивления, что обусловливает малые потери на гистерезис и вихревые токи. Кроме того аморфные магнитные сплавы имеют высокие механические свойства (прочность и износостойкость), а также коррозионную стой-кость. Магнитные свойства их мало подвержены влиянию ме-ханических напряжений.
В табл. 3.8 приведены для примера магнитные свойства аморфных сплавов на основе железа, никеля и кобальта.


Таблица 3.8

Свойства аморфных магнитных сплавов на основе
Fe, Fe-Ni и Fe-Co

Состав µн µmax Bs, Тл Ηс, А/м Тк, оС ρ. 108 Ом м
Fe80B20 2 104 2 105 1,6 2,4 374 145
Fe78Si10B12 - - 1,55 4,8 447 155
Fe40Ni40P14B6 5 103 - 0,79 1,6 264 180
Fe4,5Co70,5Si10B15 1 104 - 0,85 1,6 420 150

Отечественной промышленностью выпущены магнитные ленточные аморфные сплавы, марки и магнитные свойства, ко-торых приведены в справочной литературе /3/.
Аморфные сплавы используют:
1. В технике магнитной записи и воспроизведения в ка-честве магнитопроводов и экранов. При этом повышаются экс-плуатационные характеристик (индукция насыщения, плот-ность записи, износостойкость). Рабочий диапазон частот до десятков мегагерц.
2. В трансформаторах, импульсных источниках питания и преобразователях постоянного напряжения на частотах до единиц мегагерц, где важно иметь высокое значение индукции насыщения, общие низкие потери и большой коэффициент прямоугольности петли гистерезиса.
3. В магнитоуправляемых линиях задержки.
4. В магниторезистивных головках с высокой плотно-стью записи.
Методом высокоскоростного ионно-плазменного распы-ления получены аморфные пленки из магнитотвердого сплава SmCo5 с магнитной энергией 120 кТл А/м, которые могут при-меняться для изготовления малогабаритных постоянных маг-нитов различного назначения.В табл.3.9 приведены магнитные свойства различных магнитомягких ферромагнитных материа-лов.
Таблица 3.9
Свойства магнитомягких ферромагнитных материалов

Материалы Магнитная про-ницаемость Нс, А/м Вs, Тл ρ.108,
Ом м
μн μmax
Карбонильное желе-зо 2000-3000 21000 6,4 2,18 10
Электротехническая сталь 200-600 3000-8000 10-65 1,95-2,02 25-60
Низконикелевый пермаллой 1500-4000 15000-60000 5-35 1,0-1,6 45-90
Высоконикелевый пермаллой 7000-22000 50000-130000 0,65-5 0,65-1,05 16-85
Суперпермаллой (79НМ) 100000 1500000 0,3 0,8 60
Железо-кобальтовый сплав 5000 - 140-160 2-2,2 20-40
Аморфный магнит-ный сплав (Fe80B20) 20000 200000 2.4 1,6 145

Из таблицы видно, что пермаллои и аморфные сплавы являются наиболее высокопроницаемыми материалами с ма-лой коэрцитивной силой

3.6. Магнитомягкие высокочастотные материалы

Ферромагнитные материалы (электрическая сталь, пер-маллой) не пригодны для работы на частотах выше 103 – 104 Гц вследствие их низкого удельного электрического сопротивле-ния и высоких потерь на перемагничивание. Поэтому для ра-боты в радиочастотном диапазоне применяются в основном два класса материалов – ферриты и магнитодиэлектрики.

3.6.1. Ферриты

Химический состав и строение ферритов. Ферриты – это оксидные магнитные материалы, относящиеся к ферро-магнетикам, основной особенностью которых является вы-сокое удельное электрическое сопротивление, достигающее 108 Ом м, и широкий диапазон значений начальной магнитной проницаемости от 10 до 20000.
По составу ферриты представляют химические соедине-ния окисла железа Fe2O3 c окислами других металлов. В на-стоящее время используют сотни различных марок ферритов, отличающихся по химическому составу, кристаллической структуре, магнитным и электрическим свойствам.
Наиболее широкое применение нашли ферриты со струк-турой минерала шпинели. Химический состав ферритов-шпинелей отвечает формуле MeFe2O4 (МеОFe2O3), где Me – катион двухвалентного металла. Элементарная ячейка шпине-ли представляет собой куб с ребром а = 8,5 А, в состав которо-го входит восемь структурных единиц типа MeFe2O4, т.е. 32 иона кислорода, 16 ионов трехвалентного железа и 8 ионов двухвалентного металла (рис. 3.17).
Ферриты-шпинели, обладающие высокими магнитными свойствами, имеют структуру, в которой катионы Me2+ нахо-дятся в позициях типа В, а катионы трехвалентного железа распределяются между позициями типа А и В. Такая структура получила название обращенной шпинели. Формулу обращен-ной шпинели с учетом распределения катионов можно запи-сать в виде
, (3.35)
где стрелки условно указывают направления магнитных мо-ментов катионов в соответствующих подрешетках.


Рис. 3.17. Элементарная ячейка шпинели: белые шарики – ионы кислорода; черные - катионы в тетраэдрических положениях; заштрихованные – катионы в ок-таэдрических положениях Рис. 3.18. Схематическое изображение кислород-ных междуузлий: тетра-эдрических типа А; окта-эдрических типа В (в центре – металлический катион)

Высокие магнитные свойства феррошпинели проявляют-ся, если в качестве Ме используются металлы Ni, Mn. Худшие магнитные свойства проявляются у ферритов, у которых иона-ми Ме служат Со, Сu, Мg. Феррит считается немагнитными, если в качестве ионов Ме служат Zn и Cd. К феррошпинелям относятся и феррит одновалентного лития.
В ферритах магнитоактивные катионы находятся доста-точно далеко друг от друга, поскольку они разделены аниона-ми кислорода, не обладающими магнитным моментом. Поэто-му прямое обменное взаимодействие между катионами оказы-вается очень слабым или отсутствует вообще. Согласно теории ферримагнетизма, предложенной Л.Неелем и развитой совет-скими и зарубежными учеными, в ферритах решающую роль в обеспечении магнитных свойств играет косвенное обменное взаимодействие, осуществляемое при участии кислородных ионов. Главным является взаимодействие по типу А-О-В, т.е. обменное взаимодействие между катионами, занимающими различные междоузлия. Катионы, находящиеся в междоузлиях одного типа, образуют свою собственную подрешетку, в кото-рой все ионы имеют одинаковые направления магнитного мо-мента. Поэтому спонтанная намагниченность феррита-шпинели равна разности намагниченности двух подрешеток:

ЈMS = Ј MA − Ј MB. (3.36)

Из выражения следует, что магнетизм ферритов проявля-ется как не скомпенсированный антиферромагнетизм. Ферри-ты, обладающие наиболее ценными магнитными свойствами и нашедшие широкое применение, представляют собой твердые растворы замещения, образованные двумя ферритами, один из которых (Ni∙Fe2∙O4 или Mn∙Fe2∙O4) является ферримагнетиком, а другой(Zn∙Fe2∙O4) – немагнитен. В таких ферритах катионы цинка в структуре шпинели всегда занимают тетраэдрические кислородные междоузлия, а катионы трехвалентного железа находятся как тетра-, так и в октаэдрических промежутках. Со-став твердого раствора с учетом распределения катионов по кислородным междоузлиям можно изобразить в виде форму-лы:
, (3.37)

где х - концетрация цинка.
Из формулы видно, что вхождение цинка в кристалли-ческую решетку сопровождается вытеснением железа из тетра-эдрической (А) подрешетки в октаэдрическую (В). Соответст-венно уменьшается намагниченность тетраэдрической (А) под-решетки и снижается степень компенсации магнитных момен-тов катионов, находящихся в различных подрешетках (А и В). В результате возрастает общая намагниченность материала. Следовательно, введение немагнитного компонента (Zn) в феррит приводит к увеличению намагниченности насыщения (Bs), но при этом снижается температура перехода его из фер-римагнитного состояния в парамагнитное (точка Кюри).
Ослабление обменного взаимодействия между катионами при введении немагнитного компонента приводит также к уменьшению магнитной кристаллографической анизотропии и магнитострикции, что облегчает перемагничивание феррита в слабых магнитных полях, то есть возрастает начальная маг-нитная проницаемость.
Максимальному значению μн отвечают ферриты с опре-деленной концентрацией цинка. Например, для никель- цин-кового феррита максимальному значению отвечает состав 50 % Fe2O3, 15% NiO, 35% ZnO , что соответствует твердому рас-твору Ni1-x Znx Fe2 O4 с х ≈ 0,7.
На значения величин начальной магнитной проницатель-ности и коэрцитивной силы влияет не только состав ферритов, но и наличие дефектов в структуре (участки с дефектом кри-сталлической решетки, поры, включение побочных фаз и др.), которые мешают свободному перемещению доменных границ при воздействии слабых магнитных полей. Большое влияние на μн оказывает размер кристаллических зерен. Например, мар-ганец-цинковые ферриты с крупнозернистой структурой (с раз-мером кристаллитов около 40 мкм) могут иметь μн около 20000.
Ферриты получают в виде поликристаллической керами-ки и монокристаллов. В отличие от радиокерамики поликри-сталлические ферриты совершенно не содержат стеклообраз-ной фазы.
Технология получения поликристаллических ферритов состоит из следующих основных операций:
поучение исходных окислов методами термического раз-ложения солей или совместного осаждения солей и гидрооки-сей;
смешивание оксидов Fe2O3 и MeO;
брикетирование или гранулирование;
предварительный обжиг при температуре 900 - 1000 оС;
тонкий помол с добавлением пластификаторов;
формообразование изделий прессованиям;
обжиг изделий в окислительной среде, в результате кото-рого формируется определенная структура феррита.
Монокристаллические ферриты обладают рядом свойств ( малая ширина кривой магнитного резонанса, высокая оптиче-ская прозрачность, высокое удельное электрическое сопро-тивление, большая механическая износостойкость и другие), позволяющих применять их в приборах сверхвысоких частот и магнитной записи, в вычислительной технике и оптических приборах ( состав и структура таких ферритов будут рассмот-рена в п.3.8).
Монокристаллы ферритов выращиваются различными способами: из раствора в расплаве (спонтанная кристаллиза-ция); методами Вернейля, Бриджмена, Чохральского; зонной плавкой; гидротермальным методом. В промышленных усло-виях наибольшее распространение получили метод выращива-ния из раствора в расплаве (спонтанная кристаллизация) и плазменно- водородный метод (метод Вернейля).
При выращивании ферритов из раствора в расплаве (спонтанная кристаллизация) приготавливают шихту, состоя-щую из компонентов феррита и растворителя, который должен иметь низкую температуру плавления и слабую летучесть (ок-сиды PbO, PbF2, B2O3 и др.). После тщательного перемешива-ния шихту нагревают до расплавления, выдерживают опреде-ленное время и затем медленно охлаждают с контролируемой скоростью. После охлаждения кристаллы отделяют от затвер-девшего растворителя кипячением в растворе азотной кислоты.
По методу Вернейля кристаллы выращиваются в кисло-родно-водородном пламени кристаллизационного аппарата. Приготовленная керамическим способом тонкодисперсная шихта малыми порциями подается через зону пламени кисло-родно-водородной смеси на жаропрочную затравку - свечу (кристаллоноситель). На свече сначала образуется конус из спеченных частиц, а затем из вершины конуса вырастает моно-кристалл, по мере роста которого свеча опускается. Поступле-ние шихты и опускание кристалла уравновешиваются, чтобы поверхность роста кристалла оставалась на постоянном уровне.
Монокристаллические ферритовые пленки выращивают путем осаждения (эпитаксии) из жидкой фазы на подложку из немагнитных монокристаллов. Жидкая фаза представляет со-бой раствор-расплав, состоящий из смеси исходных оксидов (в соответствии с химическим составом выращиваемой феррито-вой пленки) и легкоплавких составляющих, обеспечивающих плавление смеси при относительной низких температурах.
Ферриты являются твердыми и хрупкими материалами, которые допускают обработку поверхностей только шлифова-нием или полированием. Для резки ферритов используются диски с режущей кромкой из искусственного алмаза. При ме-ханических нагрузках в ферритовых изделиях создаются на-пряжения, которые могут менять электромагнитные парамет-ры.
Магнитные свойства. В качестве магнитомягких мате-риалов для радиочастот широко применяемой поликристалли-ческие марганец-цинковые (система MnO-ZnO-Fe2O3) и ни-кель-цинковые (система NiO-ZnO-Fe2O3) ферриты. Ферриты обычно применяются в слабых и средних полях, так как они имеют относительно низкую индукцию насыщения (Bs = 0,15-0,7 Тл). Для ферритов, используемых в переменных полях, кроме начальной магнитной проницаемости μн важной харак-теристикой является тангенс угла магнитных потерь tgδм. Так как ферриты имеют высокое удельное электрическое сопро-тивление, то составляющая потерь на вихревые токи очень ма-ла и ею можно пренебречь. В слабых магнитных полях незна-чительными оказываются и потери на гистерезис. Поэтому tgδм в ферритах на высоких частотах в основном определяется маг-нитными потерями, обусловленными релаксационными и ре-зонансными явлениями. При повышении частоты tgδм возрас-тает, а начальная магнитная проницаемость уменьшается. Уменьшение μн и возрастание tgδм вне области резонанса мо-жет быть связано с инерционностью смещения доменных гра-ниц и размагничивающим действием вихревых токов. Для оценки допустимого частотного диапазона, в котором может использоваться данный феррит, вводят понятие критической частоты fКР. Обычно под fКР понимают такую частоту маг-нитного поля, при которой tgδм достигает 0,1. Существует опре-деленная связь между величиной μн и критической частотой: чем выше μн, тем ниже fКР (рис. 3.19). При этом ферриты с большим значением начальной магнитной проницаемости обладают бо-лее высоким значением tg м, критическая частота их ниже.



Рис.3.19. Зависимость μн и tgδм от частоты ферритов: 1 – 1000НН; 2 – 600НН; 3 – 200НН (стрелкой показано значение tgδм = 0,1 для одного феррита) Рис. 3.20. Зависимость μн от температуры для марганец– цинковых и никель–цинковых ферритов
В области частот до 1 МГц при одинаковом значении μн марганец-цинковые ферриты имеют меньшее значение tgδм по сравнению с никель-цинковыми. Это объясняется очень малы-ми потерями на гистерезис у них в слабых магнитных полях. Кроме того высоко проницаемые марганец- цинковые ферриты обладают повышенной индукцией насыщения и более высокой температурой Кюри (Тк). Но марганец-цинковые ферриты вследствие более низкого удельного электрического сопротив-ления (у Mn-Zn ферритов ρ = 0,5 - 10 Oм∙м, у Ni-Zn ферритов - 104 - 105 Ом∙м) применяются на частотах до единиц мегагерц, а никель- цинковые применяются как низкочастотные, так и вы-сокочастотные (до сотен мегагерц). Кроме того марганец- цин-ковые ферриты характеризуются меньшей стабильностью маг-нитных свойств во времени.
Зависимость начальной магнитной проницаемости фер-ритов двух составов от температуры приведена на рис. 3.20.
Из рисунка видно, что μн повышается с ростом темпера-туры до точки Кюри, а затем резко падает. При этом, чем выше μн , тем ниже точка Кюри для ферритов одной и той же систе-мы окислов.
По электрическим свойствам ферриты относятся к классу полупроводников или даже диэлектриков. Их электропровод-ность обусловлена процессами электронного обмена между ионами переменной валентности. Основным фактором, влияющим на электропроводность, является присутствие в ферритах ионов двухвалентного железа Fe2+. Под влиянием те-плового движения слабосвязанные электроны перескакивают от ионов Fe2+ к ионам Fe3+, понижая валентность последних. Наибольшей концентрации ионов двухвалентного железа и по-этому наименьшим удельным сопротивлением обладает фер-рит железа (FeO ∙ Fe2O3), у которого ρ = 5∙10-5 Ом∙м. Присутст-вие в ферритах– шпинелях ионов двухвалентного железа при-водит к ослаблению анизотропии и магнитострикции, что бла-гоприятно отражается на значении μн. Из этого вытекает зако-номерность - ферриты с большой μн, как правило, обладают невысоким удельным электрическим сопротивлением.
Для ферритов характерна большая величина относитель-ной диэлектрической проницаемости ε, которая зависит от со-става и частоты. Наибольшее значение ε присуще марганец- цинковым ферритам, у которых она достигает сотни и тысяч единиц.
Применение ферритов. Для характеристики магнито-мягких ферритов различного назначения кроме основных па-раметров: начальной магнитной проницаемости, тангенса угла магнитных потерь, индукции насыщения, коэрцитивной силы, критической частоты и точки Кюри (μн, tgδм, BS, HC, fКР, Tк), вводят ряд дополнительных параметров: относительный тан-генс угла магнитных потерь tgδм ∕μн, относительный темпера-турный коэффициент начальной магнитной проницаемости αμн ∕μн , относительный коэффициент дезакоммодации (спада) на-чальной магнитной проницаемости D∕μн (где D изменение μн во времени) и другие.
Для маркировки магнитомягких ферритов введены сле-дующие обозначения: цифры перед буквами обозначают но-минальное значение начальной магнитной проницаемости μн, после цифры буква H указывает низкочастотный диапазон применения, а буква B - высокочастотный; следующие за ними буквы M или H отражают тип феррита (марганец- цинковый или никель- цинковый соответственно); если есть буквы H или C, то они обозначают, что ферриты предназначены для работы в импульсном режиме (И) или сильных полях (C); цифры после букв - номер разработки.
Отечественная промышленность выпускает большое ко-личество марок магнитомягких ферритов, применяемых в раз-личных устройствах электронных средств.
Ферриты общего применения. Эти ферриты используют-ся в качестве сердечников трансформаторов, дросселей, маг-нитных антенн и в других устройствах, где нет особых требо-ваний к температурной и временной стабильности. К этой группе относятся никель-цинковые ферриты марок: 2000НН, 1000НН, 600НН, 400НН, 100НН и другие с fКР от 0,1 до 30 МГц и марганец–цинковые ферриты марок: 3000 НМ, 2000 НМ, 1500 НМ, 1000НМ с fКР от 0,1 до 0,6 МГц.
Термостабильные ферриты применяются в устройствах, к которым предъявляются повышенные требования по темпе-ратурной стабильности. Общим признаком этих ферритов яв-ляется малое значение относительного коэффициента началь-ной магнитной проницаемости в широком интервале темпера-тур ((1-10)∙10-6 К-1) и достаточно низкие магнитные потери. К этой группе относятся никель-цинковые ферриты марок 150ВН, 100ВН, 50ВН, 30ВН, 20ВН ,7ВН (fКР = 5 - 200 МГц) и марганец-цинковые ферриты марок 2000НМЗ, 1500НМЗ, 1000НМЗ, 700НМЗ и другие (fКР = 0,5 - 5 МГц). Для повыше-ния температурной и временной стабильности изделий приме-няют сердечники с разомкнутой магнитной цепью (например, броневые сердечники).
Высокопроницаемые ферриты. В эту группу входят мар-ганцево-цинковые ферриты марок: 20000НМ, 10000НМ, 6000НМ, 4000НМ (fКР = 0,005 - 0,1МГц). Эти ферриты предна-значены для использования в качестве сердечников трансфор-маторов и других устройств, в которых они могут заменять сердечники из тонкокатаного пермаллоя. Но замена целесооб-разна для устройств, работающих при малых индукциях.
Ферриты для телевизионной техники включают в себя Mn-Zn ферриты марок 2500НМС1 и 3000НМС (fКР = 0,36-0,4 МГц). Эти ферриты используются в качестве сердечников вы-ходных трансформаторов строчной разведки. Для создания вы-сокого напряжения в электронно-лучевой трубке при малых затратах мощности сердечники должны обладать максималь-ным значением магнитной проницаемости и минимальным значением потерь в сильных магнитных полях. Для систем ди-намического сведения лучей в телевизионных приемниках применяют феррит 2000НМ.
Ферриты для импульсных трансформаторов предназна-чены для работы в импульсных режимах намагничивания. Они включают в себя Ni-Zn ферриты марок: 1100ННИ, 1000 ННИ, 450ННИ, 350ННИ, 300ННИ (fКР =0,4-2МГц) и Мц-Zn феррит марки 1100 НМИ (fКР = 0,3 МГц). Основными характеристика-ми этих ферритов являются импульсная магнитная проницае-мость μи=Ви ∕μоНи и её температурная стабильность.
Ферриты для перестраиваемых контуров изготавливают из высокочастотных никель-цинковых ферритов марок 10ВНП, 35ВНП, 60ВНП, 90ВНП, 150ВНП, 200ВНП, 300ВНП (fКР = 250 - 6МГц). Эти ферриты предназначены для использования в катушках индуктивности с перестраиваемой индуктивностью (ферровариометрах). Характерными параметрами этих ферри-тов являются коэффициент перестройки по частоте (где обр обратимая магнитная проницае-мость) и коэффициент амплитудной нестабильности αн = (μнм2 - μнм1)/μнм1(Нm2 - Нm1) (где μнm2, μнm1 - магнитная проницаемость при напряженностях переменного поля Нm2, Нm1 соответст-венно).
Ферриты для широкополосных трансформаторов пред-ставляют собой никель-цинковые ферриты марок: 50ВНС, 90ВНС, 200ВНС, 300ВНС (fКР = 80 - 8МГц). Эти ферриты ис-пользуются в качестве сердечников мощных согласующих трансформаторов радиопередающей аппаратуры. Они облада-ют пониженными значениями тангенса угла магнитных по-терь в слабых и сильных полях и высокой температурой Кюри (480 – 250 оС).
Ферриты для магнитных головок включают в себя ни-кель-цинковые ферриты марок: 500НТ, 1000НТ, 2000НТ (fКР = 2 - 0,1 МГц) и марганец- цинковые ферриты марок 500МТ, 1000МТ, 2000МТ, 5000МТ (fКР = 0,2 МГц). Эти ферриты ис-пользуются в качестве материалов магнитных сердечников го-ловок различной конфигурации для записи и воспроизведения звуковой- и видеоинформации. Помимо высоких электромаг-нитных свойств они характеризуются высокой твердостью и износостойкостью.
Ферриты для индуктивных бесконтактных датчиков температуры марок 800НН, 1200НН характеризуются тем, что при воздействии температурных циклов нагрева выше точки Кюри и охлаждения в них не происходит необратимых изме-нений магнитной проницаемости.
Ферриты для магнитных экранов марок 200ВНРП, 800ВНРП (fКР = 5,0 и 0,7 МГц) характеризуются тем, что они обладают высоким значением tgδм в широком диапазоне час-тот.

3.6.2. Магнитодиэлектрики

Магнитодиэлектрики - это материалы, полученные прес-сованием порошкообразного ферромагнетика с изолирующей органической или неорганической связкой. На низких частотах в качестве связки применяется фенольно-формальдегидная смола, а на высоких частотах - полистирол, неорганическое стекло.
Магнитодиэлектрик должен иметь малые динамические потери и достаточно высокую стабильность магнитной прони-цаемости во времени. Суммарные потери мощности определя-ются потерями на гистерезис (Pг), последействие (Рn), вихревые токи (Pв) и диэлектрическими потерями (Pd) в электроизоляци-онной связке

P = Рг + Рn + Pв + Pd. (3.38)

Величина потерь магнитодиэлектрика в значительной мере зависит от размеров частиц порошка ферромагнетика и характера изоляции между зернами. Для уменьшения динами-ческих потерь, особенно обусловленных вихревыми токами, необходимо применять более мелкий порошок ферромагнети-ка.
Магнитодиэлектрики характеризуются относительно не-высокой магнитной проницаемостью (μн = 10 - 250), которая существенно ниже магнитной проницаемости монолитных ферромагнетиков, незначительными потерями на гистере-зис, высоким удельным электрическим сопротивлением (ρ ≈ 109 Ом∙м). Магнитная проницаемость магнитодиэлекриков практически неуправляема внешним магнитным полем, что яв-ляется следствием сильного внутреннего размагничивающего поля, так как магнитный материал разделен на мельчайшие, не соприкасающиеся друг с другом, частицы. Кривая намагничи-вания этих материалов имеет почти линейную зависимость В(Н). Основными достоинствами магнитодиэлектриков явля-ются стабильные параметры при механических и температур-ных воздействиях, а также временная стабильность. Недостат-ком магнитодиэлектриков является сравнительно невысокое значение начальной магнитной проницаемости.
Наибольшее распространение в изделиях РЭС получили магнитодиэлектрики на основе карбонильного железа, частицы которого имеют размеры (от 0,5 до 3,5 мкм) и округлую фор-му, альсифера, пермаллоя и на основе ферритов. Магнитоди-электрики на основе альсифера характеризуются отрицатель-ным температурным коэффициентом магнитной проницаемо-сти αμ. Это позволяет создавать магнитодиэлектрики на основе смеси карбонильного железа и альсифера с необходимой вели-чиной и знаком температурного коэффициента магнитной про-ницаемости.
Магнитодиэлектрики на основе карбонильного железа отличается высокой стабильностью, малыми потерями, поло-жительным температурным коэффициентом магнитной прони-цаемости и могут быть использованы в широком диапазоне частот.
Маркировка магнитодиэлектриков определяется типом магнитного порошка. Промышленностью выпускаются магни-тодиэлектрики следующих марок:
на основе карбонильного железа – Р-10, Р-20, Р-100 и другие (где число обозначает максимальную частоту в МГц);
на основе альсифера – ВЧ-32, ВЧ-22, ВЧК-22 и другие (ВЧ - высокочастотный, К- материал с компенсированным по-ниженным температурным коэффициентом магнитной прони-цаемости αμ; цифра –значение μн);
на основе пермаллоя – П-250, П- 160, П- 100, ПК- 60, П-20, ПК- 20 и др. (П- пермаллой, К- с компенсированными αμ, число- μн);
на основе магнитного порошка из феррита: НМ-5, ВН -20, ВН-60,ВН- 220 и другие (НМ- низкочастотный на основе Mn-Zn феррита; ВН- высокочастотный на основе Ni-Zn ферри-та; число – предельная рабочая частота в МГц).
В связи с широким выпуском ферритов различных марок, обладающих более высокими электромагнитными свойствами, область применения магнитодиэлектриков сужается. Они на-ходят применение в качестве подстроечных сердечников высо-кочастотных катушек индуктивности; катушек с постоянной индуктивностью, мало зависящей от напряженности поля, час-тоты перемагничивания и температуры; для изготовления маг-нитных экранов.

3.7. Магнитотвердые материалы

Природа высококоэрцитивного состояния и свойства. Магнитотвердыми материалами называют материалы с коэр-цитивной силой по индукции не менее 4 кА/м; площадь петли гистерезиса у них значительно больше, чем в магнитомягких материалах. Чтобы получить высокую коэрцитивную силу в магнитном материале необходимо затруднить процесс пере-магничивания. Процесс трудного перемагничивания создается исключением доменных границ, уменьшая кристаллические зерна до размера однодоменных частиц или затрудняя смеще-ние доменных границ.
В первом случае тем или другим методом получают од-нодоменные частицы с преобладающей анизотропией, распре-деленные с определенной плотностью в немагнитной фазе. Однодоменная структура возникает при очень сильном из-мельчении ферромагнитных образцов, когда размеры частиц становятся меньше определенного для каждого вещества так называемого критического размера (критический размер ко-леблется в пределах от десятых долей до единиц микрометра). Магнитотвердые материалы с однодоменной структурой полу-чают прессованием тонко измельченного магнитного порошка в сильном магнитном поле.
Второй путь создания высококоэрцитивных материалов состоит в получении заведомо неоднородной структуры в ма-териале с заданным распределением различных дефектов (включений немагнитной или слабомагнитной фаз, выделений различных фаз по границам зерен, вакансий, дислокаций). Де-фекты повышают коэрцитивную силу при наличии большой магнитной кристаллографической анизотропии материала, от которой зависит энергия доменных границ и величина потен-циального барьера, преодолеваемого границей при ее переме-щении. Такие материалы с кристаллической текстурой полу-чают на основе сплавов определенного химического состава (например, сплав на основе Fe-Ni-Al) при оптимальной терми-ческой обработке. Высокое значение коэрцитивной силы дос-тигается в сплавах, содержащих кобальт, при охлаждении их в сильном магнитном поле. При этом образуется магнитная тек-стура в виде пластинчатой сильномагнитной фазы, которая ориентируется своими осями легкого намагничивания в на-правлении поля.
По применению магнитотвердые материалы подразделя-ются на материалы для постоянных магнитов и материалы для записи и хранения аудио- и видеоинформации.
Постоянные магниты имеют рабочий воздушный зазор, т. е. магнитная цепь в них разомкнута. Магнитный поток в за-зоре возникает после предварительного намагничивания мате-риала в сильном магнитном поле в процессе изготовления по-стоянного магнита. Свойства магнитотвердого материала ха-рактеризуются кривой размагничивания І (рис. 3.21, а), которая является участком предельной петли гистерезиса. В постоян-ном магните за счет полюсов (рис. 3.21, б) создается внутрен-нее размагничивающее поле Hd, которое уменьшает индукцию внутри магнита до значения Bd.





а) б)

Рис. 3. 21. Схематическое изображение кривой размагни-чивания I и магнитной энергии II в воздушном зазоре (а) по-стоянного магнита (б)

В соответствии с законом полного тока ( Hdl=0), который справедлив для любого контура интегрирования

Hd ld – Ho lo = 0 или Hd ld = Ho lo, (3.39)

где Hd, Ho – напряженность магнитного поля в магнитопроводе и в зазоре соответственно; ld, lo - длина магнита и воздушного зазора.
Важным параметром для постоянных магнитов является максимальная энергия в воздушном зазоре

Эо = ( Во. Но/2) Vо, (3.40)

где Vo = lo. So без учета потока рассеяния в воздушном про-странстве вне зазора.
Пренебрегая потоком рассеяния и учитывая, что линии магнитной индукции непрерывны, запишем

Bo SO = Bd Sd . (3.41)

Из выражений (3.40 – 3.41) следует

Эо = (Bd Hd/2) Vd, (3.42)

где Vd = ld Sd.

Удельная магнитная энергия, отнесенная к единице объ-ема постоянного магнита, равна:

Эd = Эo / Vd = Bd Hd /2. (3. 43)

Удельная магнитная энергия в воздушном зазоре (кривая II на рис. 3.21, а) определяет положение рабочей точки на кри-вой размагничивания (кривая I на рис. 3.21, а). Величина удельной магнитной энергии зависит от размеров магнита и величины зазора. При этом чем меньше длина магнита и боль-ше зазор, тем больше размагничивающее поле полюсов и меньше Вd. В замкнутом магните Bd = Br и энергия равна ну-лю, так как Нd = 0. Если зазор между полюсами очень велик (постоянный магнит в виде стержня в предельном случае), то энергия при этих условиях также стремится к нулю, так как Вd=0, а Н = Нс.
Графически энергию Эd в определенном масштабе можно представить площадью прямоугольника со сторонами Нd, и Вd. Из рис. 3.21, а видно, что максимальная магнитная энергия Эm будет иметь значение при НD, ВD (на рисунке прямоугольник заштрихован):

Эm = ЭD = Вd. Нd/2. (3.44)

Значение максимальной энергии определяет наиболее оптимальное использование постоянного магнита и является важной характеристикой магнитотвердого материала.
Основными параметрами магнитотвердых материалов, которые приводятся в справочной литературе /3/, являются: максимальная удельная мощность Эm, которая находится в пределах 1 – 100 кДж/м3 ; коэрцитивная сила Нс (4 – 500 кА/м); остаточная магнитная индукция Вr (0,17 – 1,25 Тл).
Легированные мартенситные стали. Эти стали явля-ются наиболее дешевыми материалами для изготовления по-стоянных магнитов, однако их остаточные магнитные свойства невысоки. Величина Вd Hd для этих сталей находится в преде-лах 2.103 – 8.103 Тл А/м, что составляет величину удельной магнитной энергии 1 – 4 кДж/м3.
Литые высококоэрцитивные сплавы. Это сплавы на основе системы Аl – Ni – Fe, которые раньше называли альни, имеют Нс на порядок выше, чем в мартенситных сталях – Нс в этих сплавах достигает 40 – 145 кДж/м, а Вr = 0,5 – 1,4 Тл. В системе Al – Ni – Fe одна из фаз, образующаяся в результате распада твердого раствора, по составу близка чистому железу и является сильномагнитной. Эта фаза имеет форму пластинок или стержней однодоменной толщины. Другая фаза состоит из алюминия и никеля и оказывается слабомагнитной; эта фаза препятствует вращению магнитных моментов доменов. При добавлении кобальта, меди, кремния, ниобия, титана (в марках сплавов они обозначаются буквами К, Д, С, Б, Т соответствен-но) в эти сплавы повышаются их магнитные свойства, облегча-ется технология изготовления, улучшается повторяемость па-раметров и повышаются механические характеристики.
Сплав альни с добавкой кремния называют альниси, сплав с кобальтом – альнико, сплав альнико с 24о/о кобальта – магнико. Введение меди в эти сплавы позволяет производить не только обработку шлифовкой и электроискровым методом, но и резанием с помощью победитовых резцов.
Все эти сплавы маркируются начальными буквами и цифрами после легирующих элементов, обозначающих про-центное содержание их. Если в конце марки стоят буквы АА, то это сплав монокристаллической структуры. Например, сплав марки ЮНДК4 помимо определенного содержания алюминия, никеля и железа содержит 4 о/о Cu, сплав ЮНДК24 – 24 о/о Co.
Улучшенные магнитные свойства этих материалов полу-чают специальной термомагнитной обработкой после литья, в результате которой магниты становятся магнитоанизотропны-ми. Применение термомагнитной обработки особенно эффек-тивно для сплавов с большим содержанием кобальта.
Недостатком этих сплавов являются плохие механиче-ские свойства (высокая твердость, хрупкость), что осложняет механическую обработку их.
Магниты из порошков. Кроме литых железо – никель – алюминиевых сплавов применяются магнитные порошки, на основе которых изготавливают постоянные магниты. При этом бывают металлокерамические и металлопластические магни-ты.
Металлокерамические магниты получают методом по-рошковой металлургии из измельченных тонкодисперсных магнитотвердых сплавов. Мелкие детали по такой технологии получаются с высокой точностью и не требуют дальнейшей механической обработки. Промышленность выпускает метал-лопорошковые магнитотвердые материалы марок ММК-1, ММК-6, ММК-11 и др. с Нс от 24 до 128 кА/м и Br от 0.48 до 1,1 Тл.
Металлопластические магниты изготавливают анало-гично деталям из термореактивных пластмасс, наполнителем которых является мелко измельченный порошок магнитотвер-дого сплава, а связкой органические смолы. Эти магниты име-ют меньшее значение коэрцитивной силы на 10 – 15 о/о и оста-точной магнитной индукции на 35 – 50 о/о, но они обладают большим удельным сопротивлением, что позволяет применять их в аппаратуре с наличием переменного магнитного поля.
Металлопорошковые магниты выгодны при массовом ав-томатизированном производстве, сложной конфигурации и не-больших магнитов.
Магнитотвердые ферриты. Наиболее известными маг-нитотвердыми ферритами являются бариевые (BaO.Fe2O3), стронциевые (SrO.Fe2O3) и кобальтовые (CoO.Fe2O3) ферриты. Технология изготовления магнитотвердых ферритов подобна технологии изготовления магнитомягких ферритов.
Бариевые ферриты выпускаются двух видов: изотроп-ные (БИ) и анизотропные (БА). При изготовлении анизотроп-ных ферритов прессование ведется в ориентированном маг-нитном поле. Бариевые ферриты характеризуются высокой стабильностью в отношении воздействия внешних магнитных полей и не боятся тряски и ударов. Удельное электрическое сопротивление бариевых ферритов составляет 104 – 107 Ом/м, т. е. в 106 выше литых металлических магнитотвердых сплавов, поэтому их можно использовать и на высоких частотах. По стоимости они почти в 10 раз дешевле магнитов из ЮНДК24. Недостатком их является низкая механическая прочность, большая хрупкость и сильная зависимость магнитных свойств от температуры; они обнаруживают необратимое изменение магнитных свойств при охлаждении ниже – 60 оС.
Стронциевые ферриты по физическим и магнитным свойствам подобны бариевым ферритам, но они характеризу-ются лучшей технологичностью в изготовлении.
Кобальтовые ферриты отличаются от бариевых более высокой температурной стабильностью, но стоимость их вы-ше.
В табл.3.10 приведены основные магнитные параметры некоторых марок магнитотвердых ферритов. Цифра вначале маркировки обозначает значение максимального энергетиче-ского произведения (BH)max в кДж/м3, цифра в конце марки-ровки – значение Нс по намагниченности. Буквы в середине марки обозначают: БИ – феррит бария изотропный; БА – фер-рит бария анизотропный; РА – смешанный барий – стронцие-вый анизотропный; СА – феррит стронция анизотропный; КА – феррит кобальта анизотропный.
Сплавы на основе редкоземельных элементов. В связи с миниатюризацией радиоэлектронных средств необходимы магнитотвердые материалы с наибольшей коэрцитивной силой и удельной магнитной энергией.
Таблица 3.10
Магнитные свойства некоторых марок
магнитотвердых материалов

Марка Br, Тл Нс, кА/м Эм, кД/м3
Литые высоко-коэрцитивные сплавы
ЮНДК4
ЮНДК24
Магнитотвердые ферриты
4БИ145
7БИ300
19БА260
28СА250
11КА135
14КА135
Соединения на основе редкозе-мельных метал-лов
КС37
КС37А
КСП37
КСП37А


0,5
1,25


0,17
0,20
0,33
0,39
0,24
0,28



0,77
0,82
0,85
0,90


40
40


95
135
225
240
127
127



540
560
520
500


3,6
18,0


2,0
3,5
9,5


Понравилось: 32 пользователям

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:17 + в цитатник
Твердые растворы соединений АIVВVI представляют наи-больший интерес для создания приборов длинноволнового оп-тического диапазона. Твердые растворы на основе халькогени-дов свинца используются для изготовления фотоприемников с высокой спектральной чувствительностью в диапазоне «атмо-сферного окна» 8-14 мкм, которое соответствует максимуму излучения абсолютно черного тела при 300 К. Перспективно использование твердых растворов Pb1-xSnxТe для инжекцион-ных лазеров с излучением в спектральном диапазоне до 30 мкм. Это значение соответствует максимальной длине волны излучения для полупроводниковых лазеров.


2.10. Перспективные полупроводниковые материалы

Аморфные полупроводники можно разделить на три группы.
1. Аморфные твердые тела с тетраэдрическими связями, такие, как кремний, германий, соединения AIIIBV. Эти полу-проводники в аморфном состоянии нельзя получить путем ох-лаждения расплава. Их получают в виде тонких пленок раз-личными методами осаждения (термическое испарение в ва-кууме, катодное напыление и т.д.). Свойства этих материалов в основном подобны свойствам кристаллических аналогов.
2. Халькогенидные стекла- некристаллические вещества, содержащие атомы халькогенидов серы, селена, теллура, полу-чаемые в результате охлаждения расплава. Они в основном нечувствительны к примесям, обладают симметричными вольтамперными характеристиками, претерпевают различные структурные изменения.
3. Стекла, основным компонентом которых являются элементы V группы периодической таблицы. По своим свойст-вам эта группа аморфных полупроводников занимает проме-жуточное положение между халькогенидными стеклами и аморфными полупроводниками с тетраэдрическими связями.
Аморфные полупроводники образуют класс материалов с большим разнообразием физических свойств. Относительно слабая чувствительность к посторонним примесям позволяет использовать для их изготовления более простые и дешевые методы по сравнению с выращиванием монокристаллов. Это дает основание утверждать, что применение аморфных полу-проводников будет еще более широким. В настоящее время наиболее перспективными областями использования аморф-ных полупроводников являются следующие.
Производство солнечных батарей – устройств для прямо-го преобразования солнечного излучения в электроэнергию. Основным материалом, используемым для производства сол-нечных батарей, является кремний. Однако высокая стоимость изготовления совершенных высокочистых кристаллов кремния является серьезным препятствием к тому, чтобы солнечные ба-тареи на основе кристаллического кремния нашли широкое распространение. Значительные перспективы в этом отноше-нии открывает применение аморфного кремния. Кроме более дешевой технологии существует еще ряд преимуществ, свя-занных с заменой кристаллического кремния на аморфный. К ним относятся, например, возможность получения аморфного кремния в виде тонких слоев большой площади, повышенная радиационная стойкость, возможность изготовления батарей на гибких подложках и т.д.
Электрофотография (ксерография) – процесс, в котором используются фотопроводящие свойства селенового стекла. На основе трехслойных композиций таких стекол созданы аппара-ты для цветного копирования. В них с помощью цветных фильтров и красителей можно очень быстро получать цветные копии цветных оригиналов.
Переключающие и запоминающие устройства на основе халькогенидных стекол находят широкое применение при про-изводстве ЭВМ. В халькогенидных стеклах существует два ро-да переключения. При пороговом переключении приложение к стеклу напряжения выше порогового приводит к увеличению проводимости полупроводника примерно в миллион раз (со-стояние «включено»). Если напряжение уменьшается до точки возврата, то стекло вновь переключается в состояние с малой проводимостью. Это соответствует состоянию «выключено».
Переключение с запоминанием реализуется в стеклах с другими свойствами. При достижении порогового напряжения здесь происходит переключение в проводящее состояние. Это состояние сохраняется в стекле, даже если приложенное на-пряжение падает до нуля. Состояние «выключено» достигается после пропускания определенного импульса тока. Переключе-ние с запоминаем наблюдается в стеклах, которые могут срав-нительно легко кристаллизоваться. Когда напряжение достига-ет порогового значения, в этих материалах образуются тонкие нити кристаллического вещества, которые и делают возмож-ным запоминание. При пропускании подходящего импульса тока кристаллическая нить расплавляется и восстанавливается однородное стеклообразное состояние. Таким образом, пере-ключение с запоминанием есть следствие перехода между аморфным и кристаллическим состояниями.
В некоторых аморфных полупроводниках переход в вы-сокопроводящее состояние может быть осуществлен под дей-ствием света. Из материалов с таким запоминанием переклю-чением можно изготовить постоянную матрицу и сделать из нее неограниченное число электрофотографических отпечат-ков без необходимости добавочного экспонирования. Вообще, одной из наиболее перспективных областей использования аморфных полупроводников является получение изображения.
Оптоэлектроника. Несмотря на определенную дефект-ность, аморфные материалы достаточно широко используются в оптоэлектронике. Одним из достоинств аморфного гидриро-ванного кремния (a-Si:H) помимо достаточно экономичной технологии его изготовления является возможность формиро-вать структуры a-Si:H на различных подложках, включая стек-ло, кварц, металл, подложки кристаллического кремния и т.д. Процесс проводится при достаточно низкой температуре (200-300 0С), что обеспечивает возможность неразрушающей инте-грации датчиков на основе a-Si:H на активных подложках Si, способных осуществлять обработку сигнала. На основе аморф-ного кремния изготавливают мультиспектральные униполяр-ные фотодиоды, эффект насыщения фототока в которых не проявляется даже при уровне засветки 100000 люкс.
Функциональные возможности Si как оптоэлектронной среды могут быть существенно расширены за счет интеграции кремниевых структур со структурами на основе других мате-риалов, как это имеет место, например, в случае структур AIIBVI/SiO2/Si. Другим интересным примером является инте-грация фоточувствительных структур a-Si:H в оптически управляемых жидкокристаллических пространственных моду-ляторах света, предназначенных для использования в различ-ных системах обработки, нейронных сетях, системах распозна-вания образов, в высокоскоростной голографии.
Люминесцентные органические материалы. Стоимость дискретных светоизлучающих диодов на основе нитрида гал-лия и его твердых растворов по-прежнему остается достаточно высокой, что затрудняет их применение в экономичных систе-мах отображения информации. Вместе с тем указанные типы систем представляют большой интерес, так как остается акту-альной проблема разработки экономичной технологии нового поколения плоских многоэлементных экранов с высоким раз-решением и малым энергопотреблением с использованием аль-тернативных жидким кристаллам оптоэлектронных сред. В связи с этим интенсивно исследуется возможность применения в качестве таких альтернативных сред электролюминесцент-ных структур на основе органических материалов. В настоящее время для получения светодиодов на основе органических ма-териалов в качестве базового материала используется полифе-ниленвинилен (PPV), обеспечивающий эффективную электро-люминесценцию в зеленой области спектра.
В качестве одного из возможных вариантов для реализа-ции светодиодов синего свечения могут быть использованы структуры, которые содержат последовательно сформирован-ные на стеклянной подложке слой нижнего прозрачного элек-трода на основе окиси индия-олова, слой переноса дырок тол-щиной 50-100 нм на основе политрифениламина (PTA), актив-ный люминесцентный слой толщиной 25-50 нм на основе 1,2,4-триазола (DA-BuTAz), слой верхнего контакта на основе Mg:Ag.
Спектры поглощения образующих структуру органиче-ских слоев содержат максимумы в фиолетовой и УФ-областях. Даже при малом уровне возбуждения структуры обладают дос-таточно интенсивной широкополосной фотолюминесценцией (ФЛ) в синей области спектра. Интересной особенностью спек-тров ФЛ органических материалов является очень слабая тем-пературная зависимость спектрального положения и формы полос люминесценции. Как физический объект органические материалы могут рассматриваться как органические полупро-водники с неупорядоченной структурой, которая вызывает размытие резких особенностей зонной структуры, локализо-ванных состояний и формирование зон экситонных состояний. Органические материалы могут обладать высоким квантовым выходом люминесценции (>80%), что, по-видимому, объясняет слабую температурную зависимость интегральной интенсив-ности ФЛ.
Оценка светотехнических характеристик индикаторов на основе полимерных структур показывает, что даже в диапазоне сверхмалых токов их светоотдача превышает 1 люмен/Вт, при этом этот параметр возрастает с увеличением тока. По своим светотехническим параметрам индикаторы и светодиоды на основе полимерных структур соответствуют сверхъярким при-борам на основе GaN, а по совокупности характеристик их можно рассматривать, как органические аналоги светодиодов на основе GaN.
Гибридные полимерно–твердотельные материалы. По многим оптическим характеристикам органические полупро-водники, рассмотренные выше, являются аналогами твердых растворов InGaN. При этом комбинация обоих типов материа-лов в одном гибридном приборе может приводить к расшире-нию его функциональных возможностей. Использование этого подхода привело к разработке гибридных полимерно-твердотельных светодиодов. Приборы этого типа способны обеспечить реализацию широкой световой гаммы электролю-минесценции (ЭЛ) за счет возбуждения собственной ФЛ в ор-ганическом люминофоре излучением твердотельного кристал-ла на основе широкозонных нитридов. При этом в качестве ис-точника первичного излучения могут быть использованы кри-сталлы как на основе твердых растворов InGaN, так и на осно-ве гомоструктур GaN.
Конструкция прибора содержит несколько основных эле-ментов: рамочное основание с выводами и рефлектором, кри-сталл светодиода, органический люминофор и внешнюю кор-пусную линзу. Для изготовления гибридного светодиода не-большое количество органического материала растворяется в эпоксидной смоле и помещается в рефлектор основания вместе с кристаллом. Для реализации собственной ФЛ зеленого цвета могут использоваться ароматические амины с высокой эффек-тивностью ФЛ. Типичным примером такого вещества является 4 –диметиламинохалкон (DMAC) с полосой поглощения при λ = 450 нм и ФЛ в зеленой области спектра (λ = 510 нм). Для реализации широкополосного излучения в красно-оранжевой области спектра может использоваться такой материал, как красный нильский (NR) с полосой поглощения при λ = 500 нм и полосой ФЛ вблизи 600 нм. В конструкции прибора может ис-пользоваться также и двухслойное люминофорное покрытие. Сила света гибридных светодиодов, как правило, выше чем у светодиодов синего цвета свечения без люминофора.
Перспективные структуры на основе кремния. Крем-ний был и остается основным материалом микроэлектроники. Однако у кремния малая эффективность собственной излуча-тельной рекомбинации, что связано с непрямым характером его зонной структуры. Эта проблема наряду с задачами разра-ботки специализированных интегральных схем (ИС) с улуч-шенными характеристиками скорости обработки информации и повышенной устойчивостью к воздействию дестабилизи-рующих факторов явилась стимулом для дальнейшего разви-тия кремниевой технологии и поиска новых структур на основе кремния, а именно структур кремния на сапфире (КНС), крем-ния на изоляторе (КНН) и квантово-размерных структур на основе кремния.
Структура на основе кремния на сапфире (КНС) была предложена с целью создания материала, обеспечивающего высокое быстродействие и малую мощность потребления ИС на основе комплементарных структур металл/ окисел/ полу-проводник (КМОП). Первоначальная технология характеризо-валась достаточно высокой дефектностью структур, в послед-нее время разработана технология ультратонкого кремния на сапфире (UTSi), уменьшающая плотность дислокаций.
С точки зрения использования в ИС преимущества КМОП- технологии на основе КНС таковы:
уменьшение паразитных емкостей из-за использования изолирующей подложки, что обеспечивает увеличение быст-родействия и уменьшение искажений;
улучшение линейности, возможность использования меньших напряжений;
высокий уровень развязки и уменьшение уровня помех благодаря изолирующим свойствам подложки;
величина максимальной частоты Fmax по сравне-нию с предельной частотой усиления по току; технология КМОП КНС с разрешением 0.5 мкм способна обеспечить дос-тижение Fmax=50 ГГц, что превышает аналогичный параметр для приборов, получаемых по КМОП-технологии на объемном кремнии с разрешением 0.13 мкм;
благодаря изолирующим свойствам подложки возможна интеграция высокодобротных пассивных элементов (емкостей и индуктивностей), что позволяет создавать высококачествен-ные настраиваемые элементы и резонансные контуры;
в связи с тем, что основой ИС КНС являются полевые КМОП-транзисторы, эти устройства обладают меньшим уров-нем синфазного шума по сравнению с биполярными транзи-сторами;
высокая чувствительность ИС на основе КМОП КНС к воздействию дестабилизирующих факторов, что делает воз-можным их использование в наиболее неблагоприятных усло-виях.
Возможные оптоэлектронные применения КНС-структур ориентированы, в основном, на фотоэлектронику. С учетом достижений в области разработки ИС на основе КМОП КНС особый интерес представляют фотоэлектрические приборы, совместимые с технологией КМОП КНС. Спектральные харак-теристики КНС-фотодиодов (ФД) смещены в коротковолно-вую область спектра, при этом варьированием толщины слоя кремния можно добиться существенного увеличения чувстви-тельности в УФ-области спектра. Максимальная фоточувстви-тельность этих приборов в синей области спектра составляет 0.1 - 0.15 А/Вт.
В связи с проблемой создания высокочувствительных сенсоров особый интерес представляют полевые фототранзи-сторы (ПФТ) по технологии КМОП КНС. Максимальные зна-чения фоточувствительности ПФТ зависят от режима работы и геометрии прибора, при этом для излучения в красной области спектра этот параметр может достигать 102 - 104 А/Вт.
Структуры кремния на изоляторе (КНИ). Рассмотренные выше структуры КНС относятся к частному случаю структур кремния на изоляторе. Тем не менее, исторически так сложилось, что под аббревиатурой КНИ понимают структуры с активными слоями кремния на поверхности SiO2 или более сложные структуры, включающие сочетание Si/SiO2. К настоящему времени разработан ряд технологических вариантов получения структур КНИ. К их числу относится метод SIMOX, когда в монокристалле кремния формируется слой SiO2 в результате имплантации ионов О2 с большой дозой, метод BESOI, основанный на электрохимическом (или химическом) утоньшении пластин n-SiO2 с заданным заранее на оперделенной глубине стоп-слоем (например, на основе p-Si),метод ELTRAN,основанный на формировании монокристаллического слоя на пористом кремнии, метод формирования КНИ с использованием лазерной рекристалли-зации.
Существенным для всех методов является формирование тонких слоев кремния на изолирующем слое SiO2, что во мно-гом определяет функциональные характеристики этих струк-тур, которые в микроэлектронных применениях во многом аналогичны КНС-структурам. Подобно тому, как на основе КНС разработаны ФД, чувствительные в коротковолновой об-ласти спектра, аналогичные приборы, чувствительные в синей и УФ-области спектра, могут быть разработаны и на основе КНИ. Особый интерес представляют высокочувствительные фотоприемники на основе ПФТ, которые исторически первы-ми были разработаны на основе КНИ, фоточувствительность этих приборов в синей области спектра достигает 10³ А/Вт.
Квантово-размерные структуры на основе кремния. Попытки преодолеть одно из основных ограничений кремния как оптоэлектронной среды, а именно отсутствие эффективной собственной люминесценции, привели к обнаружению достаточно эффективной люминесценции в пористом кремнии (PS). В основе технологии получения PS лежит электрохимическое окисление монокристаллического кремния в концентрированных растворах плавиковой кислоты. Реакция формирования PS сильно зависит от типа и уровня легирования кремния, его пористость, определяемая как процентное содержание пустот в материале, варьируется в пределах от 5 до 85%. При этом размеры пор очень малы (их радиусы изменяются от 1 до 100нм в зависимости от типа и уровня легирования, а также от параметров электролиза). С материаловедческой точки зрения PS может рассматриваться как квантово-размерная структура с топологическим беспорядком.
Характерной особенностью PS является то, что он обла-дает яркой ФЛ в видимой области спектра при комнатной тем-пературе с эффективностью 0,1 - 0,2 %, при этом длиной волны в максимуме можно управлять в диапазоне от 800 до 650 нм за счет увеличения пористости.
Первые светоизлучающие диоды на основе PS с пористой конструкцией, реализованной напылением металла на поверх-ность активного слоя, обладали далеко не идеальными харак-теристиками. В последнее время достигнут определенные про-гресс в технологии светодиодов на основе PS, который позво-лил увеличить квантовый выход ЭЛ до 0,1 %. Помимо актив-ных оптоэлектронных элементов на основе PS может быть из-готовлен целый ряд пассивных интегрально-оптических ком-понентов, в частности, дифракционные решетки, узкополосные оптические фильтры и т.д.
Перспективные углеродные структуры. Кристалличе-ский алмаз по совокупности свойств является одним из лучших материалов электронного приборостроения. Он обладает ис-ключительной теплопроводностью (в 5 раз превышающей теп-лопроводность меди). Высокая радиационная стойкость алмаза используется в ядерной технике при разработке приборов для контроля параметров жестких излучений. Его химическая стойкость является основой для решения ряда космических и специальных задач. И, наконец, алмаз востребован и для целей биосенсорики. Основные параметры алмаза как полупроводни-ка в сравнение с кремнием и арсенидом галлия приведены в таблице 2.7, структура алмаза представлена на рис. 2.10.
В зависимости от содержания примеси азота и состояния, в котором он находится в кристалле, алмазы классифицируют-ся следующим образом:
тип Ιa, для которого концентрация связанного или меж-доузельного азота составляет 4000 – 4500 ррш;
тип Ιb, в котором азот (500 ррш) находится в виде меж-доузельных дефектов;
тип ΙΙa с очень низким содержанием азота;
тип ΙΙb, обладающий проводимость р-типа.


Таблица 2.7.
Основные свойства алмаза, кремния, арсенида галлия.

Свойства Алмаз Кремний GaAs
Постоянная решетки Е 3,567 5,431 5,653
Плотность, кг/м³ 3520 2420 5320
Теплопроводимость, Вт/м•к 2000-2500 150-200 50
Диэлектрическая постоянная 5,68 11,7 10,9
Коэффициент преломления 2,41 3,44 3,75
Ширина запрещенной зоны, эВ
5,47
1,11
1,43
Подвижность электронов,
м²/(В•с)
0,18
0,135
0,86
Подвижность дырок, м²/(В•с) 0,21 0,045 0,04
Электрич. прочность, В/м .107 100 3 4

Природный алмаз уже востребован электроникой. На ос-нове алмаза типа ΙΙa разработаны детекторы ионизирующих излучений АДИИ-1 и АДИИ-2 с энергетическим и временным разрешением соответственно 100 МэВ и 2,5 нс. На основе это-го же типа алмаза разработаны высокочувствительные фото-приемники диапазона 180 – 230 нм с фоточувствительностью > 0,03 А/Вт, темновым током < 0,1 пА и постоянной времени 10-9 -10-10 с.
Для полного использования уникальных свойств алмаза в перспективных изделиях микроэлектроники необходима раз-работка технологии синтеза структурно-совершенных алмаз-ных пленок. В связи с этим на первый план выходит проблема выбора подложки при гетероэпитаксии алмаза. Одним из воз-можных путей решения этой проблемы является формирование буферного слоя на основе фуллеренов.
Фуллерены представляют собой семейство углеродных соединений с общей формулой Сn. Структура молекул фулле-ренов представляет собой полые нанокластеры сферической формы (рис. 2.21).

Рис. 2.21. Структура молекул фуллеренов C60(a), C70(б), однослойной (в) и многослойной (г) нанотрубок.

Ширина запрещенной зоны наиболее широко используемого фуллерена C60 составляет 1,5 эВ, при этом его свойства во многом аналогичны свойствам других полупроводников. На основе этих материалов уже получены полевые транзисторы, солнечные элементы и фоторезисторы. Однако, по-видимому, наиболее перспективная область применения фуллеренов нелинейно-оптические приборы.
Еще одним чрезвычайно интересным представителем уг-леродных полупроводниковых материалов являются углерод-ные нанотрубки - протяженные цилиндры, образованные свер-нутыми графитовыми листами. Особенностью таких нанотру-бок является зависимость их проводимости от диаметра и хи-ральности (угла ориентации графитовой плоскости относи-тельно оси нанотрубки, т.е. степени «закрученности»). Эта структура характеризуется возможностью изменения ширины запрещенной зоны в интервале от 0 до 1 эВ, что, естественно сопровождается изменением характера проводимости от ме-таллического до полупроводникового. Это, в свою очередь, от-крывает широкие возможности для проектирования и реализа-ции микроэлектронных приборов нового поколения. Большая кривизна поверхности нанотрубок обеспечивает эффективную электронную эмиссию, что имеет важное значение для опто-электроники, в частности для разработки нового поколения плоских матричных дисплеев с холодным катодом.

Вопросы для самопроверки

1.Какие вещества называются полупроводниками? В чем заключается особенность их свойств?
2. Какие функции выполняют полупроводниковые мате-риалы в РЭС?
3. Как классифицируются полупроводниковые материалы по структуре и по составу?
4.Какие полупроводники называют собственными, а ка-кие примесными? Какие примеси являются донорными, а ка-кие акцепторными? Приведите примеры.
5.Какие полупроводники называются электронными, ка-кие дырочными? Дайте определение основных и неосновных носителей заряда.
6.Что такое ширина запрещенной зоны, в каких единицах она измеряется? Как влияет ширина запрещенной зоны на рабочую температуру ПП изделия?
7. Что такое подвижность и концентрация носителей за-ряда? Как влияет подвижность носителей на частотные свойст-ва ПП изделия?
8. Объясните температурную зависимость удельной про-водимости полупроводников?
9. Как влияет деформация на проводимость полупровод-ников? Что такое тензочувствительность?
10. В чем заключается сущность эффекта Ганна?
11. Что такое люминесценция, какие вещества называют люминофорами?
14. Назовите основные свойства кремния, его достоинст-ва и области применения. Какими методами получают моно-кристаллы высокоомного и низкоомного кремния?
15. Какой кремний с точки зрения содержания дефектов применяют для получения эпитаксиальных структур?
16. Назовите основные свойства германия, его недостатки и достоинства, область применения и методы получения.
17. Назовите основные свойства карбида кремния, какими методами его получают? Назовите основные области примене-ния SiC, в чем его преимущество перед элементарными полу-проводниками?
18. Какие элементы образуют полупроводниковые соеди-нения AIIIBV? Какой тип химической связи и структуры для них характерен?
19. Каковы основные свойства соединений AIIIBV и осо-бенности методов их получения? Назовите область примене-ния AIIIBV. В чем преимущество полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия по сравнению с кремниевыми и германиевыми?
20. Чем обусловлен интерес к твердым растворам полу-проводниковых соединений AIIIBV?
21. Что называют гетеропереходом? Какие материалы среди полупроводников AIIIBV являются лучшими для создания гетеропереходов? Какие материалы используются для изготовления инжекционных лазеров и светодиодов?
22. Какие материалы относят к полупроводниковым со-единениям AIIBVI, каковы их основные свойства и особенно-сти? Укажите области их применения.
23. Какие вещества включают в себя полупроводниковые соединения A1VBV1? Какова их структура и основные свойства, в чем проявляется аномалия некоторых свойств? Какие полу-проводниковые приборы разрабатываются на основе соедине-ний A1VBVI и их твердых растворов?
24. Какие перспективные полупроводниковые материалы вы знаете? Укажите области их потенциального применения.

3. МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Любое вещество, помещенное во внешнее магнитное поле, приобретает магнитный момент М. Магнитный момент единицы объема V вещества называют намагниченностью Jм: Jм = М/V.
Магнитные материалы – это материалы способные за-метно изменять свою намагниченность при воздействии на не-го внешнего магнитного поля. Влияние напряженности внеш-него магнитного поля на намагниченность определяется выра-жением

Jм = kм Н, А/м, (3.1)

где Н – напряженность внешнего магнитного поля (А/м); kм – безразмерная величина, характеризующая способность данного вещества намагничиваться в магнитном поле и назы-ваемая магнитной восприимчивостью.
Магнитная индукция в веществе, находящемся во внеш-нем магнитном поле, определяется алгебраической суммой ин-дукции внешнего Во и внутреннего Вi полей

В = Во + Вi = µоН + µоJм, (3.2)

где µо = 4π 10-7 Гн/м – магнитная постоянная в системе СИ.
Подставляя выражение (3.1) в (3.2) получим

В = µоН + µоkмН = µо(1 + kм)Н, (3.3)

где µ = 1 + kм – статическая относительная магнитная про-ницаемость, показывающая во сколько раз магнитная индук-ция В поля в данной среде больше, чем магнитная индукция Во в вакууме.
Заменяя значение µ = 1 + kм в формуле (3.3) получим выражение, связывающее напряженность магнитного поля с индукцией магнитного поля B в веществе, измеряемое в теслах (Тл)

В = µоµ Н1Т. (3.4)

Тогда значение статической относительной магнитной проницаемости µ определяется выражением

µ = В/µо . (3.5)


3.1. Классификация веществ по магнитным свойствам

По реакции на внешнее магнитное поле и характеру внутреннего магнитного упорядочения все вещества можно подразделить на пять групп: диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики и ферримагнетики. Пе-речисленным пяти группам веществ соответствуют следующие типы магнитного состояния: диамагнетизм, парамагнетизм, ферромагнетизм, атиферроманетизм и ферримагнетизм.
Диамагнетики – это вещества, у которых магнитная восприимчивость kм отрицательно и не зависит от напряжен-ности внешнего магнитного поля Н. Диамагнитный эффект яв-ляется результатом воздействия внешнего магнитного поля на молекулярные токи и проявляется в том, что возникает маг-нитный момент, направленный в сторону, противоположную внешнему полю. Следовательно магнитная восприимчивость kм отрицательна, по величине она мала (kм ≈ -10-5) и в боль-шинстве случаев не зависит от напряженности поля.
Из формулы (3.1) следует, что намагниченность диамагнетиков носит отрицательный характер и линейно возрастает с увеличением напряженности внешнего поля Н (рис. 3.1 а). Магнитные моменты отдельных атомов Мi ориентированы в пространстве произвольно, но суммарный магнитный момент вещества в целом противоположен направлению внешнего магнитного поля, ослабляя его. Так как магнитная восприимчивость является отрицательной величиной, то магнитная проницаемость меньше единицы. Поскольку диамагнетики намагничиваются в направлении, противоположном внешнему магнитному полю, то они выталкиваются из этого поля.





Рис. 3.1. Зависимость намагниченности Jм от напряжен-ности поля Н: а – для диамагнетиков (1) и для парамагнетиков (2) при не слишком сильных полях и при обычных и высоких температурах; б – для парамагнетиков при низких температу-рах или очень сильных полях

К диамагнетикам относятся: инертные газы, водород, азот, многие жидкости (вода, нефть и ее производные), ряд ме-таллов (медь, серебро, золото, цинк, висмут, ртуть, галлий и др.), большинство полупроводников (кремний, германий, со-единения АIII, BV, AIIBIV и др.), органические соединения, ще-лочно-галоидные кристаллы, неорганические стекла и др.
Диамагнетизм существует во всех веществах, независимо от структуры их атомов и видов связи. Однако, в чистом виде, этот эффект проявляется только в тех веществах (диамагнетиках), в которых имеет место полная взаимная компенсация как орбитальных, так и спиновых магнитных моментов. Для веществ, в которых собственный суммарный магнитный момент атомных образований не равен нулю, на диамагнетизм накладывается значительно больший по величине нескомпенсированный магнитный момент электронов. В этом случае наблюдаются другие типы магнитного состояния, подавляющие диамагнетизм.
Парамагнетики – это вещества, из которых магнитная восприимчивость |k| ≤ 1, но она положительна и при комнат-ной температуре составляет 10-2 – 10-5. Поэтому магнитная проницаемость парамагнетиков незначительно отличается от единицы. Намагниченность парамагнетиков характеризуется линейной зависимостью (рис. 3.1 а) в области небольших маг-нитных полей при высоких температурах. В сильных полях при низких температурах Jм (Н) асимптотически приближается к предельному значению Js, соответствующему магнитному насыщению парамагнетиков (рис. 3.1 б).
Парамагнитный эффект наблюдается в веществах атомы которых, как правило, имеют нечетное число электронов с не-скомпенсированными спинами или с нескомпенсированными орбитальными моментами количества движения. В отсутствие внешнего магнитного поля векторы магнитных моментов под действием тепловой энергии распределены хаотично, в ре-зультате чего магнитный момент парамагнетика равен нулю (рис. 3.2 а).


а) б) в) г)

Рис. 3.2. Схематическое изображение магнитных момен-тов атомов в парамагнитных (а), ферромагнитных (б), анти-ферромагнитных (в) и ферримагнитных веществах (г)

Под действием внешнего магнитного поля возникает направление преимущественной ориентации магнитных моментов, совпадающее с направлением поля, т.е. появляется положительная намагниченность. Тепловая энергия противодействует созданию магнитной упорядоченности. Поэтому парамагнитная восприимчивость сильно зависит от температуры. Для большинства твердых парамагнетиков магнитная восприимчивость выражается законом Кюри

kм = С/Т, (3.6)

где С – постоянная Кюри; Т – абсолютная температура, К.
К числу парамагнетиков относятся кислород, окись азо-та, щелочные и щелочноземельные металлы, некоторые пере-ходные металлы, соли железа, кобальта, никеля и редкозе-мельных элементов.
Ферромагнетики – это вещества с большой положи-тельной магнитной восприимчивостью (до 106), которая силь-но зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры. В ферромагнитных веществах атомы имеют большое количество неспаренных (нескомпенсированных) спиновых магнитных моментов. Ферромагнетикам присуща внутренняя магнитная упорядоченность, выражающаяся в су-ществовании макроскопических областей (доменов) с парал-лельно ориентированными магнитными моментами атомов в них (рис. 3.2 б). Важнейшая особенность ферромагнетиков за-ключается в их способности намагничиваться до насыщения в относительно слабых магнитных полях. При определенной температуре Тк (точка Кюри) у ферромагнетиков атомный магнитный порядок разрушается, и вещества переходят в па-рамагнитное состояние.
К классу ферромагнетиков относятся элементы переход-ных групп Fe, Co, Ni, а также редкоземельные элементы: Gd (гадолиний), Dy (диспрозий), Ho (гольмий), Er (эрбий), Tu (ту-лий). В табл. 3.1 приведены значения магнитной восприимчи-вости точки Кюри трех распространенных ферромагнетиков Fe, Co, Ni.


Таблица 3.1

Материал Магнитная восприимчи-вость Точка Кюри Тк оС Количество неспаренных электронов
Fe 1000 770 4
Co 150 1150 3
Ni 240 360 2

Антиферромагнетики – это вещества, у которых спон-танно возникает антипараллельная ориентация элементарных магнитных моментов одинаковых атомов или ионов кристал-лической решетки (рис. 3.2 в); при этом суммарный магнит-ный момент антиферромагнетика равен нулю. Для антиферро-магнетика характерна небольшая положительная магнитная восприимчивость (kм = 10-3 -10-5), которая сильно зависит от температуры. При нагревании антиферромагнетик испытывает фазовый переход, и вещество переходит в парамагнитное со-стояние. Температура такого перехода, при котором исчезает магнитная упорядоченность, получила название точки Нееля. Поскольку магнитная восприимчивость в антиферромагнети-ках меньше единицы, то и магнитная проницаемость близка к единице. К антиферромагнетикам относятся металлы переход-ной группы – хром (Cr), марганец (Mn), а также простейшие химические соединения на основе металлов переходной груп-пы типа окислов, сульфидов, карбонатов и т.п. Антиферромаг-нитные свойства проявляют также атомы редкоземельных эле-ментов – церия (Ce), неодима (Nd), самария (Sm), тербия (Tb).
Ферримагнетики – это вещества, магнитные свойства которых обусловлены нескомпенсированным антиферромагнетизмом. В ферримагнитных соседние магнитные моменты выстроены антипараллельно друг другу, но величина их неодинакова (рис. 3.2 г). Поэтому они обладают большим нескомпенсированным суммарным магнитным моментом. Подобно ферромагнетикам они обладают высокой магнитной восприимчивостью, которая существенно зависит от напряженности магнитного поля и температуры. При температуре выше точки Нееля у ферромагнетиков атомный магнитный порядок разрушается, и вещества переходят в парамагнитное состояние.
К ферромагнетикам относятся ферриты – сложные ок-сидные химические соединения, характеризующиеся антипа-раллельным расположением неравных магнитных моментов соседних атомов, представляющих различные химические эле-менты, входящих в состав феррита.
Диамагнетики и парамагнетики иногда объединяют под названием слабомагнитных веществ, не обладающих атомным магнитным порядком, а ферромагнетики и ферримагнетики – под названием сильномагнитных материалов, обладающих атомным магнитным порядком; для антиферромагнетиков ха-рактерен атомный магнитный порядок, но количественно этот эффект весьма мал.

3.2. Природа ферромагнитного состояния

Спиновая природа ферромагнетизма. Для объяснения ферроманитных свойств твердых тел русский физик Розинг и французский физик Вейсс предположили, что в ферромагнетиках существует внутреннее молекулярное поле, под действием которого они даже в отсутствие внешнего поля намагничиваются до насыщения. Внешне такая спонтанная намагниченность не проявляется потому, что тело разбивается на отдельные макроскопические области, в каждой из которых магнитные моменты расположены параллельно друг другу, а сами эти области ориентированы другу относительно друга хаотично, вследствие чего результирующие магнитный момент ферромагнетика в целом оказывается равным нулю. Такие области спонтанной намагниченности получили название доменов. Существует ряд экспериментальных методом наблюдения доменов и определения направления их намагниченности.
Введение внутримолекулярного поля объясняются явле-ния, наблюдаемые в ферромагнетиках. При этом рядом ученых доказано (Эйнштейн, Барнет, Иоффе, Капица), что ферромаг-нетизм обусловлен спиновыми магнитными моментами ато-мов. Спиновые магнитные моменты электронов, не скомпен-сированные в атомах, и являются элементарными носителями ферромагнетизма. Так как магнитные моменты заполненных оболочек атомов равны нулю, а внешние валентные электроны обобществляются в металле, то ферромагнетизмом могут об-ладать лишь элементы с недостроенными внутренними обо-лочками. Такими элементами являются переходные элементы Fe, Ni, Co, имеющие недостроенную 3d-оболочку, и редкозе-мельные элементы с недостроенной 4f-оболочкой.
Согласно теории Френкеля магнитные моменты электро-нов внутри макроскопических областей (доменов) выстраива-ются параллельно друг другу, намагничивания домены до на-сыщения, в результате сил внутренних недостроенных оболо-чек атомов. Энергия обменного взаимодействия Uобм определя-ется выражением

Uобм = -А(Si,Sj), (3.7)

где А – так называемый обменный интеграл, имеющий раз-мерность энергии; Su, Sj – результирующие спиновые моменты взаимодействующих атомов.
Обменный интеграл А может быть как положительным, так и отрицательным. Это зависит от соотношения размеров электронных оболочек d, участвующих в образовании обмен-ной связи, и расстояний между атомами а (параметра решетки).
На рис. 3.3 показана зависимость обменного интеграла А от отношения а/d для элементов, содержащих недостроенные внутренние оболочки.



Рис. 3.3. Зависимость обменного интеграла А от соотно-шения магнитного расстояния а к диаметру электронной обо-лочки

Из рис. 3.3 видно, что у элементов, для которых a/d >1,5 (Fe, Ni, Co) интеграл А положительный, а у элементов с a/d < 1,5 (Mn, Cr) – обменный интеграл отрицательный и тем больший по абсолютной величине, чем меньше отношение a/d.
Знак обменного интеграла А определяет, какая ориента-ция спинов у элементов, участвующих в образовании обмен-ной связи, является выгодной – параллельная или антипарал-лельная. При положительном знаке интеграла (А> 0) обменная энергия Uобм будет отрицательной и энергия системы в целом будет уменьшаться в том случае, если спиновые моменты ато-мов Si и Sj будут параллельны друг другу.
Как видно из рис. 3.3 параллельное состояние спиновых магнитных моментов имеет место у железа, кобальта и никеля. Спинам электронов недостроенных 3d-оболочки этих атомов энергетически выгодно выстраиваться параллельно друг другу, вызывая предельное и магнитное насыщение домена. Поэтому Fe, Co, Ni являются ферромагнитными. Кроме указанных элементов такое состояние наблюдается у редкоземельных элементов с недостроенными 4f-оболочками: гадолиния, диспозия, гольмия, эрбия, тербия и туллия. Редкоземельные элементы проявляют ферромагнитные свойства при пониженных температурах.
При отношении a/d > 3 обменный интеграл А больше ну-ля. Однако из-за относительно больших расстояний между со-седними атомами значение энергии обменного взаимодействия Uобм мало. В этом случае обменные силы не могут противодей-ствовать тепловому движению и вызывать упорядоченное рас-положение спинов. Соответственно такие материалы должны проявлять свойства парамагнетиков.
При сближении атомов, когда a/d < 1,5 обменный инте-грал А изменяет знак. При отрицательном знаке обменного ин-теграла энергетически выгодно становится антипараллельное расположение спиновых моментов соседних атомов. Поэтому Mn и Сr, у которых А < 0, являются антиферромагнетиками.
Если постоянную решетки Mn увеличить так, чтобы от-ношение a/d оказалось порядка 1,5, то марганец станет ферро-магнитным. Например, насыщение марганца азотом приводит к увеличению параметра кристаллической решетки твердого раствора Mn-N, который обладает ферромагнитными свойст-вами, так как отношение a/d становится больше 1,5. На основе марганца получены также ферромагнитные сплавы Cu2MnAl (сплав Гейслера), MnSb, MnBi и др., получившие широкое практическое применение. В этих сплавах атомы марганца на-ходятся на расстояниях, больших, чем в решетке кристалла чистого марганца.
Таким образом, условиями, при которых возникает фер-ромагнетизм, являются: наличие в атоме внутренних недостро-енных электронных оболочек; положительный знак обменного интеграла, обусловливающий параллельную ориентацию спи-нов.
Если спины взаимодействующих атомов равны по вели-чине и образуют друг с другом угол Θ, то выражение (3.7) име-ет вид

Uобм = -А S2 cosΘ. (3.8)
Доменная структура ферромагнетиков. Несмотря на наличие в ферромагнетиках самопроизвольной намагниченно-сти опыт обычно показывает размагниченное состояние фер-ромагнитных тел. Как указывалось выше, для объяснения фак-та Вейс выдвинул гипотезу о существовании доменов (намаг-ниченных до состояния насыщения отдельных областей), рас-положение векторов магнитных моментов которых равноверо-ятно. Существование доменов подтверждено эксперименталь-но как прямыми магнитооптическими методами (метод Акуло-ва-Биттнера), так и косвенными данными (скачки Баркгаузе-на). Причина деления ферромагнетика на домены состоит в следующем.
Ферромагнетик (для простоты он считается монокри-сталлом), помещенный в магнитное поле Н и получивший од-нородную намагниченность Jm, обладает магнитной энергией

Um = - μoHJm cosΘ, (3.9)

где Θ – угол между векторами Н и Jm.
При вынесении из магнитного поля ферромагнетик оста-ется намагниченным. Наличие на его внешних поверхностях полюсов (рис. 3.4 а) приводит к возникновению внутреннего поля Нi, направленного против вектора намагниченности Jm. Это поле стремится размагнитить ферромагнетик, поэтому его называют размагничивающим. Напряженность размагничи-вающего поля пропорциональна Jm и зависит от формы и раз-мера тела:

Нi = - NJm, (3.10)

где N – коэффициент пропорциональности, учитывающий форму и размер тела и называемый размагничивающим факто-ром.



Рис. 3.4. Разделение монокристалла на домены

Магнитная энергия ферромагнетика, находящегося в собственном размагничивающем поле Нi равна

. (3.11)

Для монокристалла, показанного на рис. 3.4 а, эта энер-гия будет значительной. Поэтому, энергетически более выгод-ным оказывается деление его на области, в которых векторы намагниченности направлены в противоположные стороны (рис. 3.4 б и в). Для структуры доменов, изображенной на рис. 3.4 б, магнитная энергия в 2 раза меньше, чем для струк-туры, показанной на рис. 3.4 а. Это обусловлено тем, что часть магнитного потока, выходящего из одной области, замыкается на другую, вследствие чего уменьшается размагничивающий фактор N, а следовательно и магнитная энергия. Для структуры доменов, представленной на рис. 3.4 в. Магнитная энергия уменьшается в 4 раза. Еще меньшей магнитной энергией обладает структура с боковыми замыкающими доменами (рис. 3.4 г), так как магнитный поток замыкается внутри образ-ца, а за его пределами магнитное поле практически равно нулю.
Таким образом, деление ферромагнитного кристалла на домены является следствием стремления системы уменьшить свою свободную энергию. Однако деление не может происхо-дить беспредельно, так как появление границы между домена-ми, у которых угол Θ между спинами возрастает до 180 оС, должен привести к увеличению обменной энергии (см. 3.8). Деление протекает до тех пор, пока уменьшение магнитной энергии, вызванное делением, не компенсируется увеличением обменной энергии границ раздела между доменами (доменных границ). Доменная граница представляет собой переходную область называемую стенкой Блоха, размером около 0,1 мкм. Блох показал, что энергетически выгодно иметь доменную границу, в которой осуществляется постепенный поворот спи-нов на 180 оС и направления намагниченности в соседних до-менах оказывается противоположным (рис. 3.7).



Рис. 3.5. Структура переходного слоя между доменами

Чем толще доменная граница δ, тем на меньшую сум-марную величину изменяется обменная энергия при переходе от одного домена к другому /4/. По этой причине толщина стенки Блоха должна, казалось бы, возрасти. Однако этому препятствует магнитная анизотропия.
Магнитная анизотропия. Ферромагнитные вещества могут находиться в виде поликристаллических и монокристаллических материалов. Магнитные свойства поликристаллических ферромагнитных материалов не зависят от ориентации их относительно внешнего магнитного поля. В монокристаллах ферромагнитных материалов существуют направления легкого и трудного намагничивания. Число таких направлений определяется симметрией кристаллической решетки. В отсутствии внешнего магнитного поля магнитные моменты доменов самопроизвольно ориентируются вдоль осей легкого намагничивания.
На рис. 3.6 показаны направления легкого, среднего и трудного намагничивания в монокристалле трех основных ферромагнитных материалов: железа, никеля и кобальта.


Рис. 3.6. Направление легкого, среднего и трудного на-магничивания в монокристаллах: а – железа; б – никеля; в - ко-бальта

Элементарная ячейка железа представляет собой объемноцентрированный куб (ОЦК). Направление легкого намагничивания совпадает с ребром куба [100] (рис. 3.6 а). Следовательно, в монокристалле железа можно выделить шесть эквивалентных направлений легкого намагничивания. Направление пространственной диагонали куба [111] соответствует направлению трудного намагничивания; следовательно, в монокристалле железа существуют шесть эквивалентных направлений трудного намагничивания (рис. 3.6 б); симметрия решетки определяет восемь таких эквивалентных направлений. Направление трудного намагничивания монокристалла никеля совпадает с ребрами и характеризуется индексами [100]. Кобальт, кристаллизующийся в гексагональной структуре (ГПУ), имеет лишь два направления легкого намагничивания, совпадающих с осью призмы, т.е. кобальт, является материалов с одноосной магнитной анизотропией. Направлениями трудного намагничивания для кобальта являются направления [1120] и [1010], перпендикулярные оси призмы.
Для намагничивания монокристаллического образца для насыщения вдоль одной из осей легкого намагничивания нуж-но затратить значительно меньшую энергию, чем для такого же намагничивания вдоль оси трудного намагничивания.
Влияние механической и термической обработки, со-става на магнитные свойства. При механической обработке ферромагнитных материалов (прокатке, протяжке, штамповке, ковке и т.п.) кристаллические зерна дробятся, вытягиваются, вследствие чего возникает сложная система внутренних на-пряжений. Внутренние напряжения препятствуют при намаг-ничивании росту доменов и ориентации их магнитных момен-тов в направлении внешнего поля. В результате этого магнит-ная проницаемость уменьшается, коэрцитивная сила возраста-ет и растут потери на гистерезис. Для восстановления магнит-ных свойств после механической обработки магнитомягкие материалы подвергают термической обработке – отжигу, кото-рый снимает внутренние напряжения и ведет к рекристаллиза-ции зерен (укрупнению размеров зерен).
Механическую обработку – прокат и термическую обработку применяют для получения высоких магнитных свойств в магнитомягких материалах (в электротехнической стали). При холодной прокатке зерна в кристаллографическом отношении получают преимущественную ориентацию, которую называют текстурой прокатки. При нагреве холоднокатаной стали, при температуре свыше 900 оС наблюдается рекристаллизация, сопровождаемая ростом размеров зерен и одновременной ориентацией кристаллов вдоль направления легкого намагничивания. В результате кристаллические зерна осями легкого намагничивания (100) ориентируется вдоль направления проката.
Такую текстуру называют ребровой текстурой. Тексту-рованная сталь анизотропная по свойствам – вдоль направле-ния проката наблюдаются значительно более высокая магнит-ная проницаемость и меньшие потери на гистерезис.
Существенное влияние на магнитные свойства ферро-магнетиков оказывают искажения строения кристаллической решетки. Нарушение правильности строения кристаллов, в первую очередь, происходит из-за примесей. При внедрении примесных атомов в кристаллическую решетку около них воз-никают напряжения (радиальное сжатие и растяжение), кото-рое вызывают изменения в магнитоупругих взаимодействиях, кроме того, примеси приводят к неравновесному распределе-нию электронной плотности в кристаллической решетке маг-нитных материалов, вследствие чего изменяются магнитные свойства. Степень влияния примесей определяется их видом и процентным содержанием. Коэрцитивная сила в железе увели-чивается при введении углерода, хрома, кобальта, вольфрама; отрицательное влияние на магнитные свойства оказывают рас-творенные в железе кислород, азот и водород.
Используя примеси, усложняющие кристаллическую структуру, вводя технологическую операцию закалки, а иногда добиваясь ориентации структуры доменов в магнитном поле, получают магнитотвердые материалы.

3.3. Процессы при намагничивании ферромагнетиков

Кривая намагничивания. Магнитные свойства ферромагнетиков и ферримагнетиков характеризуются зависимостью магнитной индукции В от напряженности внешнего магнитного поля Н. График зависимости В = φ(H) называют кривой намагничивания. Для получения кривых намагничивания в качестве исходного принимают различное состояние ферромагнитного образца, при котором в отсутствие внешнего магнитного поля индукция равна нулю, поскольку магнитные моменты доменов статистически равновероятно распределяются по всем возможным направлениям легкого намагничивания.
При получении кривой намагничивания образец фер-ромагнитного материала помещают внутри соленоида и про-пускают по нему ток. Напряженность магнитного поля Н, ко-торое создается при пропускании тока по проводу соленоида, определяется из формулы

, А/м, (3.12)

где I – величина тока; N – число витков соленоида; l – длина соленоида.
На рис. 3.7 приведена типичная кривая намагничивания поликристаллического ферромагнетика. Возрастание индукции под действием внешнего магнитного поля обусловлено двумя основными процессами: смещением доменных границ и пово-ротом магнитных моментов доменов. На кривой В = φ(Н) можно выделить четыре характерных области.


Рис. 3.7. Зависимость магнитной индукции и магнитной проницаемости μ ферромагнетика от напряженности внешнего магнитного поля
Область 1. Представляет собой область упругого (обра-тимого) смещения доменных границ. При этом происходит увеличение объема тех доменов, магнитные моменты которых образуют наименьший угол с направлением внешнего поля, а домены с неблагоприятной ориентацией уменьшаются. Сум-марная намагниченность образца становится отличной от нуля, что приводит к появлению магнитной индукции В и росту маг-нитной проницаемости μ. После снятия слабого внешнего поля доменные границы возвращаются в исходное состояние. При стремлении напряженности поля к нулю материал характери-зуется начальной магнитной проницаемостью μн.
Область 2. Эта область характеризуется тем, что в облас-ти сильных полей смещение доменных границ носит необра-тимый характер. Процесс намагничивания идет более интен-сивно, чем на начальном участке; кривая намагничивания име-ет наибольшую крутизну (участок сильного роста В). Этот участок кривой намагничивания характеризуется и ростом магнитной проницаемости вплоть до ее максимального значе-ния μmax. При этом на кривой намагничивания появляются ма-ленькие ступеньки. Процесс ступенчатого намагничивания ферромагнитного материала сопровождается излучением сла-бого электромагнитного поля и получил название эффекта Баркгаузена.
Область 3. По мере дальнейшего увеличения напряжен-ного поля возрастает роль второго механизма намагничивания – механизма вращения, при котором магнитные моменты до-менов из направления легкого намагничивания, образующего небольшой угол с полем, постепенно поворачиваются в на-правлении поля. Материал переходит в состояние техническо-го насыщения (В → Вs). Поскольку на этом участке при увели-чении напряженности поля индукция меняется слабо, то маг-нитная проницаемость уменьшается.
Область 4. Этот область технического насыщения. Маг-нитные моменты всех доменов в этой области ориентируются вдоль направления внешнего магнитного поля. Незначительное возрастание индукции на участке насыщения обусловлено уве-личением намагниченности самого домена.
Явление незначительного увеличения магнитной индук-ции с ростом напряженности поля получило название парапро-цесса. Значение индукции, соответствующее ее максимально-му значению в области технического насыщения, называется индукцией насыщения Вs. Основные стадии технического на-магничивания ферромагнитного схемотехнически изображены на рис. 3.8.


Рис. 3.8. Схема ориентации спинов и изменения домен-ных границ при намагничивании ферромагнетика

Зависимость магнитной индукции предварительно раз-магниченного ферромагнитного материала от напряженности поля называют начальной кривой намагничивания.
Магнитный гистерезис. Если ферромагнетик намагничивать до насыщения, а затем уменьшать напряженность внешнего поля до нуля, то индукция не падает до нуля, а будет равна некоторому значению, называемому остаточной индукцией Вr или остаточным магнетизмом (рис. 3.9). Явление отставания В от Н называют магнитным гистерезисом. Для того, чтобы полностью размагнитить материал, т.е. добиться состояния, при котором В = 0, необходимо приложить некоторое магнитное поле, направленное противоположно первоначальному. Напряженность размагничивающего поля Нс, при котором индукция в ферромагнетике, предварительно намагниченном до насыщения, обращается в нуль, называют коэрцитивной силой Нс.



Рис. 3.9. Петли гистерезиса при различных значениях амплитуды переменного магнитного поля и основная кривая намагничивания фeрромагнетика

Увеличение напряженности поля до значений больших – Нс, вызывают перемагничивание ферромагнетика до насыщения (-Вs). При намагничивании ферромагнитного материала изменяющимся по направлению магнитным полем зависимость В = f(Н) имеет форму замкнутой кривой, которая называется петлей гистерезиса. При различных амплитудных значениях напряженности внешнего поля Н можно получить семейство петель гистерезиса. Петля гистерезиса, полученная при индукции насыщения, называется предельной. Петля гистерезиса называется частной, если она получена при измерениях в слабых циклических магнитных полях, когда максимальное значение В не достигает предельного значения Вs. Совокупность вершин петель гистерезиса образует основную кривую намагничивания ферромагнетика.
Причинами гистерезиса в основном являются необрати-мые процессы смещения доменных границ и вращения векто-ров намагниченности. Коэрцитивная сила определяется тем наибольшим энергетическим барьером, который надо преодо-леть в процессе размагничивания образца.
Для материалов с малым значением Нс характерны гомо-генность структуры, незначительная анизотропия и магнитост-рикция, отсутствие механических напряжений, немагнитных включений, дефектов и т.д. Намагничивание слабыми пере-менными магнитными полями осуществляется в основном процессами смещения доменных границ. При этом границы совершают малые колебания около положения равновесия в своих энергетических минимумах. Для создания материалов с большими значениями Нс особое значение имеет образование однородных структур, для которых намагничивание в основ-ном определяется процессами вращения, что требует очень большим намагничивающих и размагничивающих сил.
По форме кривых гистерезиса и величине Нс различают три группы магнитных материалов: магнитомягкие, магнитот-вердые и материалы с прямоугольной петлей гистерезиса (рис. 3.10).


а) б) в)
Рис. 3.10. Предельные петли гистерезиса: а - магнитомяг-ких материалов; б – материалов с ППГ; в- магнитотвердых ма-териалов

Магнитомягкие материалы – это материалы, обладаю-щие коэрцитивной силой Нс = 0,4 – 4000 А/м, и характеризую-щиеся узкой петлей гистерезиса (рис. 3.10 а). Они способны намагничиваться до насыщения (Вs = 0,5 – 1,5 Тл) в слабых магнитных полях. Различают низкочастотные (для частот до 1 кГц) магнитомягкие материалы и высокочастотные, для ра-боты на частотах выше 1 кГц. Магнитомягкие материалы ис-пользуют в качестве сердечников катушек индуктивности, дросселей, магнитопроводов трансформаторов, сердечников электромагнитов, магнитных систем электроизмерительных приборов и т.п.
Магнитотвердые материалы (рис. 3.10 б) обладают большой коэрцитивной силой (Нс > 4 аА/м) и широкой петлей гистерезиса. Они перемагничиваются лишь в очень сильных магнитных полях; современные магнитотвердые материалы имеют коэрцитивную силу Нс ≥ 500 кА/м. Это обусловливает использование их для постоянных магнитов и магнитной запи-си информации.
Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистере-зиса (ППГ) имеют форму петли гистерезиса близкую к прямо-угольной (рис. 3.10 в). Параметром материалов с ППГ является коэффициент прямоугольности Кn, определяемый из соотно-шения Кn = Вr/Вs; величина Кn магнитных материалов, приме-няемых в импульсных устройствах, составляет Кn≈ 0,9.
Магнитная проницаемость. Магнитные материалы, используются в различных устройствах РЭС, могут эксплуатироваться при воздействии как статических, так и динамических (переменных, импульсных) магнитных полей. Поэтому при выполнении расчетов в различных устройствах с магнитными сердечниками пользуются различными понятиями магнитной проницаемости, основанными на определении статической магнитной проницаемости (3.5) и общей зависимости μ(Н), показанной на рис.3.7. Относительную магнитную проницаемость определяют по основной кривой намагничивания, например, для точки А (рис. 3.11)
, (3.13)

где α – угол наклона секущей ОА к оси абсцисс; mB и mH – масштабы по осям соответственно В и Н. Наиболее часто ис-пользуют понятия начальной μН, максимальной μmax, диффе-ренциальной μдиф, обратимой (реверсивной) μр и импульсной μи магнитной проницаемости.
Начальная и максимальная магнитная проницаемости представляют собой частные случаи статической магнитной проницаемости

, (3.14)

, (3.15)

где αн – угол наклона касательной на начальном участке кри-вой В = f(Н); αm – угол наклона прямой, проведенной из начала координат в точку перегиба кривой намагничивания (рис. 3.11).



Рис. 3.11. К объяснению различных понятий магнитной проницаемости

Параметр μН является справочным, так как используется в расчетах многих устройств с магнитными сердечниками. Экспериментально начальную магнитную проницаемость оп-ределяют в слабых полях с напряженностью около 0,1 А/м.
Дифференциальную магнитную проницаемость μдиф оп-ределяют как производную от магнитной индукции по напря-женности поля любой точки кривой намагничивания В = f(Н), т.е. она представляет собой угол наклона между осью абсцисс и касательной к кривой намагничивания в этой точке

. (3.16)

Обратимая (реверсивная) магнитная проницаемость представляет собой отношение приращения переменной со-ставляющей индукции ΔВ~ к приращению переменной состав-ляющей напряженности поля ΔН~ при фиксированном под-магничивающем поле Н-

. (3.17)

Импульсная магнитная проницаемость

, (3.18)

где ΔВн – максимальное изменение магнитной индукции при намагничивании импульсным полем; ΔHи изменение напря-женности импульсного магнитного поля.
Значение μн используется при расчетах импульсных трансформаторов, в области которых действуют однополярные импульсы.
Влияние температуры на магнитные свойства фер-ромагнетиков. При нагревании ферромагнетика ослабляется роль обменного взаимодействия, что приводит к постепенной тепловой дезориентации спиновых магнитных моментов и уменьшению спонтанной намагниченности Jм. Выше некото-рой температуры происходит распад доменной структуры, т.е. спонтанная намагниченность исчезает и ферромагнетик пере-ходит в парамагнитное состояние. Температуру такого фазово-го перехода называют магнитной точкой Кюри. Вблизи точки Кюри наблюдаются и характерные изменения немагнитных свойств ферромагнетиков (удельного электрического сопро-тивления, температурного коэффициента линейного расшире-ния, удельной теплоемкости и др.). На рис. 3.12 показано из-менение магнитной проницаемости от температуры, измерен-ной в сильных и слабых магнитных полях. В слабых магнит-ных полях, соответствующих начальной магнитной проницае-мости μн, на кривой μ(т) наблюдается максимум при темпера-туре несколько ниже точки Кюри.


Рис. 3.12. Температурная зависимость магнитной прони-цаемости при различных значениях Н: Н4 > Н3 > Н2 > Н1 (Н4 – область технического насыщения; Н1 – соответствует μн)
В области насыщения магнитная проницаемость умень-шается с ростом температуры и качественно повторяет изме-нение намагниченности насыщения от температуры. Возраста-ние μн от температуры обусловлено ослаблением сил, препят-ствующих смещению доменных границ и повороту магнитных доменов. При температуре Кюри магнитная проницаемость ферромагнетика становится примерно равной единице.
Изменение магнитной проницаемости при изменении температуры характеризуется температурным коэффициентом магнитной проницаемости αμ, который определяется по фор-муле

, оС-1, (3.19)

где (Т2 – Т1) – заданный диапазон температур; (μТ2 – μТ1) - из-менение магнитной проницаемости при заданном температур-ном диапазоне.
При этом в формулу можно подставлять различные значения μ (начальную, максимальную, обратимую и т.п.). По аналогичной формуле могут быть определены температурные коэффициенты: коэрцитивной силы Нс, намагниченности Jм, остаточной магнитной индукции Вr.
Магнитострикция – это явление изменения формы и размера ферромагнитного материала при изменении его маг-нитного состояния. Различают спонтанную и линейную магни-тострикцию.
Спонтанная магнитострикция возникает при переходе материала из парамагнитного состояния в ферромагнитное, в процессе охлаждения до температуры ниже точки Кюри при отсутствии внешнего поля. Линейная магнитострикция связа-на с искажением кристаллической решетки под действием на-магничивающего поля при температуре ниже точки Кюри. При этом мало меняется объем намагничиваемого образца, но сильно меняются его размеры.
Линейную магнитострикцию оценивают коэффициентом магнитострикции

λ = Δl/l, (3.20)

где Δl – абсолютное изменение размера образца; l – исходный размер образца.
При этом коэффициент магнитострикции может быть как положительным, так и отрицательным, т.е. размеры в направлении поля при намагничивании могут увеличиваться или уменьшаться. На рис. 3.13 представлена зависимость коэффициента линейной магнитострикции от напряженности магнитного поля для поликристаллических образцов электронных ферромагнетиков. Изменение размеров образцов ферромагнетиков при намагничивании внешним полем сопровождается появлением в них напряжений и деформаций, препятствующих смещению доменных границ. Поэтому магнитострикция, как и кристаллографическая анизотропия, затрудняет процесс намагничивания в слабых полях. Таким образом, высокой магнитной проницаемостью обладают те магнитные материалы, у которых наблюдаются малые значения магнитострикции и анизотропии. Из рис. 3.13 видно, что никель и железо при напряженности поля, меньше 10 кА/м, имеют разный знак коэффициента магнитострикции. Различное значение магнитострикции по знаку используется при получении сплавов Fe-Ni (пермаллоев) с большой начальной магнитной проницаемостью, в которых коэффициент магнитострикции в слабых магнитных полях близок к нулю.
Магнитострикционный эффект может быть прямым и обратным. Прямой магнитострикционный эффект заключается в том, что при действии возбуждающего магнитного поля в об-разце возникает механическая деформация.


Рис. 3.13. Зависимость коэффициента магнитострикции поликристаллов Fe, Co и Ni

При обратном магнитострикционном эффекте механиче-ская деформация ферромагнетика приводит к возникновению магнитного поля, которое может возбуждать в проводниках ЭДС самоиндукции.

3.4. Поведение ферромагнетиков в переменных магнитных полях

Потери энергии. При перемагничивании магнитных ма-териалов переменным полем петля гистерезиса, характери-зующая затраты энергии на перемагничивание в течение одно-го цикла перемагничивания, расширяется (увеличивает свою площадь) за счет потерь на гистерезис, вихревые токи и маг-нитное последействие. Такую петлю гистерезиса называют ди-намической, а сумму составляющих потерь – полными потеря-ми. Потери энергии, обусловленные перемагничиванием пере-менным полем, вызывают нагрев материала. Вкладом потерь на последействие в нагрев ферромагнетика обычно можно пренебречь.
Потери энергии на гистерезис Эг за один чикл перемагничивания, отнесенной к единице объема материала, определяются на площади статической предельной (или частной) петли гистерезиса

, Дж/м3 (3.21)

Выравнивание, связывающее удельную мощность по-терь на гистерезисе Рг и потери энергии на гистерезис, имеет следующий вид
, Вт/кг, (3.22)

где f – частота перемагничивания, Гц; d – плотность материала кг/м3.
Для практических целей при вычислении удельных по-терь на гистерезис пользуются эмпирической формулой:

, (3.23)

где η – коэффициент, зависящий от свойств материала (η ≈ 1); Вm – максимальная индукция, достигаемая в данном цикле Тл; n – показатель степени, принимающий значения от 1,6 до 2 в зависимости от Вm.
Потери энергии на гистерезис обусловлены необратимы-ми процессами перемагничивания. При этом эти потери за один период изменения внешнего поля остаются постоянными в достаточно широком диапазоне частот.
Потери энергии на вихревые токи обусловлены образо-ванием вихревых токов в проводящей среде за счет ЭДС само-индукции, пропорциональной скорости изменения магнит

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:16 + в цитатник
2.4. Классификация полупроводниковых материалов

Все полупроводниковые материалы по химическому со-ставу и структуре подразделяются на неорганические и органи-ческие.
Неорганические полупроводниковые материалы по струк-туре подразделяются на кристаллические и аморфные (стекло-образные) полупроводники.
К кристаллическим полупроводникам относятся элемен-тарные полупроводники, химические соединения и твердые растворы на основе химических соединений.
К элементарным (их называют простыми) полупровод-никам относятся 12 элементов периодической системы Д. И. Менделеева:
В (бор) – элемент 3-й группы;
Si (кремний), Ge (германий), C (углерод), Sn (олово се-рое) – элементы 4-й группы;
P (фосфор), As (мышьяк), Sb (сурьма) – элементы 5-й группы;
S (сера, Se (селен), Te (теллур) – элементы 6-й группы;
J – элемент 7-й группы.
В табл. 2.1 приведены элементарные полупроводники и значения ширины запрещенной зоны.





Таблица 2.1
Ширина запрещенной зоны ∆ Э элементарных
полупроводников (при 20 оС)

Элемент ΔЭ, эВ Элемент ΔЭ, эВ
Бор 1.1 Мышьяк 1.2
Углерод (алмаз) 5.6 Сурьма 0.12
Кремний 1.12 Сера 2.5
Германий 0.67 Селен 1.8
Олово серое(α – Sn) 0.08 Теллур 0.36
Фосфор 1.5 Йод 1.25

В современной микроэлектронике наибольшее примене-ние нашел кремний Si, на основе которого изготавливают ак-тивные полупроводниковые приборы: интегральные схемы, диоды, транзисторы.
Двойные химические соединения записываются в виде Аn Вm, где индексы n и m представляют номер группы таблицы Менделеева. Широкое практическое применение как полупро-водники нашли химические соединения классов:
АIII ВÝ, к которым относятся GaAs (арсенид галлия), GaP (фосфид галлия), InP (фосфид индия), GaSb (антимонид гал-лия) и другие;
АII ВÝI, к которым относятся CdS (сульфид кадмия), CdSe (селенид кадмия), ZnS (сульфид цинка), CdTe (теллурид кад-мия) и другие;
АIÝ ВIÝ, к которым относятся SiC (карбид кремния), SiGe (германат кремния);
АIÝ ВÝI, к которым относятся _PbS (сульфид свинца), PbSe (селенид свинца), PbTe ( теллурид свинца) и другие.
Твердые растворы на основе двойных химических соеди-нений АIII ВÝ, которым относятся, например AlхGa1-хAs, GaхIn1-х As, GaAs1-уPу и другие. На основе таких соединений созда-ются оптоэлектронные приборы, преобразователи солнечной энергии в электрическую (русский ученый Алферов получил Нобелевскую премию за разработку таких преобразователей с высоким КПД на основе гетероструктур).
Тройные химические соединения, к которым относятся со-единения типа АIВIIIВ2VI (например, соединения CuAlS2, CuInSe2 , CuInTe2), АI ВV ВVI и другие.
Аморфными полупроводниками (стеклообразными) яв-ляются соединения на основе элементов VI группы таблицы Менделеева (S, Se, Te) – халькогенов – с элементами V группы (As, Sb). Наиболее известными являются соединения As2S3 , As2Se3 , Sb2S3, которые находят применение в оптоэлектронике.
К органическим полупроводниковым материалам отно-сятся такие материалы, как бензол, антрацен, нафталин и дру-гие. В таких материалах проводниковые свойства сочетаются с эластичностью, что позволяет изготавливать рабочие элементы в виде волокон и гибких лент.
Основные свойства и применение различных классов по-лупроводников будут рассмотрены ниже.

2.5. Элементарные полупроводники

Кремний в настоящее время как по объему производства, так и по номенклатуре полупроводниковых приборов занял господствующее положение. Кремний является элементом IV группы таблицы Менделеева. Он является одним из наиболее распространенных элементов в земной коре ( 27,6 %). В силу своей химической активности в свободном состоянии кремний в природе не встречается, но его многочисленные кислородные соединения (кремнезем, силикаты и т.д.) входят в большинст-во горных пород, минералов и почвы. Наиболее распростра-ненным соединением этого элемента является двуокись крем-ния SiO2, которая встречается в основном в виде минерала кварца и в песке..
В твердом состоянии кремний образует кубическую про-странственную решетку типа алмаза (рис 2.10).



Рис. 2.10. Структура алмаза (кремния, германия)

В этой решетке каждый атом окружен четырьмя соседни-ми атомами, находящимися от него на одинаковом расстоянии. Атомы удерживаются в узлах кристаллической решетки благо-даря действующими между ними ковалентными связями. Кремний кристаллизируется в структуре алмаза с несколько меньшим, чем у германия периодом кристаллической решетки, что обусловливает долее сильную ковалентную связь, а значит более широкую запрещенную зону.
В химическом отношении кремний при комнатной темпе-ратуре является относительно инертным веществом. Он не растворим в воде, не реагирует со многими кислотами любой концентрации - хорошо растворяется лишь в смеси азотной и плавиковой кислот и в кипящих щелочах
Кремний устойчив на воздухе при нагревании до 900оС, а выше начинает интенсивно окисляться с образованием двуоки-си SiO2. Кремний растворим во многих расплавленных метал-лах, а с металлами Cr, Mo, Cu, Mg, Fe образует устойчивые хи-мические соединения – силициды. В расплавленном состоянии отличается высокой химической активностью. Поэтому возни-кают трудности с подбором тигельного материала при выра-щивании монокристаллов. Наиболее чистые материалы (гра-фит, кварц), из которых обычно изготавливают тигли и лодоч-ки, при высоких температурах взаимодействуют с кремнием.
Кремний с углеродом образует устойчивое химическое соединение – карбид кремния SiC, обладающий полупровод-никовыми свойствами.
Кремний является прочным и жестким материалом. В мо-нокристаллическом состоянии является пригодным для изго-товления чувствительных элементов прецизионных широко-диапазонных датчиков в виде консолей, мембран очень малой толщины (вплоть до 1 – 3 мкм). Такие элементы могут массово производиться методами, разработанными в технологии ИС. Они обеспечивают ускорение развития средств автоматики.
В большинстве случаев при изготовлении полупроводни-ковых приборов применяют кремний, легированный малым количеством электрически активных примесей, которые влия-ют на тип электропроводности и концентрацию носителей. Получение дырочной проводимости (р – проводимости) дости-гается введением акцепторов - элементов III группы (алюми-ния, бора), а электронной проводимости введением доноров - элементов V группы (мышьяка, сурьмы, фосфора).
Чистый поликристаллический кремний получают путем восстановления четыреххлористого кремния SiCl4 парами цин-ка при температуре 950 °С в защитной атмосфере. Кроме того, применяются методы термического разложения тетраиодида кремния SiI4 или силана SiH4 и др.
Монокристаллический кремний, который используется для изготовления различных полупроводниковых приборов, получают из поликристаллического выращиванием из распла-вов по методу Чохральского (рис 2.11) или бестигельной зон-ной плавкой (рис. 2.13).




Рис.2.11. Схема установки для выращивания монокри-сталлов кремния по методу Чохральского: 1 – шток; 2 – за-травка; 3 – растущий монокристалл; 4 – расплав; 5 –тигель из кварцевого стекла с нагревателем; 6 – рабочая камера.

Первый метод применяют для получения низкоомных слитков с удельным сопротивлением, не превышающим 2,5 Ом .м .Полученные этим методом слитки (рис.2.12) имеют диаметр до 150 мм и длиной до1500 мм, что дает значительный эконо-мический эффект при производстве кристаллов изделий из кремния.
Выращивание по методу Чохральского занимает около 75% всего производства кремния. Он обеспечивает наивысшую однородность и структурное совершенство монокристаллов – качества, необходимые, прежде всего при производстве БИС.
Этот метод основан на свободной направленной кристал-лизации на затравку из большого объема расплава, необходи-мого для выращивания всего слитка. При этом легирующая примесь входит в объем расплава.
Для выращивания высокочистых монокристаллов крем-ния с высоким удельным сопротивлением (до 103 Ом.м) при-меняют метод бестигельной зонной плавки (рис. 2.13). Метод основан на плавлении небольшой зоны поликристаллической цилиндрической заготовки, находящейся в вертикальном со-стоянии. Необходимая узкая расплавленная зона создается с помощью высокочастотного индуктора. При этом узкая рас-плавленная зона удерживается между твердыми частями слит-ка за счет сил поверхностного натяжения. Затравка, как и в ме-тоде Чохральского, обеспечивает выращивание кристалличе-ской структуры монокристалла кремния. В этом методе нет тигля, нагретого до высокой температуры, поэтому содержание примесей уменьшается за счет перегрева расплава. Выращи-вание монокристалла осуществляют в вакууме или в водороде. При плавке в вакууме наряду с оттеснением примесей в жид-кую фазу происходит их испарение из расплава. Плавка в во-дороде используется в том случае, когда проводится легирова-ние газовой фазы (водород является газом –носителем).
Бестигельный метод используется в том случае, когда не-обходимо высокое сопротивление или большое время жизни неосновных носителей заряда (для детекторов, силовых венти-лей).





Рис. 2.12. Кристалл, выращен-ный по методу Чохральского Рис. 2.13. Схема бестигельной
зонной плавки

В настоящее время выпускается кремний различных ма-рок, по которым можно различить метод получения монокри-сталла, тип проводимости, легирующий элемент. Например: БКЭ – бестигельный, кремний, электронной проводимости; КЭМ - кремний (по Чохральскому) электронный, легирован-ный мышьяком; КДБ – кремний (по Чохральскому) дырочный, легированный бором. В конце марки ставится цифра, указы-вающая удельное сопротивление.
Кремний по объему производства и по номенклатуре по-лупроводниковых приборов, особенно при производстве инте-гральных схем, занимает ведущее место среди полупроводни-ковых материалов благодаря ряду свойств, которые определя-ются особенностью структуры:
оптимальной ширины запрещенной зоны, которая обу-словила достаточно низкую концентрацию собственных носи-телей и высокую рабочую температуру (180 – 200 оС);
большой диапазон реально достижимых удельных сопро-тивлений (10-5 – 103 Ом..м );
высокое значение модуля упругости, значительная жест-кость;
оптимально высокая температура плавления;
высокая теплопроводность (до 140 Вт/К.м);
малая плотность (2300 кг/м3) и низкий температурный ко-эффициент линейного расширения (3.10-6 К-1);
тензочувствительность – существенное изменение удель-ного сопротивления при деформации;
высокая растворимость примесей, причем примеси не-сильно искажают кристаллическую решетку;
Следствием особенностей физико-химических свойств является его технологичность на разных стадиях и способах изготовления различных приборов.
Собственный оксид пленки SiO2 обладает пассивирую-щими, защитными и маскирующими свойствами. Пассиви-рующие свойства SiO2 проявляются в резком снижении скоро-сти окисления после образования пленки. Защитные свойства проявляются в том, что окисная пленка непроницаема для большинства примесей, за исключением ионов Na. Маски-рующая способность является следствием малой скорости диффузии примесей в SiO2 по сравнении с диффузией в крем-ний (в 100 – 1000 раз меньше);. это используется при создании в кремнии планарных pn- переходов.
Благодаря кремнию широкое практическое значение в из-готовлении полупроводниковых приборов нашли процессы эпитаксиального осаждения тонких слоев. Эпитаксиальный слой – это пленка монокристаллического материала, осажден-ного на монокристаллическую подложку и сохраняющая мор-фологию этой подложки. Структура и свойства эпитаксиаль-ных пленок определяются образованием зародышей новой фа-зы на подложке и их последующим срастанием. Эпитаксиаль-ные пленки имеют направление осей кристаллизации такое же, как и ориентация осей кристаллизации решетки кремниевой подложки. Для получения эпитаксиальных пленок использует-ся кремний с малым количеством дефектов.
Эпитаксиальные пленки имеют кристаллические дефек-ты двух типов: дислокации и дефекты упаковки. Так как при эпитаксиальном росте воспроизводится морфология подложки, то дислокации, имевшиеся в монокристаллической подложке, переходят в пленку и плотность их становится выше, чем в подложке. Поэтому для получения эпитаксиальных пленок используется кремний с малым содержанием дефектов. Так, например, кремний монокристаллический для получения эпи-таксиальных пленок марки ЭКДБ (Э - для эпитаксиального на-ращивания, К- кремний, Д- дырочная проводимость, Б- леги-рующий элемент бор) имеет низкую плотность дислокаций, не превышающую 105 1/м2. А плотность дислокаций монокри-сталлов кремния для изготовления ПП приборов составляет 106 - 108 1/м2.
Кремний пока является единственным полупроводнико-вым материалом, который удается наращивать эпитаксиально на инородные подложки при создании гетероэпитаксиальных структур на сапфире. Структуры кремний на сапфире позво-ляют получить наименее энергоемкие, самые быстродейст-вующие и радиационно стойкие МОП ИС.
Кремний является базовым материалом при изготовлении планарных транзисторов и интегральных микросхем. Кроме того, значительную долю в общем объеме выпуска занимают дискретные кремниевые приборы: выпрямительные, импульс-ные и СВЧ-диоды, низко- и высокочастотные, мощные и ма-ломощные биполярные транзисторы, полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью: стабилитроны и тиристоры. Ра-бочие частоты планарных транзисторов достигают 10 ГГц.
Широкое применение в технике нашли кремниевые фото-чувствительные приборы: быстродействующие фотодиоды, фотодетекторы, фотоэлементы, получившие название солнеч-ных батарей с КПД 10 - 12 %.
Кремний используется для изготовления детекторов ядерных излучений, датчиков Холла и тензодатчиков.
Благодаря тому, что кремний имеет более широкую за-прещенную зону, чем германий, кремниевые приборы могут работать при более высоких температурах, их верхний темпе-ратурный предел достигает 180 – 200 °С.
Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых прибо-ров. Чистый германий обладает металлическим блеском, ха-рактеризуется относительно высокой твердостью и хрупко-стью. Подобно кремнию он кристаллизуется в структуре алма-за, элементарная ячейка которого содержит восемь атомов (рис. 2.10).
Содержание германия в земной коре составляет 7•10-4 %, при этом он является рассеянным в природе элементом и в ви-де рудных месторождений почти не встречается. Одним из ос-новных источников получения германия служит каменный уголь, из которого германий извлекают как отход при сгора-нии.
Наиболее совершенные монокристаллы германия полу-чают путем вытягивания из расплава по методу Чохральского (рис.2.11). В отличиен от получения кремния этим методом, тигель при выращивании германия изготавливают из графита ввиду низкой химической активности германия с графитом. Этим методом получают монокристаллы диаметром более 300мм.
Для получения кристаллов германия с минимальным ко-личеством остаточных примесей применяют метод зонной плавки в графитовых лодочках (рис. 2.14), помещаемых в квар-цевую трубу (на рисунке не обозначена цифрой).



Рис 2.14. Схема установки для зонной плавки: 1 – откач-ка; 2 – слиток очищаемого германия в гафитовой лодочке; 3 – расплавленная зона; 4 – перемещаемый нагреватель; 5 – к уст-ройству, перемещающему зону.

Для изготовления ПП приборов монокристаллы германия выпускают: с электронной проводимостью путем введения до-норов – элементов V группы (сурьма Sb, ванадий V); с дыроч-ной проводимостью введением акцепторов – элементов III группы (индия In, галлия Ga). C учетом этого промышленные монокристаллы германия маркируются соответственно как ГЭС 27/1,5 (германий электронной проводимости, легирован-ный сурьмой, числовой индекс в числителе – удельное сопро-тивление в Ом .см, в знаменателе – диффузионная длина неос-новных носителей в мм) и ГДГ 5.0/1.0 (германий дырочной проводимости, легированный галлием).
Германий при комнатной температуре весьма устойчив. При нагревании выше 650 °С он соединяется с кислородом воздуха, образуя диоксид германия GeO2. При высокой темпе-ратуре германий бурно реагирует с галогенами и серой. Рас-творы щелочей и вода на него не действуют, германий нерас-творим также в соляной и разбавленной серной кислотах. Под действием азотной кислоты он образует диоксид германия. Из-за нестабильности свойств окиси германия GeO2 на поверхно-сти германия, в отличие от собственного окисла кремния, он не может надежно защитить материал при проведении процессов планарной технологии.
Основные физические свойства германия и кремния при-ведены в табл. 2.2.

Таблица 2.2

Основные физические свойства кремния и германия при нормальных условиях

Свойство Ge Si
Плотность, кг/м3 5320 2330
Постоянная решетки, А 5.66 5.43
Температура плавле-ния, °С 937 1417
Ширина запрещенной зоны, эВ 0.67 1.12
Диэлектрическая про-ницаемость 16.3 11.7
Собственное удельное сопротивление, Ом•м 0.47 2•103
Собственная концен-трация носителей заря-да, м-3 2.5•1019 1016
Подвижность электро-нов, м2/(В•с) 0.39 0.13
Подвижность дырок, м2/(В•с) 0.19 0.048

По мере расширения производства и применения ПП приборов выяснилось, что из-за сравнительно малой ширины запрещенной зоны (0,67 эВ) предельная рабочая температура рn – переходов в германии составляет (70 – 80 °С).
Но и при меньших температурах приборы оказались не-достаточно стабильными вследствие высокого температурного коэффициента ширины запрещенной зоны, так что устойчивая работа приборов гарантируется только при температурах на 20 - 30 % ниже верхнего предела. По этому признаку германий не может конкурировать с кремнием, работоспособным вплоть до 120 - 150 °С. Собственное удельное сопротивление герма-ния мало, и он не пригоден для быстродействующих pin-приборов.
Главный недостаток германия – неприменимость планар-ной технологии из-за низкой температуры плавления (а вслед-ствие этого и низкой скорости диффузии примесей) и отсутст-вия пассивирующего собственного оксида германия GeO2,благодаря чему германий оказался непригодным для мас-сового производства ИС. В дискретных германиевых диодах и транзисторах, изготовленных по сплавной технологии, пре-имущества более высокой подвижности носителей и быстро-действия материала стали несущественными и не выдержали конкуренции с кремниевыми приборами, изготовленными по более совершенной и дешевой планарной технологии.
В связи с сокращением производства из германия наибо-лее массовых ПП приборов спрос на этот ПП материал стал падать, но при этом выявились и специфичные области, где он находится вне конкуренции – детектирование ядерных излуче-ний и ИК-оптика.
Детекторы ядерных излучений изготавливают из пластин германия большой площади с низкой концентрацией примесей (1016 - 1017 1/м3).
Из монокристаллов германия большого диаметра изго-тавливают линзовые объективы, необходимые для систем теп-ловидения и дистанционного измерения температуры. Эти линзы, прозрачные для ИК- излучений, фокусируют тепловое излучение на приемнике, обеспечивая высокое геометрическое разрешение. С помощью таких систем возможно различать мелкие объекты со спутников Земли; их применяют для обна-ружения целей – кораблей, самолетов, ракет.
Германий находит применение и для изготовления самих приемников этих систем: фотодиодов, фототранзисторов, фо-торезисторов.
Благодаря относительно высокой подвижности носителей заряда, германий применяют для изготовления датчиков Холла и других магниточувствительных приборов.

2.6. Полупроводниковые соединения

Карбид кремния SiC является единственным бинарным соединением элементов IV группы периодической системы, обладающим полупроводниковыми свойствами и получившим широкое применение. Ширина запрещенной зоны этого полу-проводника составляет 3,1 эВ, что определяет высокую рабо-чую температуру ПП приборов, изготовленных из этого мате-риала. В природе этот материал встречается крайне редко и в ограниченных количествах. Карбид кремния относится к алма-зоподобным полупроводникам и является электронным анало-гом простых полупроводников – элементов IVВ подгруппы пе-риодической системы (α-модификации олова (серого олова), кремния, германия, алмаза). Следствием сильных ковалентных связей между атомами кремния и углерода является очень вы-сокая химическая и температурная стабильность SiC, а также высокая твердость.
Технический карбид кремния изготавливают в электриче-ских печах при восстановлении двуокиси кремния (кварцевого песка) углеродом.
В настоящее время монокристаллы SiC выращивают из газовой фазы и из растворов в расплаве. Последний метод ис-пользуется только для эпитаксиального роста пленок карбида кремния с малыми скоростями, предотвращающими образова-ние включений второй фазы. В зависимости от технологиче-ского режима получения SiC может иметь кубическую β–модификацию или гексогональную α–модификацию. Кроме того в зависимости от технологического процесса и исходного сырья кристаллы карбида кремния получаются бесцветными, зелеными или черными, что указывает на их чистоту.
Из двух модификаций карбида кремния в полупроводни-ковой технике получил применение лишь α-карбид кремния. Основные физические свойства SiC приведены в табл. 2.3.
Карбид кремния является одним из наиболее твердых ве-ществ; он устойчив против окисления до температур свыше 1400 °С. При комнатной температуре карбид кремния не взаи-модействует ни с какими кислотами. При нагревании он рас-творяется в расплавах щелочей, а также реагирует с ортофос-форной кислотой и смесью азотной и плавиковой кислот.
Электропроводность кристаллов SiC при нормальной температуре примесная. Тип электропроводности и окраска кристаллов зависит от примесей или определяется избытком атомов Si или С над стехиометрическим составом. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен.

Таблица 2.3

Основные физические свойства карбида кремния (Т=20оС)

Плотность, кг/м3 3170
Постоянная решетки,
4,36
Модуль Юнга, ГПа 385
Температура плавления, °С 2700
Диэлектрическая проницаемость 7,0
Ширина запрещенной зоны, эВ 3,1
Подвижность электронов, м2/(В•с) 0,01
Подвижность дырок, м2/(В•с) 0,003
Электрическая прочность, 107 В/м 70

На основе монокристаллического карбида кремния воз-можно изготовление ПП приборов: мощных выпрямительных диодов, терморезисторов, тензорезисторов, фоторезисторов, счетчиков частиц высоких энергий, полевых транзисторов с хорошими частотными свойствами, СВЧ-диодов. Применение карбида кремния для различных типов ПП приборов обуслов-лено повышенными требованиями современной электроники к стабильности их параметров в условиях повышенных темпера-тур, при высоких уровнях облучения и в химически агрессив-ных средах.
Особенностью SiC является его способность к люминес-ценции во всем диапазоне видимого спектра излучения вплоть до фиолетового. Это свойство карбида кремния используется для создания светодиодов – источников излучения. Наиболее широкое распространение получили светодиоды желтого излу-чения, получаемые диффузией бора в карбид кремния n-типа, легированных азотом. К недостаткам таких светодиодов отно-сится невысокая эффективность преобразования электрической энергии в световую. Светодиоды на основе карбида кремния обладают исключительно высокой надежностью и стабильно-стью работы, практически полным отсутствием необратимого ухудшения свойств (деградации); не нуждаются в защите от внешней среды и могут выдерживать 100 – кратные токовые перегрузки, циклические перегревы до 400 оС.
На основе поликристаллического карбида кремния изго-тавливают зеркала для мощных ИК - и УФ – лазеров, варисто-ры, высокотемпературные нагреватели, волноводные поглоти-тели Из аморфных пленок SiC делают светодиоды, солнечные элементы.

2.7. Полупроводниковые соединения AIIIBV

Полупроводниковые соединения типа AIIIBV являются алмазоподобными полупроводниками и ближайшими элек-тронными аналогами кремния и германия. При образовании этих соединений в качестве элемента AIII выступают элементы III-б подгруппы периодической системы (бор, алюминий, гал-лий, индий), а в качестве элемента BV – элементы V-б под-группы (азот, фосфор, мышьяк и сурьма). Все указанные со-единения обладают полупроводниковыми свойствами. Однако из-за большой ширины запрещенной зоны (∆Э > 3 эВ) BN, AlN и GaN формально относят к диэлектрикам. Другие элементы V группы (висмут и таллий) не образуют соединений такого ти-па. Соединения AIIIBV принято классифицировать по металло-идному элементу, соответственно, различают нитриды, фосфи-ды, арсениды и антимониды.
Соединения AlAs, AlP, AlSb вследствие химической не-стабильности не применяются для изготовления ПП приборов; они используются только в виде твердых растворов с другими бинарными соединениями АIII ВV.
За исключением нитридов все соединения AIIIBV кристал-лизуются в решетке цинковой обманки кубического типа (сфа-лерит). Для нитридов характерна структура гексагонального типа (вюрцит). Элементарные ячейки этих структурных типов показаны на рис. 2.15.
Для обеих решеток характерно то, что каждый атом эле-мента III группы находится в тетраэдрическом окружении че-тырех атомов элемента V группы и наоборот. Следует отме-тить, что структура сфалерита в отличие от структуры алмаза не имеют центра симметрии.
Для соединений AIIIBV характерен особый тип химиче-ской связи, называемый донорно-акцепторной. Из четырех ко-валентных связей, которыми каждый атом встраивается в ре-шетку, три образуются обобществлением валентных электро-нов атомов AIII и BV, а четвертая связь осуществляется неподе-ленной парой валентных электронов атомов BV.
Технология получения соединений АIII ВV отличается от технологии получения элементарных полупроводников нали-чием синтеза.


Рис.2.15. Кристаллические структуры типа сфалерита (а) и вюрцита (б).

При получении неразлагающихся соединений (например, антимонидов) синтез осуществляют непосредственным сплав-лением исходных компонентов, а дальнейшая технология принципиально не отличается от технологии получения, на-пример германия.
Разлагающиеся соединения АIII ВV (арсениды и фосфиды) получают с использованием специального технологического оборудования. Для предотвращения испарения летучих компо-нентов процессы синтеза и выращивания монокристаллов про-водят в герметичных или квазигерметичных установках. Выращивание монокристаллов обычно производят направлен-ной кристаллизацией по методу Бриджмена или вытягиванием из расплава методом Чохральского, который является наиболее производительным. Выращивание монокристаллов вытягива-нием из расплавов методом Чохральского осуществляют из-под слоя инертного жидкого флюса, находящего под давлени-ем инертного газа (аргона Ar). Для получения наиболее чистых монокристаллов применяют метод бестигельной зонной плав-ки, при котором исключается контакт расплава с тиглем.
Многие ПП приборы изготавливают на основе слоев со-единений АIII ВV, полученных методом эпитаксии. Эпитакси-альное наращивание слоев осуществляют из жидкой или газо-вой фазы на подложки, вырезанные из монокристаллических слитков с определенным крсталлографическим направлением.
Основные свойства соединений AIIIBV представлены в табл. 2.3. Анализ этих результатов показывает, что полупро-водниковые соединения AIIIBV образуют гомологический ряд, в котором наблюдаются закономерное изменение многих свойств при изменении атомных номеров компонентов. Эти закономерности можно проследить с помощью диаграмм, представленных на рис. 2.16.


Рис. 2.16. Зависимости температуры плавления (пунктир-ные кривые), ширины запрещенной зоны и подвижности элек-тронов соединений AIIIBV от суммарного атомного номера.

Арсенид галлия (GaAs)- один из самых перспективных полупроводниковых материалов, так как ширина запрещенной зоны у него превышает ширину запрещенной зоны германия и кремния, но еще не очень велика (1,43 эВ). Подвижность элек-тронов у арсенида галлия выше, чем у германия и кремния, а подвижность дырок сравнима с таковой для кремния (см табл. 2.2 и 2.4). Это позволяет создавать на основе GaAS приборы, работающие в области высоких температур и высоких частот. Обычно арсенид галлия получают с электронной электропро-водностью и концентрацией электронов 1023 м-3 и выше. Полу-изолирующие кристаллы GaAs с концентрацией электронов 1015 м-3 и ниже выращивают при наличии кисророда в окру-жающей среде, а также путем диффузии меди. Снижение кон-центрации свободных электронов в таких кристаллах происхо-дит не потому, что они становятся более чистыми, а в резуль-тате компенсации примеси. Акцепторами в арсениде галлия являются цинк, кадмий, медь; донорами – сера, селен, теллур, а также элементы VI группы при малой концентрации, когда они замещают атомы галлия. При больших концентрациях элемен-ты IV группы становятся нейтральными примесями, так как входят в решетку парами, замещая атомы Ga и As.
Полупроводниковые приборы из арсенида галлия по час-тотному диапазону превосходят германиевые, а по максималь-ной рабочей температуре (до 450 °С) – кремниевые.
Антимонид индия получают сплавением в стехиометри-ческом соотношении высокочистых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают методом вытягивания из расплава. Выращивание чистых кри-сталлов не представляет особых технологических трудностей, так как температура плавления низкая (525 °С) и не один из компонентов не взаимодействует с обычно используемыми ти-гельными материалами.
Основные свойства InSb представлены в табл. 2.4 и иллю-стрируются рис.2.12. Из табл.2.6 видно, что InSb отличается малой шириной запрещенной зоны (0,18 эВ) и очень высокой подвижностью электронов [7,8 м2/(В•с)].
Вследствие малой ширины запрещенной зоны при ком-натной температуре электропроводность его становится не примесной, а собственной. В области примесной проводимости материал близок к вырождению. Фотопроводимость InSb охва-тывает широкую область, лежащую в ИК-части спектра, дохо-дя до 8мкм. Максимум фотопроводимости соответствует длине волны 6,7 мкм.
Фосфид галлия – материал с широкой запрещенной зо-ной (2,26 эВ), используемый при производстве светодиодов. Его основные физические свойства приведены в табл. 2.4.

Таблица 2.4.

Основные физические свойства соединений AIIIBV (Т=20 оС)

Соедине-ния
Тпл, оС
∆Э, эВ
µn,
м2/в. с
µp,
м2/в. с
Диэл.
прониц.
AlP

GaP

InP
1500

1465

1050
3,0

2,5

1,3
0,008

0,019

0,5
0,003

0,012

0,015
9,8

11,1

12,4
AlAs

GaAs

InAs
1600

1237

942
2,2

1,45

0,36
0,03

0,95

3,3
-

0,045

0,046
10,1

13,1

14,6

AlSb

GaSb

InSb
1050

650

525
1,6

0,72

0,18
0,02

0,4

7,8
0,055

0,14

0,075
14,4

15,7

17,7

Высокая температура плавления (около 1500 °С) и боль-шое давление паров (35•105 Па) вызывают значительные тех-нологические трудности выращивания монокристаллов GaP высокой степени чистоты. Фосфид галлия с электронной элек-тропроводностью, используемый при изготовлении светодио-дов, обычно выращивают в герметизированном объеме путем вытягивания из расплава по методу Чохральского. Фосфид галлия с концентрацией электронов 1017-1020 м-3 получают син-тезом из газовой фазы или путем компенсации, легируя GaP с электронной проводимостью медью. Наличие меди в GaP в значительной мере способствует процессу старения создавае-мых на его основе светодиодов.
Донорами в фосфиде галлия являются кислород, сера, се-лен, теллур, кремний, олово; акцепторами- магний, цинк, кад-мий, бериллий, углерод. Собственная электропроводность GaP из-за большой ширины запрещенной зоны не наблюдается да-же при 1000К.
Благодаря большой ширине запрещенной зоны, излуча-тельные переходы в фосфиде галлия происходят в видимой части спектра. Это позволило создать на его основе светодио-ды, дающие зеленое и красное свечение.
GaP относится к полупроводникам с непрямыми перехо-дами; длина волны его электромагнитного излучения зависит от положения энергетических уровней центров излучательной рекомбинации. Для светодиодов из фосфида галлия, испус-кающих красное свечение, такие уровни создают путем леги-рования GaP цинком и кислородом или кадмием и кислородом. Свечение светодиодов из GaP в зеленой области спектра полу-чают при легировании фосфида галлия азотом. Большим пре-имуществом азота как излучательного центра является то, что его можно ввести в GaP в большом количестве (до 1025 м-3) без изменения концентрации свободных носителей заряда.
Антимонид галлия относится к материалам, обнаружи-вающим признаки нестехиометрической природы соединения, так как технологическими приемами концентрацию акцептор-ной примеси в нем не удается снизить меньше чем на 1,5•1023 м-3. Основные физические свойства GaSb представлены в табл.2.6.
В отличие от других соединений группы AIIIBV антимо-нид галлия обладает чрезвычайно высокой чувствительностью к механическим напряжениям. Удельное сопротивление чисто-го GaSb увеличивается в 2 раза при воздействии давления 4•108 Па. Это изменение удельного сопротивления объясняется уменьшением подвижности электронов при приложении дав-ления к кристаллу. При таком же давлении, приложенном к кристаллам InP и GaAs, их удельное сопротивление меняется лишь на 3 %. Благодаря высокой тензочувствительности анти-монид галлия используют при изготовлении тензометров.
Твердые растворы на основе соединений АІІІ ВV по-зволяют существенно расширить набор электрофизических па-раметров, определяющих возможности применения материа-лов в полупроводниковых приборах. В группе алмазоподобных полупроводников (типа AIIIBV) распространены твердые рас-творы замещения. Необходимыми условиями образования твердых растворов являются: 1) изоморфизм кристаллических решеток компонентов, 2) близость атомных радиусов, 3) сход-ство электрохимических свойств замещаемых и замещающих атомов. Наиболее хорошо изучены тройные твердые растворы, в которых замещение происходит лишь по узлам одной из под-решеток бинарного соединения. Состав таких твердых раство-ров принято обозначать символами AXB1-XC и ACYD1-Y, где А и В – элементы III группы, С и D – элементы V группы, х - ин-декс, определяющий мольную долю соединения АВ в твердом растворе. Если твердые растворы существуют во всем диапа-зоне концентраций, то х может изменяться от 0 до 1.
Как и в бинарных соединениях AIIIBV в твердых растворах не наблюдается существенных отклонений от стехиометрии, поэтому они просты по механизму легирования, допускают возможность создания p-n-переходов.
Особый интерес к твердым растворам обусловлен воз-можностью плавного управления шириной запрещенной зоны полупроводников путем изменения их комнонентного состава. Возможные варианты этих зависимостей показаны на рис. 2.17

.

Рис.2.17. Зависимость ширины запрещенной зоны от со-става твердых растворов на основе соединений AIIIBV (Т = 20 оС): а-однотипная зонная структура; б-неодинаковая зонная структура

Как видно из рисунка, зависимость ширины запрещенной зоны от состава в некоторых системах близка к линейной, но может и существенно отличаться от нее, проявляя минимум или излом при определенном соотношении между компонен-тами. Конкретный характер зависимости во многом определя-ется типом зонной структуры соединений – партнеров.
Изменение ширины запрещенной зоны у твердых раство-ров сопровождается смещением спектров оптического погло-щения и пропускания, люминесценции и фоточувствительно-сти. С изменением состава происходит смещение примесных уровней, изменяются значения диэлектрической проницаемо-сти и показателя преломления. В ряде систем при определен-ном соотношении между компонентами можно получить каче-ственно новое сочетание свойств. Так, в твердых растворах GaAs1-yPy и AlxGa1-xAs( х и y порядка 0.3 – 0.4) достаточно широкая запрещенная зона (> 1.7 эВ) сочетается с высоким квантовым выходом межзонной излучательной рекомбинации. Такие материалы используют для создания светодиодов и лазеров красного излучения. Твердые растворы GaxIn1-xP(x = 0.5 - 0.7) обладают эффективной люминесценцией в желто-зеленой области спектра.
Монокристаллические слои твердых растворов, исполь-зуемых в приборных структурах, получают исключительно ме-тодами эпитаксии, поскольку классическими методами кри-сталлизации из расплава удается получить только однородные поликристаллические образцы. Эпитаксию твердых растворов GaAs1-yPy осуществляют на подложках GaAs и GaP с помощью газофазных реакций. В то же время монокристаллические слои AlxGa1-xAs, AlxGa1-xSb, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xP получают методом жидкостной эпитаксии с использованием галлия или индия в качестве растворителя.
Твердые растворы открывают широкие возможности соз-дания гетеропереходов и приборов на их основе. Под гетеро-переходом понимают контакт двух полупроводников с различ-ной шириной запрещенной зоны. Для получения гетеропере-ходов необходимо соответствие периодов кристаллических решеток контактируемых материалов и их коэффициентов ли-нейного расширения. Если компоненты гетеропары обладают взаимной растворимостью во всем интервале концентраций, то появляется уникальная возможность плавно изменять свойства материалов на контактной границе. Среди полупроводников AIIIBV наилучшими парами материалов для создания гетеропе-реходов являются GaAs-AlxGa1-xAs и GaSb- AlxGa1-xSb. Пре-имущества этих гетеропар заключается в том, что период ре-шетки твердых растворов AlxGa1-xAs и AlxGa1-xSb слабо зави-сит от состава и близок к периоду решетки бинарного соедине-ния(GaAs и GaSb соответственно).
Дополнительные возможности для варьирования пара-метров полупроводников при образовании идеальных гетеро-переходов возникают при использовании четырехкомпонент-ных твердых растворов типа AxB1-xCyD1-y. Среди этой группы материалов наиболее интересными являются твердые растворы GaxIn1-xAs1-yPy, в которых имеет место замещение по обеим подрешеткам при сохранении общей стехиометрии, т.е. равен-ство суммарных количеств атомов металла и металлоида. В за-висимости от состава запрещенная зона этих соединений мо-жет изменяться в пределах от 0.75 до 1.35 эВ.
Применение полупроводников AIIIBV . Многообразие свойств полупроводников AIIIBV обусловливает их широкое применение в приборах различного назначения. Светодиоды – это источники некогерентного излучения, работа которых ос-нована на явлении инжекционной электролюминесценции. Для светодиодов видимого диапазона используются GaP и Ga1-xAlxAs, светодиоды ИК-диапазона изготовляют, главным обра-зом, из GaAs, для более длинноволновой области спектра пер-спективна система In1-xGaxAs1-yPy. Излучающие структуры экономичны, обладают высоким быстродействием, хорошо со-гласуются с интегральными микросхемами. Их применяют в индикаторах, системах записи и считывания информации, оп-тронах и других приборах.
Полупроводниковые лазеры представляют собой моно-хроматические источники когерентного излучения. Для изго-товления лазеров используют прямозонные полупроводники GaAs, InAs, InSb, Ga1-xAlxAs, In1-xGaxAs1-yPy и др. Наилучшими характеристиками обладают структуры с гетеропереходами: пороговое значение плотности тока у них в десятки раз мень-ше, а КПД значительно выше, чем в гомогенных структурах. Полупроводниковые лазеры применяются в волоконно-оптических системах связи, в устройствах записи и считывания информации, в вычислительной технике, в голографии и т.д.
Фотоприемники на основе полупроводников AIIIBV обес-печивают регистрацию излучения в широком диапазоне. Узко-зонные материалы InSb и InAs являются базовыми для изго-товления фотодиодов с высокой чувствительностью в ИК-диапазоне. На основе бинарных и тройных материалов с широ-кой запрещенной зоной разработаны фотодиоды с барьером Шоттки, чувствительные к видимому и ультрафиолетовому из-лучению. Арсенид галлия потенциально является одним из лучших фоточувствительных материалов для применения в солнечных батареях. Высокой эффективностью обладают фо-топриемники с внутренним усилением, фотодиоды с гетеропе-реходом Ga1-x-AlxAs-GaAs имеют токовую чувствительность около 100 А/Вт. Фотоприемники используются в оптоэлек-тронных устройствах, системах автоматического управления.
Разновидностью фотонных приемников излучения явля-ются фотоэлектронные умножители (ФЭУ), работающие на основе внешнего фотоэффекта. Сильно легированные полу-проводники АIIIBV р-типа позволяют создавать эффективные фотокатоды и эмиттеры вторичных электронов. Фотокатоды из бинарных и тройных полупроводников с шириной запрещен-ной зоны более 1.2 эВ обладают квантовым выходом в ближ-ней ИК-области спектра на несколько порядков выше, чем фо-токатоды из традиционных материалов. К ним относятся GaAs, InAs1-xPx, In1-xGaxAs и др.
Токовая неустойчивость в сильных электрических полях, обусловленная междолинными переходами электронов, ис-пользуется для создания генераторов СВЧ-колебаний на осно-ве эффекта Ганна, работающих в диапазоне 109-1010 Гц. Наи-более полно генерация изучена в GaAs и InP, перспективными для генераторов Ганна являются твердые растворы, например In1-x GaxSb. При их использовании пороговые напряженности оказываются ниже, а потребляемая мощность значительно меньше чем для бинарных соединений.
Арсенид галлия применяется для изготовления туннель-ных диодов. Диоды на его основе, по сравнению с германие-выми, характеризуются большим отношением пикового тока к току впадины и могут работать при более высокой температу-ре. Определенный практический интерес представляют диоды из антимонида индия, обладающие лучшими свойствами при низких температурах.
На основе материалов с узкой запрещенной зоной (InSb,InAs), обладающих высокой подвижностью электронов и минимальными температурными изменениями характеристик, изготавливают магниторезисторы и датчики Холла.
В последние годы открылись широкие перспективы при-менения арсенида галлия для создания полевых транзисторов и быстродействующих интегральных схем. По сравнению с кремнием GaAs является более сложным в технологическом отношении материалом. На нем трудно вырастить стабильный собственный окисел, он не допускает диффузионного легиро-вания донорными примесями, разложение при высоких темпе-ратурах создает трудности при проведении операций отжига. Однако совершенствование техники эпитаксии, ионного леги-рования, лазерного отжига, электронно-лучевой литографии, разработка новых методов осаждения защитных слоев, позво-ляют реализовать уникальные возможности GaAs в изделиях микроэлектроники.

2.8. Полупроводниковые соединения AIIBVI

К соединениям AIIBVI относят халькогениды цинка, кад-мия и ртути. Среди них наиболее распространены сульфиды, селениды и теллуриды. Эти соединения при кристаллизации образуют два основных типа структур: кубическую, изоморф-ную сфалериту, гексагональную, изоморфную вюрциту (рис.2.15). Кристаллы кубической структуры изотропны. Хи-мическая связь элементов в соединениях - смешанная, ионно-ковалентная. По сравнению с полупроводниками АIIIBV в халькогенидах сильнее выражена ионная составляющая связи, что обусловлено большими различиями в электроотрицатель-ности элементов. При переходе в периодической системе от серы к теллуру доля ионной связи уменьшается.
Большинство халькогенидов встречается в виде природ-ных минералов. Основные физические свойства халькогенидов приведены в табл. 2.5.

Таблица 2.5

Основные свойства соединений АII ВVI (Т = 20 оС)


Соеди-нения

Тпл ,оС


∆Э, эВ

µn,м2/вc


µр, м2/вс


Тип
прово-димости
ZnS

CdS

HgS
1780

1750

1480
3,74

2,53

1,78 0,014

0,034

0,07
0,0005

0,011

-
n

n

n
ZnSe

CdSe

HgSe
1520

1260

790
2,73

1,85

0,12 0,026

0,072

2,0
0,0015

0,0075

-
n

n

n
ZnTe

CdTe

HgTe
1239

1041

670
2,23

1,51

0,08
0,053

0,12

2,5
0,003

0,006

0,02
p

n,p

n,p

Как видно из табл.2.5, для большинства параметров про-слеживаются определенные периодические закономерности. Так, например, при увеличении температуры плавления шири-на запрещенной зоны увеличивается, а подвижность носителей снижается.
Более сильное влияние ионной связи в соединениях AIIBVI по сравнению с полупроводниками АIIIBV, приводит к боль-шим значениям ширины запрещенной зоны и заниженным подвижностям носителей заряда. Подобно соединениям АIIIBV, в полупроводниках AIIBVI примеси замещения, имеющие ва-лентность меньшую валентности вытесняемых атомов, играют роль акцепторов, а примеси с более высокой валентностью яв-ляются донорами. Например, примесные атомы элементов I группы (Cu, Ag, Au), замещая Zn ли Cd в кристаллической ре-шетке полупроводника, проявляют акцепторные свойства. Атомы элементов III группы (Al, Ga, In) ведут себя как доноры с малыми энергиями ионизации. Соответственно акцепторные и донорные свойства проявляют элементы V и VII групп, за-мещающие в решетке АIIВVI атомы халькогенов.
Важная особенность полупроводников АIIВVI состоит в том, что многие из них проявляют электропроводность лишь одного типа независимо от условий получения и характера ле-гирования кристаллов. Только CdTe и HgTe могут иметь элек-тропроводность как n -, так и p- типа, в зависимости от условий изготовления и типа легирующих примесей. Это обстоятельст-во существенно ограничивает использование полупроводников АII ВVI.
Проводимость соединений АIIВVI может быть значитель-но изменена путем термообработки в парах собственных ком-понентов. Например, удельная проводимость Cds при термо-обработке в парах серы может повыситься на 10 порядков. Столь сильное изменение электрических свойств обусловлено нарушениями стехиометрического состава. Поскольку полу-проводник АIIВVI характеризуются значительной долей ионной связи, нестехиометрические дефекты ведут себя как электри-чески активные центры, в частности, вакансии в металлоидной подрешетке играют роль доноров, а вакансии в подрешетки металла ведут себя подобно акцепторам.
Таким образом, химическая чистота является необходи-мым, но не достаточным условием для получения кристаллов соединений АIIВVI с заданными свойствами. Требуется управ-лять степенью дефектности кристаллической решетки, т. е. концентрацией вакансий. Следует добавить , что акцепторы обладают малой растворимостью в полупроводниках АIIВVI и, как правило, образуют глубокие уровни.
Технология выращивания монокристаллов соединений АIIВVI более сложна, чем технология получения полупровод-ников АІІІ ВV, так как широкозонные полупроводники АIIIВV обладают высокими температурами плавления и высокими давлениями диссоциации в точке плавления. Синтез исходных соединений АIIВVI чаще всего осуществляется с помощью ре-акций обменного разложения, протекающих в водной среде. Так, например, сульфид цинка осаждают из водного раствора сульфата ZnSО4 пропусканием через него сероводорода или сернистого натрия, аммония либо бария. Селенид цинка как и селенид кадмия получают из водных растворов солей этих элементов с помощью H2Se. В тоже время теллуриды цинка и кадмия получают сплавлением исходных элементов в вакууме. Выращивание монокристаллов тугоплавких соединений типа АIIВVI в большинстве случаев осуществляется перекристалли-зацией предварительно синтезированных соединений через па-ровую фазу в запаянных кварцевых ампулах.
Твердые растворы соединений АIIВVI. Двойные сплавы многих сульфидов, селенидов и теллуридов цинка, кадмия и ртути образуют непрерывный ряд твердых растворов, которые имеют структуру сфалерита (рис. 2.15 а). Системы ZnS-CdS и ZnS-ZnSe широко применяются в качестве люминофоров. Из других систем такого типа наиболее изученным является сплав CdTe-HgTe, который образует семейство полупроводни-ков CdxHg1-xTe. Слитки этих твердых растворов получают сплавлением исходных бинарных соединений или элементов в вакуумированных кварцевых ампулах при температуре 800°С. Монокристаллы этих соединений получают методом направ-ленной кристаллизации расплава, вертикальной зонной плав-кой и вытягиванием из расплава. Для гомогенизации необхо-дим длительный отжиг. Тонкие слои CdxHg1-xTe получают ме-тодом «взрывного» испарения мелких частиц сплава с после-дующим прогревом образовавшейся пленки.
Применение полупроводников АIIВVI . Из всех соедине-ний AIIВVI наиболее широко применяются сульфид цинка ZnS и сульфид кадмия CdS. Сульфид цинка широко используется как основа многих промышленных люминофоров. Люминофо-ры на основе ZnS применяются в светотехнике, при изготовле-нии электронно-оптических преобразователей, телевизионных, радиолокационных и осциллографических трубок, для экранов рентгеновского излучения, в преобразователях изображений. Такие люминофоры отличаются высокой яркостью и светоот-дачей в видимой области спектра. Цвет свечения, длительность послесвечения и другие параметры могут регулироваться в широких пределах изменением типа активатора и режима ак-тивировки, а также частичной заменой ZnS на ZnSe или CdS. Недостатком электролюминесцентных устройств на основе ZnS является относительно высокая скорость деградации при-боров (ухудшений свойств), обусловленная усилением ионного характера химической связи, стимулирующим процессы элек-тролиза.
Сульфид кадмия широко используется в оптоэлектронике для изготовления фоторезисторов, люминофоров, в твердо-тельных преобразователях изображения и усилителях света. Пленки CdS, как и ZnS, обладают пьезоэффектом и использу-ются в некоторых акустических устройствах.
Помимо сульфида кадмия для изготовления фоторезисто-ров, чувствительных к видимому излучению, используют пленки и спеченные порошкообразные соли селенида кадмия. Кроме того, CdSe применяется в качестве оптического мате-риала, прозрачного в ИК-части спектра.
Теллурид и селенид цинка обладают электролюминес-центными и фоторезистивными свойствами, последний имеет высокую оптическую прозрачность в ИК-диапазоне и в виде оптической керамики применяется для изготовления входных окон и линз.
Узкозонные полупроводники АIIВVI представляют инте-рес для создания приемников далекого ИК-излучения. Особое внимание привлекают твердые растворы CdxHg1-xTe, на основе которых созданы фотоприемники (фоторезистивные и с элек-тронно-дырочным переходом), чувствительные в диапазоне волн 1-15 мкм и имеющие быстродействие до 10-8 с. Монокри-сталлы CdxHg1-xTe используются в диодных лазерах, которые при охлаждении жидким азотом или гелием генерируют излу-чение с длинами волн 4-12 мкм.
Пленки из селенида и теллурида ртути, благодаря высо-кой подвижности электронов, применяют для изготовления высокочувствительных датчиков Холла. Высокая эффектив-ность излучательной рекомбинации в полупроводниках АIIВVI позволяет использовать монокристаллы этих соединений в ка-честве рабочего тела полупроводниковых лазеров, возбуждае-мых электронным пучком.

2.9. Полупроводниковые соединения АIVВVI

Полупроводниковые соединения группы АIVВVI включа-ют в себя халькогениды элементов IV группы периодической системы. Халькогениды свинца, теллурид олова SnTe и высо-котемпературная модификация теллурида германия ß-GeTe кристаллизуются в кубической структуре типа NaCl. Сульфи-ды и селениды германия и олова кристаллизуются в ортором-бической решетке типа SnS. Такую же кристаллическую ре-шетку имеет и теллурид германия модификации γ-GeTe. Ор-торомбическую решетку можно рассматривать как деформиро-ванную решетку типа NaCl, где каждый атом имеет окружение в виде сильно искаженного октаэдра.
Среди соединений АIVВVI наиболее изученными являются халькогениды свинца. Сульфид, селенид и теллурид свинца в естественном состоянии встречаются в виде минералов гале-нита, клаусталита и алтаита. Первый минерал является одной из самых распространенных руд свинца, два других в природе обнаруживаются довольно редко.
Основные физические свойства халькогенидов германия, олова и свинца приведены в табл. 2.6, сведения о халькогени-дах кремния крайне ограничены.

Таблица 2.6.

Некоторые свойства бинарных соединений АIVВVI
(Т = 20 оС)

Соеди-нения

Тпл, оС

∆Э, эВ
µn,
м2/в*с
µр, м2/в*с
Диэл.
прониц.

GeS
SnS
PbS
665
880
1113
1,8
1,08
0,41
-
-
0,061
-
0,009
0,062
-
-
175

GeSe
SnSe
PbSe
675
879
1080
1,16
0,9
0,29
-
-
0,104
0,007
0,011
0,1 -
-
250

GeTe

SnTe

PbTe
725

790

923 0,1

0,18

0,32 -

-

0,17 0,005-
0,015
0,005-
0,04
0,084
40

1170

400

Анализ этих данных показывает наличие характерной за-висимости уменьшения ширины запрещенной зоны бинарного соединения при увеличении атомного номера элемента VI группы. Эта зависимость хорошо выполняется при переходе от сульфидов к теллуридам. Однако для PbS, PbSe, PbTe моно-тонного уменьшения ширины запрещенной зоны не наблюда-ется.
Халькогениды свинца обладают электропроводностью n- типа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимостью p- типа при избытке халькогена. В случае очень большого количества избыточных атомов свинца в PbS возникают металлические мостики. Такие образцы в электрическом отношении ведут себя как металлический сви-нец. Для них наблюдается сверхпроводимость при температу-рах ниже 7,2 К. Атомы элементов I группы (Na, Cu, Ag) заме-щают свинец в халькогенидах и являются акцепторами, трех-валентные металлы (например, Bi) – донорами. Донорами яв-ляются и галогены VII группы.
С увеличением температуры край собственного поглоще-ния халькогенидов свинца смещаются в сторону более корот-ких длин волн. Это объясняется тем, что ширина запрещенной зоны халькогенидов свинца (PbS, PbSe, PbTe) в отличие от большинства других полупроводников возрастает с повышени-ем температуры, причем температурные коэффициенты ∆ Э очень близки (рис. 2.18).
Для халькогенидов свинца характерна слабая темпера-турная зависимость коэффициентов Холла при температурах от гелиевых до комнатной и даже выше. Это свидетельствует об отсутствии зависимости концентрации носителей заряда от температуры. Халькогениды олова всегда проявляют электро-проводность p-типа. У этих соединений, обладающих слоистой структурой, наблюдается резкая анизотропия свойств. Напри-мер, проводимость в направлении, параллельном оси С, в шесть раз меньше, чем в перпендикулярном направлении. Холловская подвижность в различных кристаллографических направлениях также различна и изменяется по-разному при изменении температуры.





Рис. 2.18. Температурные зависимости ширины запре-щенной зоны для халькогенидов свинца.

Для теллурида олова SnTe в отличие от сульфида SnS и селенида олова SnSe наблюдаются аномальные зависимости эклектических свойств от концентрации носителей и темпера-туры. Это прежде всего относится к коэффициенту термо-ЭДС, значение которого возрастает при увеличении концентрации дырок вместо монотонного его уменьшения, как это следует из однозонной модели. В интервале температур 100 - 700 К на-блюдается рост коэффициента Холла при увеличении темпера-туры. Аномальный характер имеют также температурные зави-симости удельной проводимости и коэффициента термо-э.д.. Указанные особенности можно объяснить с помощью модели двух валентных зон с различной плотностью состояний, разде-ленных энергетическим зазором.
Зависимость электрических свойств теллурида германия GeTe от концентрации дырок и температуры также как и тел-лурида олова носит аномальный характер. Зависимости прово-димости от концентрации дырок, как это показано на рис. 2.19, имеют максимум.




Рис. 2.19. Зависимость удельной проводимости теллурида германия от концентрации дырок при разной температуре: 1-120 К; 2-200 К; 3-300 К; 4-400 К

Аномальный характер носит и температурная зависи-мость коэффициента термо-ЭДС. Теллурид германия как и теллурид олова обладает сверхпроводящими свойствами.
Для получения монокристаллов бинарных соединений АIVВVI могут быть использованы все известные традиционные методы: осаждение из газовой фазы, метод Бриджмена-Стокбаргера, метод Чохральского или метод медленного охла-ждения расплава с использованием естественного градиента температуры печи.
Твердые растворы на основе бинарных соединений АIVВVI.Среди твердых растворов соединений АIVВVI наиболь-ший практический и научный интерес представляют соедине-ния систем PbTe-SnTe, PbSe-SnSe и PbS-SnS. Теллурид олова имеет такую же кристаллическую структуру как и теллурид свинца, поэтому система PbTe-SnTe характеризуется неогра-ниченной растворимостью компонентов друг в друге как в жидком так и в твердом состоянии без образования химиче-ских соединений. При охлаждении расплава PbTe-SnTe кри-сталлизуются твердые растворы Pb1-xSnxTe, причем образуется непрерывный ряд твердых растворов. Кристаллическая струк-тура твердых растворов Pb1-xSnxTe, образованных бинарными соединениями с решеткой типа NaCl , представляет собой так-же гранецентрированную кубическую решетку.
Необычный характер имеет зависимость ширины запре-щенной зоны от состава твердого раствора Pb1-xSnxTe, пред-ставленная на рис.2.20
Значение ширины запрещенной зоны уменьшается с рос-том содержания SnTe и увеличивается при повышении темпе-ратуры, при некотором соотношении между компонентами ширина запрещенной зоны обращается в нуль. В соответствии с моделью инверсии зон ширине запрещенной зоны SnTe при-писывают отрицательные значения, чтобы подчеркнуть, что зоны в SnTe инвертированы относительно своего положения в PbTe. Точка инверсии сдвигается в сторону большего содер-жания SnTe при увеличении температуры. Твердые растворы, обогащенные SnTe, имеют отрицательное значение d(∆Э)/dT.
Иверсия зоны проводимости и валентной зоны оказывает существенное влияние на электрические свойства твердых рас-творов. Например, на температурных зависимостях удельного сопротивления появляются изломы при температурах инверсии зон.


Рис. 2.20. Влияние состава на ширину запрещенной зоны твердых растворов Pb1-xSnxTe

Другой характерной особенностью зонной структуры твердых растворов Pb1-xSnxTe является сложное строение ва-лентной зоны, состоящей из двух подзон с различной плотно-стью состояний.
В равновесном состоянии SnTe всегда содержит избыток Тe и неизменно проявляет электропроводность p- типа с кон-центрацией дырок порядка 1025 м-3 , аналогичное поведение характерно и для твердых растворов, обогащенных SnTe. По-этому существует ограниченный диапазон составов Pb1-xSnxTe, в которых можно осуществлять инверсию типа электропро-водности и получать р-n- переходы. В этих твердых растворах легче чем в исходных бинарных соединениях уменьшить от-клонение от стехиометрии, благодаря чему можно получать материалы с относительно невысокой концентрацией носите-лей заряда (менее 1022 м-3).
В системе на основе бинарных соединений PbSe-SnSe, принадлежащих к различным структурным типам, установлено существование ограниченных областей твердых растворов. Твердые растворы Pb1-xSnxSe в области составов 0,75 < x < 1 кристаллизуются в орторомбической решетке. Для монокри-сталлов Pb1-xSnxSe в области составов 0 < x < 0,3 характерна высокая концентрация дырок, которая обусловлена наличием ионизированных собственных дефектов, связанных с отклоне-нием состава от стехиометрического. Изотермический отжиг позволяет контролировать это отклонение.
Зависимость ширины запрещенной зоны Pb1-xSnxSe от со-става имеет вид, аналогичный зависимости, представленной на рис. 2.20. Для твердых растворов с достаточно высоким содер-жанием олова зависимость ширины запрещенной зоны от со-става и температуры противоположна по знаку аналогичным зависимостям для PbSe. Такая перемена знака свидетельствует о том, что для Pb1-xSnxSe применима та же модель инверсии зон, что и для Pb1-xSnxТe.
В системе PbS-SnS обнаружен непрерывный ряд твердых растворов, соответствующий составу 17% (мол.) PbS и темпе-ратуре 1110 К. В связи с родственным характером зонной структуры теллурида и сульфида свинца следует ожидать ин-версии зон в твердых растворах системы PbS-SnS аналогично Pb1-xSnxТe. Однако исследование зависимости ширины запре-щенной зоны от состава ограничены тем, что область твердых растворов на основе PbS и решеткой типа NaCl простирается только до значения x=0,1.
Методы получения кристаллов твердых растворов соеди-нений АIVВVI такие же как и для бинарных соединений этой группы.
Применение полупроводников АIVВVI. Полупроводнико-вые соединения АIVВVI широко применяются в качестве детек-торов ИК-излучения. Так, например, тонкие пленки и поли-кристаллические слои халькогенидов свинца обладают высо-кой фоточувствительностью в далекой ИК-облсти спектра. При этом «красная» граница внутреннего фотоэффекта с пониже-нием температуры смещается в длинноволновую область. Бла-годаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогениды свинца широко используются для изготовления фоторезисто-ров. При низких температурах в этих материалах возможна эффективная излучательная рекомбинация, что позволяет соз-давать на их основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, халькогениды свинца применяются для изготовления термо-элементов полупроводниковых термоэлектрических генерато-ров.

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:15 + в цитатник
Критическая напряженность магнитного поля зависит от температуры. При Т = Тсв она обращается в нуль, но монотон-но возрастает при стремлении температуры к нулю градусов Кельвина.



Рис.1.9. Зависимость магнитной индукции внутри сверхпроводника от напряженности внешнего магнитного по-ля: а- сверхпроводник I рода; б- сверхпроводник II рода
Область промежуточного состояния у сверхпроводников II рода расширяется при понижении температуры, Нсв1 и Нсв2 могут различаться в сотни раз. Для сверхпроводников I рода Нсв1 составляет ~105А/м, а у сверхпроводников II рода Нсв2 мо-жет превышать 107А/м.
При переходе в сверхпроводящее состояние наблюдает-ся скачкообразное изменение удельной теплоемкости. Тепло-проводность при Тсв также изменяется, однако значительно меньше чем электропроводимость. Поэтому соотношение Ви-демана-Франца для проводника в сверхпроводящем состоянии не выполняется.
Согласно теории БКШ максимальное значение Тсв не может быть больше 30-40 К, поэтому возможность создания высокотемпературных сверхпроводников считалась маловеро-ятной. Однако не исключены и иные механизмы сверхпрово-димости, например электронный или экситонный. Как было показано выше, при образовании куперовской пары кристал-лическая решетка, поляризованная электронами, выступает в роли посредника. Можно предположить, что существует дру-гая среда, обеспечивающая сильное межэлектронное притяже-ние.В кристаллах могут происходить процессы, в которых на сравнительно короткое время помимо фононов появляются и другие частицы. Например, в диэлектриках при возбуждении электроны из заполненной (валентной) зоны перебрасываются в зону проводимости и становятся свободными. Однако воз-можно и другое течение процесса, когда возбужденный элек-трон не разрывает связи с дыркой, возникшей в заполненной зоне, а образует с ней единую связанную систему наподобие атома водорода. Такую систему можно рассматривать как еди-ную частицу, называемую экситоном. Обмен экситонами, также как и обмен фононами, может приводить к притяжению между электронами.
Другое направление было предложено академиком В.Л. Гинзбургом: речь идет об осуществлении сверхпроводимости на поверхности кристалла или в тонком металлическом слое с помощью вспомогательных покрытий. При определенных ус-ловиях электроны в таком покрытии могут воздействовать на электроны в поверхностном слое металла, увеличивая их вза-имное притяжение. Такой эффект может привести к значи-тельному повышению Тсв. Наиболее обещающей с этой точки зрения является сложная структура, состоящая из тонкой ме-таллической пленки и прилегающих к ней с обеих сторон слоев диэлектрика.
Американский физик Литтл предложил искать высоко-температурную сверхпроводимость у полимеров особой струк-туры. Схематически модель органического сверхпроводника , предложенная Литтлом представлена на рис. 1.10.

Рис. 1.10. Схематическая модель органического сверх-проводника.
Она состоит из длинной полимерной нити с ответвле-ниями по бокам. Основное в этой модели - существование двух групп электронов: электроны проводимости движутся по про-водящим полимерным нитям, а электроны-посредники распо-лагаются в боковых ответвлениях. Когда электрон проводимо-сти проходит около ответвления, он наводит на короткое время положительный заряд на конце ответвления, примыкающего к главной нити. Другой электрон проводимости притягивается к области положительного заряда и поэтому косвенно притяги-вается первым электроном – картина похожая на образование кулеровских пар.
Сверхпроводящие материалы. Сверхпроводимостью обладают 26 металлов, большинство которых являются сверх-проводниками I рода со значением Тсв ниже 4.2 К. В этом за-ключается одна из причин того, что большинство сверхпрово-дящих металлов не удается применить для радиотехнических целей. Еще 13 элементов проявляют сверхпроводящие свойст-ва при высоких давлениях (кремний, германий, селен, теллур, сурьма и др.). Следует заметить, что сверхпроводимостью не обладают металлы, являющиеся наилучшими проводниками при нормальных условиях (золото, медь, серебро). Малое со-противление этих материалов указывает на слабое взаимодей-ствие электронов с решеткой. Такое слабое взаимодействие не создает вблизи абсолютного нуля достаточного межэлектрон-ного притяжения, способного преодолеть кулоновское оттал-кивание и сформировать куперовские пары. Поэтому и не про-исходит переход в сверхпроводящее состояние.
Температура перехода в сверхпроводящее состояние за-висит не только от химического состава но и от модификации самого кристалла. Например, одна из модификаций висмута может быть несверхпроводящей вилоть до очень низких тем-ператур, в то время как другие модификации обнаруживают сверхпроводимость. Берилий. в свою очередь, является сверх-проводником только в тонкопленочном состоянии.
До недавнего времени перспективным сверхпроводящим материалом считается ниобий. У ниобия наивысшая темпера-тура перехода среди чистых элементов -9,2 К. Однако критиче-ские поля у ниобия все же недостаточны для его широкого применения (Всв1 = 0,16 Тл, Всв2 = 0,24 Тл), поэтому этот ма-териал в чистом виде не всегда применим. Кроме чистых ме-таллов сверхпроводимостью обладают многие интерметалли-ческие сплавы и соединения. В 1961 при изучении сплава ниобия с оловом (Nb3Sn) были обнаружены уникальные сверх-проводящие свойства этого соединения. Проволока Nb3Sn ос-тавалась в сверхпроводящем состоянии в магнитном поле ин-дукцией В = 8,8 Тл даже в том случае, когда по ней одновре-менно пропускали ток плотностью 1 кА/мм2.
На сегодняшний день открыто и изучено более 2000 сверхпроводящих сплавов и интерметаллических соединений. Среди них самыми высокими критическими параметрами об-ладают сплавы и соединения ниобия (табл. 1. 4).Эти вещества переходят в сверхпроводящее состояние при достаточно высо-ких температурах и могут выдерживать достаточно сильные магнитные поля, исчисляемые десятками тесла. Велики также их критические токи. Так, при температуре 4,2 К при индукции внешнего поля 2,5 Тл для Nb-Zr критическая плотность тока составляет 1 кА/мм2; для Nb-Ti-2,5; Nb3Sn-17; V3Ga-5 кА/мм2.
Сверхпроводимость никогда не наблюдается в системах, в которых существует ферро – или антиферромагнетизм.
В полупроводниках и диэлектриках сверхпроводимости препятствует малая концентрация свободных электронов.

Таблица 1.4
Основные свойства сверхпроводящих сплавов.

Материал Тсв, К Всв2, Тл при
Т= 4,2 К
Nb-Zr 9-11 7-9
Nb-Ti 8-10 9-13
Nb3Sn 18 22-25
Nb3Al1-xGex ~20 40
Nb3Ga ~20 34
Nb3Ge 23,2 37
V3Ga 14,5 21
V3Si 17 23
MexMo6Se 10-14 50-60

Однако в материалах с высокой диэлектрической прони-цаемостью силы отталкивания между электронами значитель-но ослаблены, поэтому некоторые из них проявляют свойства сверхпроводников при низких температурах. Примером может служить титанат стронция SrTiO3, относящийся к сегнетоэлек-трикам. Ряд полупроводников удается перевести в сверхпрово-дящее состояние добавлением легирующих примесей (GeTe, SnTe, CuS и др.).
Высокотемпературные сверхпроводники. Одной из главных научно-технических задач физики сверхпроводимости оставалось повышение Тсв, однако прогресс, достигнутый за 75 лет, был очень небольшим (рис. 1.11). В 1974 г. Слейтом были открыты новые сверхпроводящие материалы, названные ла-тинской аббревиатурой ВРВ. Их состав – барий, свинец, вис-мут, кислород: BaPb – xBixO3 (0 ≤ x ≤0,3). При х = 0,25 в этой системе была достигнута Тсв = 13 К- наибольшая среди мате-риалов, не содержащих атомов переходных и редкоземельных элементов. Кроме того, максимальная концентрация электро-нов в этом веществе в сотни раз меньше чем в обычных метал-лах. В конце 1986 г. Д.Беднорц и К.Мюллер нашли удачную замену ВРВ-элементам и впервые преодолели «неоновый барь-ер». Были получены сверхпроводящие керамические оксидные образцы, содержащие лантан, барий, медь, кислород со значе-нием Тсв = 35 К. В 1987 г, на образцах иттриево – бариево – медной керамики состава YBa2Cu3O7 была достигнута темпе-ратура перехода Тсв = 102 К. Иттриевые керамики полностью теряли сопротивление электрическому току при температуре, превышающей температуру жидкого азота, так что азот теперь мог использоваться в качестве хладагента.
Путем экспериментального подбора технологии обра-ботки в течении нескольких месяцев был преодолен и «азот-ный рубеж». Одновременно столь же усилено отодвигался и магнитотоковый барьер. В самые последние годы были обна-ружены неустойчивые фазы керамических материалов, в кото-рых наблюдались переходы при температуре 230 - 250 К и да-же при комнатной температуре, однако образцы с такими пе-реходами нестабильны. Ближайшей задачей является выясне-ние природы таких переходов и выделение сверхпроводящей фазы. Особенность новой керамики – слоистая структура типа перовскита, благоприятствующая образованию пар экситонно-го типа.

Рис. 1.11 Температура сверхпроводящего перехода раз-личных сверхпроводников.
Кроме того, наряду с ионами Cu2+ в керамике присутст-вуют и необычные ионы Cu3+, обмен зарядами между которы-ми обеспечивает сравнительно высокую электропроводность керамики уже при обычных температурах, т.е. в её резистив-ном состоянии. Предполагается, что в зависимости от степени окисления и, значит, от концентрации упорядоченных вакан-сий кислорода в керамике возникают различные кристалличе-ские фазы, лишь часть из которых обладает сверхпроводимо-стью. Этим объясняется размытый, растянутый на несколько градусов переход. Понятно, сколь большие перспективы от-кроются в случае, если фазовым составом керамики удастся управлять, исключив из него ненужные фазы или заменив их компонентами, которые сделают её пластичной. Тем не менее ясно, что это высокотехнологичный материал, который можно получить в виде тонких и толстых пленок.
Криопроводники. Криопроводниками (или гиперпро-водниками) называются материалы, которые при криогенных температурах (но выше Тсв), обладают очень низким значением удельного сопротивления, в сотни и тысячи раз меньшего, чем при нормальной температуре. Важно отметить, что с физиче-ской точки зрения явление криопроводимости отличается от явления сверхпроводимости. Конечное значение удельного со-противления криопроводника при низких температурах огра-ничивает допустимую плотность тока в нем, хотя эта плот-ность может быть намного выше, чем в проводниках при нор-мальной температуре. Криопроводники, у которых удельное сопротивление плавно меняется с изменением температуры, нельзя использовать в устройствах, основанных на триггерном эффекте появления и нарушения сверхпроводимости. Однако применение криопроводников в электрических машинах, элек-тромагнитах, кабелях и т.п. имеет существенные преимущест-ва. Так, если в сверхпроводящих устройствах применяют жид-кий гелий, то для работы криопроводников требуются более дешевые хладагенты - жидкий водород и жидкий азот. Кроме того, в сверхпроводниковом устройстве, например, электро-магните, по обмотке которого проходит сильный ток, накапли-вается большое количество энергии магнитного поля. Если случайно повысится температура или магнитная индукция хотя бы в малом участке сверхпроводящего контура, сверхпроводи-мость будет нарушена, внезапно освободится большое количе-ство энергии, что может вызвать серьезную аварию. В случае криопроводниковой цепи повышение температуры может вы-звать лишь постепенное возрастание сопротивления без эф-фекта «взрыва».
На рис. 1.12 представлена температурная зависимость удельного сопротивления некоторых металлов.

Рис.1.12. Зависимость удельного сопротивления от тем-пературы для некоторых металлов: 1- медь; 2- алюминий; 3- бериллий; 4- натрий (сплошные кривые относятся к особо чис-тым металлам, пунктирные 1/ и 2/ – к технической меди и алю-минию соответственно).
Значительный интерес для использования в качестве криопроводника помимо металлов высокой проводимости-меди и алюминия, представляет бериллий, который имеет наи-меньшее значение удельного сопротивления при азотных тем-пературах. Во всех случаях для получения криопроводников требуются металлы высокой чистоты в отожженном состоя-нии.
Применение сверхпроводников. Сверхпроводящие ма-териалы изготавливаются в виде проволок, лент и пленок са-мого различного назначения. Изготовление таких проводников связано с большими технологическими трудностями. Они обу-словлены плохими механическими свойствами многих сверх-проводников, их низкой теплопроводностью и сложной струк-турой проводов. Особенно большой хрупкостью отличаются интерметаллические соединения и керамики, поэтому вместо простых проволок и лент, приходится создавать композиции из двух (обычно сверхпроводник с медью) и более металлов. Для получения многожильных проводов из хрупких интерметалли-дов применяется сложный бронзовый метод (или метод твер-дофазной диффузии). По этому методу прессованием и воло-чением в несколько стадий создается композиция из тонких нитей ниобия (не более 50 мкн) в матрице из оловянной брон-зы. При нагреве олово диффундирует в ниобий, образуя на его поверхности тонкую (20 - 25 мкм) сверхпроводящую пленку станннида ниобия Nb3Sn. Такой жгут может изгибаться, но пленки остаются целыми.
Одно из главных применений сверхпроводников связан-но с получением сверхсильных магнитных полей. Сверхпрово-дящие соленоиды позволяют получать однородные магнитные поля напряженностью свыше 107А/м, к тому же в этих магнит-ных системах циркулирует незатухающий ток, поэтому не тре-буется внешний источник питания. Сверхпроводящие магниты позволяют в значительной мере уменьшить габариты и потреб-ление энергии в ускорителях элементарных частиц. Перспек-тивно использование сверхпроводящих магнитных систем для удержания плазмы в термоядерных реакторах, в МГД-преобразователях тепловой энергии в электрическую. Приме-нение сверхпроводников позволяет обойтись без магнитопро-водов из электротехнической стали, что позволяет в 5 - 7 раз уменьшить массу и габариты изделий при сохранении мощно-сти. Значительное внимание уделяется разработке сверхмощ-ных трансформаторов (десятки- сотни мегаватт) и сверхпрово-дящих линий электропередач. Разработаны импульсные сверх-проводящие катушки для питания плазменных пушек и систем накачки твердотельных лазеров. В радиотехнике начинают ис-пользовать сверхпроводящие объемные резонаторы, обладаю-щие, благодаря ничтожно малому электрическому сопротивле-нию, очень высокой добротностью.
На основе сверхпроводников были созданы туннельные криотроны - элементы, на которых можно выполнить ячейки ЭВМ с уникальными возможностями. Достоинствами таких ячеек являются высокое быстродействие (время срабатывания криотронного элемента10-10 - 10-11с), сверхмалые потери (энер-гия, выделяемая при каждом переключении 10-17 Дж) и чрезвы-чайная компактность. Используя БИС на основе криотронов со степенью интеграции 105-106, можно создать машину произво-дительностью более 1010 операций в секунду с рассеиваемой мощностью менее 1 ватта. С такими параметрами полупровод-никовые элементы конкурировать не могут. Широкие возмож-ности для сверхпроводников открывает измерительная техни-ка, поскольку сверхпроводящие элементы позволяют регист-рировать очень тонкие физические эффекты, измерять с высо-кой точностью и обрабатывать большое количество информа-ции. Уже созданы высокочувствительные болометры для реги-страции чрезвычайно слабого ИК-излучения с уровнем флук-туационных шумов 10-16 Вт, магнитометры для измерения сла-бых магнитных потоков - СКВИДы, индикаторы сверхмалых напряжений и токов. Сверхпроводящие гальванометры, на-пример, обладают чувствительностью в 100- 1000 раз выше обычных; благодаря чрезвычайно малому внутреннему сопро-тивлению, они способны уловить напряжения порядка 10-11 - 10-12 В. Сверхпроводящие детекторы могут быть использованы для регистрации элементарных частиц, их отличает сверхбыст-родействие : за 1с такой счетчик способен регистрировать 10 млн. частиц.
Области применения сверхпроводников и приборов на их основе постоянно расширяются.
1.6. Припои
Припои представляют собой специальные сплавы, при-меняемые при пайке. Пайку применяют для создания механи-чески прочного (иногда герметичного) шва и получения на-дежного электрического контакта с малым переходным сопро-тивлением. При пайке места соединения и припой нагревают до температуры, превышающей температуру плавления при-поя. Так как припой имеет температуру плавления значительно ниже чем соединяемые металлы, то он плавится, растекаясь по металлу и заполняя зазоры между соединяемыми деталями. При этом припой диффундирует в металл, а металл растворя-ется в припое, в результате чего образуется промежуточная прослойка, которая после застывания соединяет детали в одно целое.
Припои принято делить на две группы – мягкие и твер-дые. К мягким относятся припои с температурой плавления ниже 300 °С, к твердым - выше 300 °С. Кроме температуры плавления припои существенно различаются механической прочностью. Мягкие припои имеют предел прочности при рас-тяжении 16 – 100 МПа, твердые – 100- 500 МПа.
Тип припоя выбирают в зависимости от рода спаивае-мых металлов или сплавов, требуемой механической прочно-сти, коррозионной стойкости, стоимости и (при пайке токове-дущих частей) электрической проводимости припоя.
Название припоя, как правило, определяется металлами, входящими в него в наибольшем количестве. Обозначение ма-рок припоев складывается из букв и цифр, обозначающих ком-поненты припоя и их содержание: буква П – обозначает при-пой, О – олово, С – свинец, К – кадмий, Ср – серебро, В - вис-мут.
При производстве РЭС применяют следующие мягкие оловянисто-свинцовые припои.
ПОС-40 (Тпл = 238 оС) применяют для пайки токопро-водящих деталей, не боящихся перегрева и при неответствен-ной пайке, проводов с монтажными лепестками.
ПОС-61 (Тпл = 190 оС) –это эвтектический сплав олова со свинцом с содержанием олова около 61 %. Он применяется для ответственной пайки радиоэлементов при навесном мон-таже на печатных платах, для пайки тонких проводов и лит-цендратов. Пайка на печатных схемах обычно осуществляется волной припоя.
ПОСК 50-18 (Тпл = 145 оС) содержит 50 % олова, 18 % кадмия, остальное свинец. Этот припой применяют при пайке элементной базы РЭС, чувствительной к перегреву (например интегральные схемы). Припой ПОСК-50 - 18 используется как при навесном, так и поверхностном монтаже. Но этот припой не применяют в том случае, когда пассивная часть (выводы) радиоэлементов (для навесного или поверхностного монтажа) покрыты золотом или серебром. В этом случае кадмий с золо-том или серебром образует интерметаллические соединения, снижающие механическую прочность (шов становится хруп-ким) и увеличивающие сопротивление места пайки, что приво-дит к отказу устройства.
ПОССр-3,5-58 (Тпл = 190 оС) содержит 3,5 % серебра. Этот припой применяют при пайке радиоэлементов, выводы которых покрыты золотом или серебром.
При поверхностном монтаже припой применяют в виде клеющей пасты с наполнителем из соответствующего припоя в виде порошка. Паста наносится через трафарет на основание печатной платы и после установки радиоэлементов происходит пайка инфракрасным или ультрафиолетовым нагревом, в ре-зультате чего происходит расплавление припоя и выгорание органических наполнителей.
Кроме перечисленных припоев есть мягкие припои с температурой плавления ниже 100 оС. Например, сплав Вуда (50 % Вi, 25 % Pb, 12,5 % Sn, 12,5 % Cd) имеет температуру плавления всего 60,5 °С; сплав Розе (50 % Bi , 25 % Pb, 25 % Sn) с Тпл = 94 оС. Эти припои применяют для специаль-ной пайки.
При пайке припоями применяют флюсы, которые не должны вызывать коррозию паяемых металлов. При пайке мягкими припоями используют флюсы марок: ФК (канифоль), ФКСП (раствор канифоли в этиловом спирте), ФКТС (кани-фоль, салициловая кислота, триэталонамин). Флюсы для пайки твердыми припоями обычно содержат хлористый цинк (ZnCl) и глицерин, их марки ФХ, ФЦХ. Для пайки алюминия приме-няют флюсы, содержащие следующие химические соединения: LiCl, KCl, NaCl, NaF, KF.
Стандартными твердыми припоями являются медно-цинковые и серебряные припои. Например, ПМЦ-54 – припой медно – цинковый, Сu 54 %; ПСр-40 – припой серебряный, Ag40 %. В таб. 1.5 и 1.6 представлены свойства и назначение некоторых стандартных припоев.

Таблица 1.5
Свойства некоторых стандартных оловянно-свинцовых припоев


Марка Ткр ,°С
с . 108,
Ом∙м
∆l/l, %
у, МПа

начала конца

ПОС-40
238
183
15,9
52
38

ПОС-61
190
13,9
46
43

ПОСК-50-18
145
142
13,3
40
-



Пайка алюминия и его сплавов производится специально разработанными для этой цели припоями, содержащими Al, Cu, Zn, Sn, Si, Cd в различных сочетаниях.
Кроме припоев, описанных выше, в радиоэлектронной промышленности применяют припои, состав и назначение ко-торых определяется требованием отраслевого стандарта. Это большая группа серебряных, золотых, а также небольшое чис-ло медно-никелевых, медно-германиевых и других припоев.

Таблица 1.6

Свойства и назначение некоторых серебряных и медно-цинковых припоев


Марка Т кристалли-зации, °С
Материалы, подвергаемые пайке
начала конца
ПСр-3
305
300
Медь, ее сплавы, нержа-веющая сталь, углероди-стая сталь
ПСр-40
605
595
ПМЦ-36
950
825 Латунь, содержащая до 68% меди
ПМЦ-54
970
860
Медь, медные сплавы

В некоторых случаях в качестве припоев используют чистые металлы. В частности медь применяется для пайки ни-келя, низкоуглеродистой стали. Олово применяется для пайки и лужения меди и ее сплавов, низкоуглеродистой стали, плати-ны, ковара, кадмий - для пайки и лужения ковара и никеля.
Контактолы представляют собой маловязкие либо пас-тообразные полимерные композиции. В качестве связующего в них используются различные синтетические смолы (эпоксид-ные, фенол-формальдегидные, кремнийорганические и др.), а проводниковым наполнителем являются мелкодисперсные по-рошки металлов (серебра, никеля, палладия, меди) или графи-та. Электрические свойства контактолов определяются в ос-новном свойствами дисперсного наполнителя (проводимостью, формой и размером частиц, концентрацией).
.Основные характеристики некоторых контактолов при-ведены в табл. 1.7.
Таблица 1.7

Основные характеристики контактолов

Марка На-полни-тель с ∙108, Ом .м Адгезия, МПа Траб, оС
К-17
Ag 100-400 20-25 200
К-12 400-800 10-20 125
К-21 200-400 5-10 300
КП-3 Pd 103-2∙103 15-30 155
КН-3 Ni 2∙103-3∙103 30-50 200
КМ-2 Cu 5∙102-103 8-12 155
КТП-1 Ni 2,5∙104-6∙105 – -
52-381 Ni-Ag 104 – 100

Контактолы в виде токопроводящих клеев и покрытий используют для получения контактов между металлами (Ag, Pt, Pd, Au, Cu, Ni, Al), металлами и полупроводниками, метал-лами и конденсаторами, металлами и резисторами, для созда-ния электродов на диэлектриках, экранирования приборов, для токопроводящих дорожек на диэлектрических подложках, в гибких волноводах и других изделиях электронной промыш-ленности.

Вопросы для самопроверки

1. Какие материалы называются проводниковыми? При-ведите классификацию проводниковых материалов.
2. Объясните механизм высокой электропроводности металлов. Приведите аналитическое выражение закона Ома.
3. Как зависит проводимость металлов от температуры? Что такое температурный коэффициент удельного сопротивле-ния?
4. Как влияют примеси на удельное сопротивление ме-таллов? Сформулируйте правило Маттисена.
5. Каким образом механические деформации влияют на удельное сопротивление металлов?
6. Как зависит удельное сопротивление тонких металли-ческих пленок от их толщины и почему?
7. Что называют термо - э.д.с. и контактной разностью потенциалов, в чем причины их возникновения? Что такое «термопара»?
8. Какие металлы называются металлами высокой про-водимости? Приведите примеры.
9. Какие свойства золота обусловливают применение его в радиоэлектронных средствах? Приведите конкретные приме-ры использования его в РЭС.
10. Приведите основные свойства серебра и конкретные примеры его использования в РЭС. Почему серебро не исполь-зуется для создания электрических контактов в микроэлектро-нике?
11. Какие свойства меди обусловливают ее широкое применение в радиоэлектронике и назовите области примене-ния меди? Что такое «водородная болезнь»?
12. Какими преимуществами и недостатками по сравне-нию с медью обладает алюминий? Укажите области примене-ния алюминия в электронной технике.
13. Чем обусловлено широкое применение тантала в производстве конденсаторов?
14. Какие сплавы называются сплавами высокого сопро-тивления? Назовите их и укажите области применения в элек-тронной технике.
15. Какие резистивные материалы применяются для из-готовления резистивных элементов (пленочных и дискрет-ных)?
16. Что такое термобиметаллы и тензометрические спла-вы? Приведите примеры и назовите области их применения.
17. Что такое сверхпроводимость? Какие металлы и в каких условиях переходят в состояние сверхпроводимости? Объясните физическую природу сверхпроводимости.
18. Как влияет магнитное поле на критическую темпера-туру перехода в состояние сверхпроводимости? Чем различа-ются сверхпроводники первого и второго рода?
19. Что такое высокотемпературная сверхпроводимость? Назовите материалы с самой высокой критической температу-рой перехода в сверхпроводящее состояние на сегодняшний день.
20. Какие материалы называют криопроводниками? Приведите примеры и расскажите о применении сверхпровод-ников и криопроводников в современной радиоэлектронике.
21. Какие материалы называют припоями? Укажите их назначение в устройствах РЭС.
22. Приведите состав припоя ПОС–61, его свойства и укажите, почему его применяют при ответственной пайке (на-пример радиоэлементов на печатных платах).
23. Почему припой ПОСК-50-18 не применяют для пай-ки радиоэлементов с позолоченными выводами и какой припой применяют при этом?





2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Полупроводниковые (ПП) материалы – это вещества, за-метно изменяющие свои электрические свойства под действи-ем влияния различных внешних воздействий: электрического и магнитных полей, освещения, температуры, внешнего давле-ния; удельное электрическое сопротивление ρ занимает про-межуточное положение между проводниками и диэлектриками (ρ = 10-6 – 109 Ом.м) при комнатной температуре. Ширина за-прещенной зоны различных полупроводников находится в пределах 0,5 – 3 эВ. В отличии от металлов ПП материалы ха-рактеризуются отрицательным значением температурного ко-эффициента удельного сопротивления αρ.
Электрофизические параметры ПП материалов сильно за-висят от содержания примесей даже в малых количествах (в промышленных ПП, используемых в приборах, их не должно превышать 10-3 %).
Специфичность свойств полупроводниковых материалов обусловила их широкое применение для изготовления :
1) различных полупроводниковых приборов - диодов, транзисторов, интегральных схем, тиристоров, полупроводни-ковых приборов СВЧ диапазона – туннельных, лавинно-пролетных и диодов Ганна;
2) преобразователей физических величин в электрические - датчиков давления, температуры, химического состава, осве-щенности, радиации, магнитного поля и других;
3) оптоэлектронных устройств - светодиодов, фотодетек-торов, лазеров, солнечных батарей, фильтров и др.

2.1 Электропроводность полупроводников

Как и в металлах, электрический ток в полупроводниках связан с дрейфом носителей заряда. Но, если в металлах нали-чие свободных электронов обусловлено самой природой ме-таллической связи, то появление носителей заряда в полупро-водниках определяется рядом факторов, важнейшими из кото-рых являются химическая чистота материала и температура.
Собственные и примесные полупроводники. В зависи-мости от чистоты полупроводники разделяют на собственные и примесные. Собственными, или полупроводниками типа i, называют полупроводники, в которых можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Согласно зонной теории твердого тела для полупроводников характерно нали-чие не очень широкой запрещенной зоны (< 3 эВ). В собствен-ном полупроводнике при 0 К валентная зона полностью запол-нена электронами, а зона проводимости абсолютна свободна, т. е. полупроводник подобен идеальному диэлектрику. При тем-пературах, отличных от 0 К, имеется вероятность того, что не-которые электроны за счет тепловых флуктуаций преодолеют потенциальный барьер и окажутся в зоне проводимости. В соб-ственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием вакансии в ва-лентной зоне. Благодаря вакансиям, электроны валентной зоны также принимают участие в процессе электропроводности за счет эстафетных переходов на более высокие освободившиеся энергетические уровни. Изложенное выше иллюстрирует схе-ма, представленная на рис. 2.1.


Рис. 2.1. Схематическое представление собственной элек-тропроводности кремния
При сообщении кристаллической решетке некоторого до-полнительного количества энергии, например, при нагреве, электрон может покинуть ковалентную связь и превратиться в свободный носитель электрического заряда. В результате в ко-валентной vсвязи vобразуетсяv «вакантное» место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи (рис. 2.1.). При этом вакантное место перемещается к другому атому. Перемещение вакантного места внутри кристалличе-ской решетки принято рассматривать как перемещение неко-торого положительного заряда, называемого дыркой. Величина этого заряда равна заряду электрона. Процесс образования свободных электронов и дырок под воздействием тепла назы-вают тепловой генерацией. Одновременно с генерацией в по-лупроводнике идет и обратный процесс- рекомбинация, т. е. исчезновение пар носителей заряда. В равновесном состоянии в собственном полупроводнике при любой температуре уста-навливается равновесная концентрация электронов ni и дырок pi. Поскольку электроны и дырки генерируются попарно, в собственном полупроводнике ni = pi, pi + ni = 2 ni. При комнат-ной температуре в кремнии ni = p i= 1.4∙1013 м-3.
Примесными называются полупроводники, электрофизи-ческие свойства которых в основном определяются примесями. Кристаллическая решетка таких полупроводников содержит атомы с валентностью, отличающейся от валентности основ-ных атомов, причем концентрация примесных атомов превы-шает собственную концентрацию носителей заряда. Если ва-лентность примесных атомов больше валентности основных атомов, например, в кристаллическую решетку кремния введе-ны пятивалентные атомы мышьяка, то пятый валентный элек-трон оказывается незанятым в ковалентной связи и легко от-рывается от атома, становясь свободным (рис.2.2, а).
При этом примесный атом становится положительным ионом. Такой полупроводник называют электронным или по-лупроводником типа n, а примесные атомы называют донора-ми.
Если в кристаллическую решетку кремния введены трех-валентные атомы алюминия, то одна из связей оказывается не-заполненной. При незначительном тепловом воздействии элек-трон одной из соседних связей может перейти в незаполнен-ную связь, а на том месте, откуда пришел электрон, возникает дырка (рис. 2.2,б). При этом примесный атом приобретает от-рицательный заряд. Такой полупроводник называется дыроч-ным или полупроводником типа p, а примесные атомы назы-вают акцепторами.


Рис. 2. 2. Схематическое представление кремния, легиро-ванного мышьяком (полупроводник n-типа) -а) и алюминием (полупроводник p-типа) -б)
Носители заряда, концентрация которых в данном полу-проводнике больше, называют основными, а носители, концен-трация которых меньше - неосновными.Так, в полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями, а дырки - неосновными; в полупроводнике p-типа дырки - основными носителями, а электроны - неосновными. C точки зрения зон-ной теории, при тепловой генерации происходит переход элек-тронов из валентной зоны в зону проводимости, а при реком-бинации - их возврат из зоны проводимости в валентную зону. Чем шире запрещенная зона, тем меньше концентрация собст-венных носителей заряда. В полупроводнике n-типа из-за на-личия пятивалентных примесных атомов в пределах запрещен-ной зоны вблизи дна зоны ЭС проводимости появляются при-месные донорные уровни ЭД. При внешнем возбуждении элек-троны с примесных уровней могут легко переходить в свобод-ную зону и участвовать в электропроводности. Энергия, необ-ходимая для таких переходов ΔЭД = ЭС - ЭД, называется энерги-ей ионизации доноров. Эта энергия значительно меньше энер-гии ионизации собственных атомов полупроводника, т. е. меньше ширины запрещенной зоны ΔЭ, и, например, в крем-нии составляет 0,05 эВ.
В полупроводнике р-типа за счет введения трехвалентных примесных атомов в пределах запрещенной зоны ЭВ вблизи от верхнего края («потолка») валентной зоны появляется примес-ный акцепторный уровень ЭА. Благодаря тепловому возбужде-нию электроны из валентной зоны забрасываются на этот сво-бодный примесный уровень. Минимальную энергию, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы пере-вести его на акцепторный уровень ΔЭА = ЭА - ЭВ, называют энергией активации акцептора.




2.2. Влияние внешних факторов на электропроводность полупроводников

Зависимость проводимости полупроводников от тем-пературы. Как и в металлах под действием внешнего электри-ческого поля носители заряда приобретают некоторую ско-рость направленного движения (скорость дрейфа) и создают электрический ток, плотность которого определяется выраже-нием (1.1.). Отношение средней скорости дрейфа к напряжен-ности электрического поля называют подвижностью носите-лей заряда μ

(2.1)

В полупроводниках следует различать подвижность элек-тронов μn и подвижность дырок μp. С учетом этого выражение (1.1) приобретает вид

J = eE(n0μn + p0μp), (2.2)

где n0 и p0 - равновесные концентрации электронов и дырок в полупроводнике, а удельная проводимость равна, соответст-венно
γ = e(n0μn + p0μp). (2.3)

Таким образом, проводимость полупроводников решаю-щим образом зависит от концентрации и подвижности носите-лей, которые, в свою очередь зависят от температуры.
Анализ выражения (2.3) показывает, что зависимость удельной проводимости от температуры определяется двумя факторами: влиянием температуры на концентрацию носите-лей и на их подвижность. Оценим вклад каждого их этих ком-понентов.
Выражение для концентрации носителей заряда в собст-венном полупроводнике имеет вид

ni = pi = (NC•NB)1/2•exp(-ΔЭ/2kT), (2.4)
где NC – эффективная плотность состояний в зоне проводи-мости, энергия которых приведена ко дну зоны проводимости;
NB – эффективная плотность состояний в валентной зо-не, энергия которых приведена к потолку валентной зоны (ЭВ);
ΔЭ – ширина запрещенной зоны.
Для графического изображения температурных зависимо-стей ni и pi выражение (2.4) удобно представить в виде:

ln ni = ln pi = ln (NC•NB)1/2 – ΔЭ/2kT. (2.5)

Произведение NC•NB является слабой функцией от темпе-ратуры, поэтому зависимость логарифма концентрации носи-телей от обратной температуры близка к линейной, причем на-клон прямой характеризует ширину запрещенной зоны собст-венного полупроводника.
В примесных полупроводниках температурные зависимо-сти равновесных концентраций носителей заряда имеют анало-гичный вид. В полупроводнике n-типа концентрация электро-нов равна

ln n0 = ln (NC•NД) – ΔЭД/2kT , (2.6)

где NД – эффективная плотность состояний на донорных уров-нях;
ΔЭД – энергия ионизации доноров.
В полупроводнике р-типа концентрация дырок

ln p0 = ln (NB•NA)1\2- ΔЭA/2kT, (2.7)

где NA-эффективная плотность состояний на акцепторных уровнях; ΔЭA-энергия ионизации акцепторов.
В полупроводниках подвижность носителей меняется при изменении температуры сравнительно слабо (по степенному закону: μ~T3/2 в области низких температур и μ~T-3/2 при по-вышенных температурах). В то же время, как следует из соот-ношений (2.4)-(2.7), концентрация носителей заряда зависит от температуры очень сильно (по экспоненциальному закону). Таким образом, температурная зависимость удельной прово-димости как собственных, так и примесных полупроводников определяется в основном температурной зависимостью кон-центрации носителей. Поэтому качественный характер зависи-мости γ(Т) аналогичен зависимости n(T) и p(T) (рис. 2.3)


Рис. 2.3. Типичные температурные зависимости удельной проводимости полупроводника при различной концентрации примесей: N1 ΔЭпр2> ΔЭпр3. Чем больше концентрация примесей, тем выше температура их истощения. При достаточно высокой концен-трации примеси (N3) их энергия ионизации обращается в ноль, так как образовавшаяся примесная зона перекрывается зоной проводимости. Такой полупроводник является вырожденным. У вырожденного полупроводника концентрация носителей за-ряда не зависит от температуры, а температурная зависимость удельной проводимости в области примесной электропровод-ности подобна температурному изменению удельной проводи-мости металлов. Поэтому вырожденные полупроводники ино-гда называют полуметаллами.
Влияние деформации на электропроводность полу-проводников. Деформация оказывает воздействие на электро-проводность полупроводников вследствие изменения ширины энергетических зон и смещения примесных уровней, что в свою очередь влияет на концентрацию носителей. Подвиж-ность носителей заряда меняется из-за уменьшения или увели-чения амплитуды колебаний атомов при их смещении. Для ме-таллов основным является изменение подвижности, а для по-лупроводников изменение концентрации носителей заряда. Ширина запрещенной зоны изменяется неоднозначно при смещении атомов, и у разных полупроводников одна и та же деформация вызывает как увеличение, так и уменьшение удельной проводимости.
Величина, характеризующая изменение удельной прово-димости (удельного сопротивления) полупроводников при де-формации, называется тензочувствительностью, которая

dρ = (Δρ/ρ)/(Δl/l), (2.8)

представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления полупроводника к относительной деформации.
Воздействие электромагнитного излучения на элек-тропроводность полупроводников. Электромагнитная энер-гия, поглощаемая полупроводником, вызывает в нем появле-ние избыточного по сравнению с равновесным (при данной температуре) количества носителей зарядов, приводящего к возрастанию электропроводности. Фотопроводимостью назы-вают увеличение электрической проводимости вещества под действием электромагнитного излучения. Удельная фотопро-водимость Δγ равна разности удельных проводимостей полу-проводника на свету и в темноте

Δγ = γС- γТ = е(Δnμn + Δpμp),

где Δn и Δp – концентрации неравновесных носителей заряда, возникших вследствие оптической генерации.
В фотопроводимости обнаруживается квантовая природа света. Энергия фотона
hν = 1.23/λ, (2.9)
(где h-постоянная Планка; ν и λ – частота и длина волны излу-чения) затрачивается в собственном полупроводнике на обра-зование электронно-дырочных пар за счет переброса электро-нов из валентной зоны в зону проводимости. Существует гра-ничная длина волны, определяемая энергией кванта, достаточ-ной для перехода электрона с самого верхнего уровня валент-ной зоны на самый нижний уровень зоны проводимости, т.е. равная ширине запрещенной зоны. Так как запрещенная зона полупроводников имеет ширину от 0.1 до 3 эВ, то фотопрово-димость может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой части электромагнитного спектра.
Квантовым выходом внутреннего фотоэффекта назы-вают количество пар носителей, приходящихся на один по-глощенный квант. В фотоэлектрически активной области кван-товый выход чаще всего равен единице, т.е. каждый фотон создает при возбуждении решетки одну пару носителей заряда.
Фотопроводимость возрастает с увеличением интенсив-ности облучения, так как увеличивается число носителей. С другой стороны возрастает их рекомбинация, но первый про-цесс преобладает над вторым. Закономерности возрастания фотопроводимости с увеличением интенсивности облучения у разных полупроводников различные. На практике в некоторых случаях пользуются зависимостью вида

Δγ = ВФх , (2.10)

где В - постоянная, характеризующая полупроводник; Ф - ин-тенсивность облучения; 0 < x < 1.
С понижением температуры уменьшается темновая про-водимость, служащая фоном, на котором появляется фотопро-водимость, а поэтому роль последней возрастает. Кроме того, с понижением температуры увеличивается и сама фотопроводи-мость, так как с уменьшением концентрации темновых носите-лей заряда снижается вероятность рекомбинации носителей.
Изменение фотопроводимости от времени называется ре-лаксацией фотопроводимости. После прекращения облучения проводимость возвращается к тому значению, которое она имела до облучения. У одних полупроводников это длится микросекунды, у других измеряется минутами и даже часами. Знание инерционности фотопроводимости различных полу-проводников важно при разработке, например, фоторезисто-ров, к быстродействию которых предъявляются высокие тре-бования.
Влияние сильных электрических полей на электро-проводность полупроводников. В сильных электрических полях наблюдается нарушение закона Ома J = γE. Как видно из рис. 2.4, при низких значениях напряженности поля (до неко-торого критического значения EK) закон Ома соблюдается и удельная проводимость не зависит от напряженности поля Е.
При более высоких значениях Е начинается интенсивный рост удельной проводимости по экспоненциальному закону, приводящий к разрушению полупроводника. С ростом темпе-




Рис.2.4. Зависимость удельной проводимости полупро-водника от напряженности электрического поля при различной температуре(T1 < T2)

ратуры кривая удельной проводимости смещается вверх, а на-клон возрастающей части становится меньше для некоторых полупроводников зависимость удельной проводимости от напряженности поля описывается выражением

γЕ = γexp(βЕ1/2), (2.11)

где γ- удельная проводимость при Е < ЕК; β- коэффициент, ха-рактеризующий полупроводник.
Нарушение закона Ома будет иметь место, когда подвиж-ность или (и) концентрация носителей зависит от напряженно-сти электрического поля. Если изменение абсолютного значе-ния скорости свободного носителя заряда за счет внешнего по-ля на длине свободного пробега сравнимо с тепловой скоро-стью, то нельзя считать, что его подвижность не зависит от внешнего поля. При напряженности E > EK в зависимости от доминирующего механизма рассеяния подвижность носителей заряда может как уменьшаться, так и увеличиваться. Кроме то-го, сильное электрическое поле приводит к значительному рос-ту их концентрации. Различают несколько механизмов повы-шения концентрации свободных носителей в полупроводнике под действием внешнего электрического поля – электростати-ческую, термоэлектронную и ударную ионизацию.
При воздействии внешнего электрического поля с напря-женностью Е энергетические зоны полупроводника становятся наклонными. Это происходит потому, что во внешнем поле электрон приобретает дополнительную энергию, равную W = -eEх, зависящую от координаты x. Прибавление этой энергии к энергии электрона в полупроводнике в отсутствие внешнего электрического поля приводит к наклону энергетических зон (рис 2.5).


Рис.2.5. Энергетические зоны полупроводника под воз-действием сильного электрического поля: WC- нижний энерге-тический уровень зоны проводимости («дно» зоны проводимо-сти); WV – верхний энергетический уровень валентной зоны («потолок» валентной зоны)

Как видно из рисунка, в сильном электрическом поле при наклоне зон возможен переход электрона из валентной зоны и с локальных уровней в зону проводимости без изменений энер-гии – путем туннелирования через запрещенную зону (перехо-ды 1 и 2). Этот механизм увеличения концентрации свободных носителей представляют собой электростатическую иониза-цию, и называется эффектом Зенера. Она возможна в электри-ческих полях с напряженностью порядка 108 В/м и приводит к существенному повышению концентрации свободных носите-лей заряда.
Если свободный электрон под действием внешнего элек-трического поля приобретает энергию, достаточную для пере-хода электрона из валентной зоны в зону проводимости, то возможна ударная ионизация. Ионизирующий электрон при этом остается в зоне проводимости. Таким образом, ударная ионизация приводит к увеличению числа свободных носите-лей заряда в полупроводниках.
Следует иметь ввиду, что эффект Зенера может маскиро-ваться лавинным пробоем. Действительно, поскольку в полу-проводниках всегда имеется определенное количество свобод-ных носителей, то до возникновения эффекта Зенера при на-пряженности поля 106 – 108 В/м разовьется лавинный пробой, который настолько увеличит электропроводность, что даль-нейшее повышение напряженности поля будет невозможным.

2.3. Физические эффекты в полупроводниках

Эффект Ганна относится к эффектам сильного поля, обусловленным изменением подвижности носителей заряда. Сущность его заключается в появлении высокочастотных электрических колебаний при воздействии на полупроводник постоянного электрического поля высокой напряженности (порядка 105 В/м). Впервые эффект Ганна наблюдался на об-разцах арсенида галлия GaAs и фосфида индия InP с электро-проводностью n-типа. Для объяснения эффекта Ганна необхо-димо учесть сложное строение зоны проводимости полупро-водников (рис.2.6.). Каждый полупроводник характеризуется зависимостью энергии электронов от волнового вектора k, ко-торый связан с квазиимпульсом Р частиц в твердом теле соот-ношением:

Р = ħk = hk/2π. 2.12)

На энергетической диаграмме арсенида галлия (рис.2.6.), построенной в пространстве квазиимпульсов, можно выделить несколько минимумов зоны проводимости, разделенных по-тенциальным барьером ΔЭ1. В центральном минимуме, соот-ветствующем точке к = 0, электроны обладают существенно большей подвижностью по сравнению с боковыми минимума-ми. При воздействии слабого поля электроны заполняют ниж-ний минимум, поскольку их дрейфовые скорости и квазиим-пульсы малы.


Рис.2.6. Структура энергетических зон арсенида галлия в кристаллографическом направлении[100]

В сильных полях большинство электронов приобретает добавочную энергию, большую чем ΔЭ1 , и переходит в боко-вой минимум, где подвижность электронов много меньше. По-скольку плотность тока пропорциональна подвижности, то на вольтамперной характеристике появляется участок отрица-тельной дифференциальной проводимости γg = dJ/dE (участок АВ на рис.2.7.).

Рис.2.7. Вольтамперная характеристика однородного по-лупроводника

Наличие этого участка и обуславливает генерацию высо-кочастотных электромагнитных колебаний. На основе эффекта Ганна разработаны приборы, генерирующие колебания в диа-пазоне частот до сотен гигагерц. Например, при толщине кри-сталла арсенида галлия около 100 мкм частота колебаний со-ставляет примерно 1 ГГц при пороговом напряжении в не-сколько десятков вольт. При уменьшении толщины до 2 мкм частота достигает 30 ГГц.
Оптические явления в полупроводниках. Свет, прони-кая в полупроводник, вступает во взаимодействие с кристалли-ческой решеткой, связанное с обменом энергией. Вследствие отражения и поглощения света, интенсивность падающего на полупроводник излучения I0 уменьшается до некоторой вели-чины I. В соответствии с законом Бугера - Ламберта:

I = I0(1 - R)exp(-αx), (2.13)

где R- коэффициент отражения; x - расстояние от поверхности полупроводника до данной точки вдоль луча; α – коэффициент поглощения.
Величина α-1 равна толщине слоя вещества, при прохож-дении через который интенсивность света уменьшается в «е» раз. Зависимость α от длины волны излучения или энергии фо-тонов называют спектром поглощения вещества. Поглощение света полупроводником может быть связано с различными процессами: переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости, изменением колебательной энергии атомов ре-шетки и др. Каждому из этих процессов соответствует погло-щение в определенной области спектра.
Собственное поглощение света обусловлено переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости за счет энергии кванта излучения. В зависимости от ширины запре-щенной зоны оно проявляется в видимой или ближней инфра-красной области спектра. Если электрон, перешедший из одной энергетической зоны в другую, и оставляемая им дырка имеют одинаковые квазиимпульсы, то такой переход называется пря-мым. При таких переходах возбуждение электрона осуществ-ляется лишь при участии фотона. Переходы, в которых наряду с поглощением фотона часть энергии перехода для сохранения импульса восполняется или теряется за счет взаимодействия с кристаллической решеткой, называются непрямыми оптиче-скими переходами.
По краю собственного поглощения можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника (в эВ):

ΔЭ = hνпор = hc/λпор = 1.23/λпор, (2.14)

где νпор и λпор (мкм) - пороговые по отношению к межзонным переходам электронов значения частоты и длины волны па-дающего излучения; с - скорость света в вакууме.
У ряда полупроводников за счет поглощения кванта света возможно такое возбуждение электрона валентной зоны, кото-рое не сопровождается его переходом в зону проводимости, а приводит к образованию связанной системы электрон-дырка, перемещающейся в пределах кристалла как единое целое. Та-кую систему называют экситоном (раздел 1.9), а механизм по-глощения - экситонным поглощением света.
В случае, когда электроны зоны проводимости и электро-ны не полностью заполненной валентной зоны за счет воздей-ствия света переходят внутри зоны с одного уровня на другой, происходит поглощение света свободными носителями заряда. Это поглощение пропорционально концентрации свободных носителей заряда, квадрату длины волны излучения и обратно пропорционально подвижности носителей.
При наличии в полупроводнике примеси его оптическое поглощение может быть связано с ионизацией примеси в кри-сталле. Это поглощение называют примесным. При таком ме-ханизме энергия поглощаемых квантов света расходуется либо на переход электронов из валентной зоны на акцепторные уровни, либо на их переход с донорных уровней в зону прово-димости. Так как энергия ионизации примесей обычно намного меньше ширины запрещенной зоны, примесное поглощение смещено от края собственного поглощения в далекую инфра-красную область. Экспериментально оно может наблюдаться лишь при низких температурах, когда большая часть атомов примеси не ионизирована.
Решеточное поглощение происходит в результате взаи-модействия электромагнитного излучения с колеблющимися зарядами узлов кристаллической решетки. Оно проявляется в далекой инфракрасной области спектра и накладывается на примесное поглощение носителями заряда.
Полный спектр поглощения полупроводника схематично представлен на рис.2.8.
Люминесценцией называется электромагнитное не тепло-вое излучение, обладающее длительностью, значительно пре-вышающей период световых колебаний. Это свечение вещест-ва не является тепловым (равновесным) по сравнению с излу-чением нагретых тел. Среди неравновесных излучений, к кото-рым относятся отражение, тормозное излучение, излучение Вавилова-Черенкова и другие, с длительностью порядка 10-15с (они практически безынерционны), люминесценция занимает особое место.


Рис.2.8 Схематическое представление полного спектра поглощения полупроводника: 1- собственное поглощение; 2- экситонное поглощение; 3 – поглощение света носителями за-ряда; 4- примесное поглощение

Для ее наблюдения вещество необходимо вывести из со-стояния равновесия, т.е. возбудить. При обратном переходе в устойчивое состояние освободившаяся энергия при опреде-ленных условиях может быть выделена в виде кванта света. При люминесценции акты возбуждения и излучения света раз-делены во времени, что обусловливает относительно длитель-ное время существования свечения вещества после прекраще-ния возбуждения.
Вещества, способные люминесцировать, называются лю-минофорами.
В зависимости от способа возбуждения различают фото-люминесценцию (возбуждение светом), катодолюминесценцию (возбуждение электронами), электролюминесценцию (действие электрического поля) и др.
Явления люминесценции делятся на спонтанные, мета-стабильные и рекомбинационные. Если излучение происходит в результате перехода примесного центра из возбужденного состояния в основное, то люминесценцию называют спонтан-ной или метастабильной, в зависимости от того спонтанно или под действием внешних факторов происходит излучение. Если излучение полупроводника возникает в результате непосредст-венной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинаци-онным. Вещества, обнаруживающие рекомбинационную лю-минесценцию, называют кристаллофорами или фосфорами. Практически все фосфоры являются полупроводниками.
Термоэлектрические явления. К важнейшим термо-электрическим явлениям в полупроводниках относятся эффек-ты Зеебека, Пельтье и Томсона.
Эффект Зеебека (термоэлектрический эффект) состоит в том, что в полупроводниках как и в металлах в электрической цепи, состоящей из последовательно соединенных разнород-ных полупроводников или полупроводника и металла возника-ет э.д.с., если температуры контактов различны. Механизм по-явления термо-э.д.с. был рассмотрен в разделе 1.2.
Неравномерный нагрев однородного полупроводника приводит к появлению градиента скорости и энергии носите-лей заряда вдоль кристалла. Кроме того, у горячего конца кон-центрация свободных носителей окажется выше, чем у холод-ного, чего не наблюдается в металлах. Из-за этого возникнет диффузионный поток носителей заряда из нагретой в более хо-лодную область кристалла. Образующееся внутреннее элек-трическое поле препятствует дальнейшему разделению зарядов и способствует установлению равновесия. Установившуюся в состоянии равновесия термо-э.д.с. называют объемной термо-э.д.с.
Эффект, обратный явлению Зеебека, называют эффектом Пельтье (электротермическим эффектом Пельтье). Его сущ-ность заключается в том, что при прохождении тока через кон-такт двух разных полупроводников или полупроводника и ме-талла происходит нагревание или охлаждение контакта в зави-симости от направления тока. Количество тепла, выделяюще-гося или поглощающегося при эффекте Пельтье:

(2.15)

где Qп – теплота Пельтье; J – плотность тока; П - коэффициент Пельтье, зависящий от природы контактов, температуры и на-правления тока.
Эффект Томсона, состоит в том, что при пропускании тока через полупроводник, вдоль которого имеется градиент температуры, в дополнение к теплоте Джоуля в объеме полу-проводника в зависимости от направления тока выделяется или поглощается некоторое количество тепла. Эффект Томсона объясняется возникновением термо–э.д.с. при наличии в об-разце градиента температур. Если направление возникшего по-ля совпадает с направлением внешнего поля, то не вся энергия, поддерживающая ток, обеспечивается внешним источником, часть работы совершается тепловой энергией самого полупро-водника, в результате чего он охлаждается. При смене направ-ления внешнего электрического поля оно будет совершать до-полнительную работу, сопровождающуюся выделением тепла, дополнительного к джоулевой теплоте. Теплота Томсона QT:

QT = τ(T1 - T2)Jt , (2.16)

где τ - коэффициент Томсона; (T1 - T2)- разность температур вдоль полупроводника; J - плотность тока; t - время.
Эффект Холла. Если пластину полупроводника, по кото-рой проходит электрический ток, поместить в магнитное поле, перпендикулярное току, то на боковых гранях пластины в на-правлении, перпендикулярном току и магнитному полю, воз-никнет разность потенциалов. Последняя получила называние Э.Д.С. Холла (рис.2.9). Появление Э.Д.С. Холла обусловлено тем, что на носители заряда, движущиеся со скоростью V в магнитном поле с индукцией В, действует сила Лоренца: от-

FЛ = e•[VB], (2.17)

клоняющая их к одной из боковых граней пластины. Так как угол между V и B равен 900, то

FЛ = eVB (2.18)

Под действием этой силы электроны отклоняются к зад-ней грани пластины, заряжая её отрицательно; на передней грани накапливаются нескомпенсированные положительные заряды. Это приводит к появлению электрического поля на-пряженностью

EX = UX/b , (2.19)

где UX – Э.Д.С. Холла; b – ширина пластины.

Рис.2.9. Схема, иллюстрирующая эффект Холла.

Поле EX действует на электроны с силой F = -EXe, на-правленной против силы Лоренца. При F = FЛ поперечное электрическое поле уравновешивает силу Лоренца, и дальней-шее накопление электрических зарядов прекращается, то есть:

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:14 + в цитатник
Все материалы, применяемые при производстве радиоэлек-тронных средств, подразделяют на конструкционные и радиомате-риалы.
Конструкционные материалы – это материалы, применяемые для изготовления элементов несущих конструкций, деталей пере-дающих механизмов, корпусов.
Радиоматериалы – это материалы, применяемые для изготов-ления элементной базы радиоэлектронных средств (индуктивных элементов, конденсаторов, резистивных элементов, полупроводни-ковых приборов, электронных ламп, антенн, волноводов, устройств функциональной электроники и т. п.). Радиоматериалы характеризу-ются определенными свойствами по отношению к магнитным и электрическим полям и их применяют с учетом этих свойств. Радио-материалы определяют работу электрической схемы радиоэлек-тронного устройства.
В зависимости от электрических и магнитных свойств радио-материалы подразделяют на следующие классы: диэлектрические материалы, проводники, полупроводники и магнитные материалы.
В данном учебном пособии рассматриваются проводниковые и полупроводниковые материалы и магнитные материалы. Учебное пособие состоит из 3-х глав. В 1-й главе рассматриваются физиче-ские основы проводимости проводниковых материалов и влияние различных факторов на проводимость. Кроме того, изложены основ-ные свойства, параметры и область применения проводниковых ма-териалов с малым и большим удельным сопротивлением. Во 2-й главе рассматриваются полупроводниковые материалы: основные представления об электропроводности полупроводников и влияние различных внешних воздействий на их свойства; приводятся основ-ные свойства, параметры и применение полупроводниковых мате-риалов при изготовлении активных элементов различного назначе-ния. В 3-й главе даются основные представления о теории магнетиз-ма, классификация магнитных материалов, основные свойства, пара-метры и особенности применения магнитомягких низкочастотных, магнитомягких высокочастотных и магнитотвердых магнитных ма-териалов.
Изложение материала в учебном пособии базируется на зна-ниях, полученных студентами при изучении предшествующих дис-циплин: «Физика», «Физико-химические основы микроэлектрони-ки».








ПРИНЯТЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

e – заряд электрона
mo – масса электрона
n – концентрация электронов
ℓ - длина свободного пробега
с – удельное электрическое сопротивление, плотность
бс – температурный коэффициент удельного сопротив-ления
R□ – электрическое сопротивление тонких пленок (без индекса - сопротивление проводника)
г – удельная проводимость
J – эффективное значение тока
W – энергия
U – разность потенциалов, электрическое напряжение, скорость теплового движения
Е – напряженность электрического поля, модуль упруго-сти
I – сила тока
f – частота
щ – угловая частота
л – длина волны, коэффициент теплопроводности
с – скорость электромагнитной волны
m – масса
F – сила
h - постоянная Планка, толщина
k – постоянная Больцмана
S – площадь
V – скорость дрейфа, объем
Т – температура
t – время
бl – коэффициент термического линейного расширения
∆Э – ширина запрещенной зоны
мn - подвижность электронов
мd – подвижность дырок
ув – предел прочности на растяжение (без индекса - на-пряжение)
д – пластичность (относительное удлинение при разры-ве) материала
G – модуль сдвига
М – магнитный момент
Jм – намагниченность
kм – магнитная восприимчивость
Н – напряженность магнитного поля
Нс – коэрцитивная сила
Вs – магнитная индукция насыщения
Вr – остаточная магнитная индукция
м – относительная магнитная проницаемость
мо – магнитная постоянная
м н - начальная магнитная проницаемость
м s – максимальная магнитная проницаемость
fкр – критическая частота
дм –угол магнитных потерь
е – диэлектрическая проницаемость





1. ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Проводниковыми называют материалы, основным электриче-ским свойством которых является высокая электропроводность. Это свойство в основном и определяет их широкое применение в РЭС. Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидкости, а при соответствующих условиях и газы.
Твердыми проводниками являются металлы, металлические сплавы, оксиды металлов, некоторые модификации углерода, гетеро-генные композиционные материалы.
К жидким проводникам относятся расплавленные металлы и различные электролиты. Как правило, температура плавления метал-лов высока, поэтому при комнатной температуре в качестве жидкого металлического проводника может быть использована только ртуть. Температуру плавления, близкую к комнатной (29,8оС), имеет еще и галлий.
Механизм прохождения тока в металлах в твердом и жидком состоянии обусловлен движением свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками с электронной проводимостью или проводниками первого рода.
Электролитами или проводниками второго рода, являются растворы (в основном водные) кислот, щелочей и солей, а также рас-плавы ионных соединений.
Сильно ионизированный газ при равенстве числа электронов и положительных ионов в единице объема представляет собой особую равновесную проводящую среду, называемую плазмой.
Проводниковые материалы в радиоэлектронных средст-вах могут выполнять следующие функции: коммутационные, контактные, защитные, барьерные, адгезионные и другие.
Ко всем проводниковым материалам предъявляются сле-дующие требования:
стабильность электрических и механических параметров во времени;
проводниковые материалы одной марки должны иметь допустимые разбросы численных значений параметров;
свойства материалов должны быть стабильными в опре-деленном диапазоне температур;
материалы должны обладать высокими технологически-ми свойствами – хорошо обрабатываться резанием, прокаткой, волочением и другими методами обработки;
должны быть дешевыми.

1.1. Физическая природа электропроводности металлов
В основе классической электронной теории лежит представ-ление о металлах, как о системах, построенных из положительных атомных остовов – ионов, находящихся в среде свободных коллекти-визированных электронов. Согласно этой теории, электроны в метал-лах ведут себя как электронный газ, которому приписываются свой-ства идеального газа, то есть свободные электроны движутся хаотич-но со средней скоростью теплового движения и сталкиваются с ионами. При наложении внешнего электрического поля в металличе-ском проводнике кроме теплового движения электронов возникает их упорядоченное направленное движение (дрейф) со средней скоро-стью , то есть возникает электрический ток. Плотность тока в про-воднике определяется выражением

, (1.1)

где e – заряд электрона;
n – концентрация электронов, равная концентрации атомов;
– среднее значение скорости дрейфа.
После преобразований эта формула приобретает вид

, (1.2)
где – средняя длина свободного пробега электронов (путь, пройденный электроном между двумя столкновениями);
mo – масса электрона;
– средняя скорость теплового движения;
г - удельная проводимость (величина обратная удельному сопротивлению );
E – напряженность электрического поля.
Таким образом, плотность тока пропорциональна напряжен-ности электрического поля, то есть выражение (1.2) является анали-тическим выражением закона Ома. Из выражения (1.2) следует, что величина удельного электрического сопротивления равна

с = mо. Ū/(e2nl). (1.3)

Классическая электронная теория объясняет существование электрического сопротивления металлов, законы Ома и Джоуля - Ленца. Однако в некоторых случаях эта теория приводит к выводам, находящимся в противоречии с опытом. Основной недостаток клас-сической теории заключается в предположении о том, что электрон-ный газ является невырожденной системой. В таких системах в каж-дом энергетическом состоянии может находиться любое число элек-тронов, и все электроны проводимости принимают независимое уча-стие в создании электрического тока. Квантовая теория основана на принципе Паули, согласно которому в каждом электрическом со-стоянии может находиться только один электрон. В процессе элек-тропроводности принимают участие не все свободные электроны, а только небольшая часть их, имеющая энергию, близкую к энергии Ферми (фермиевские электроны). Такие системы называют вырож-денными. В рамках квантовой теории выражение для удельной про-водимости имеет вид

(1.4)
где h – постоянная Планка.
Тепло через металл передается в основном теми же свобод-ными электронами, которые определяют и электропроводность ме-таллов. Количество их в единице объема металла весьма велико, по-этому, как правило, коэффициент теплопроводности л металлов во много больше, чем л диэлектриков. Очевидно, что при прочих рав-ных условиях, чем больше удельная электрическая проводимость г металла, тем больше его коэффициент теплопроводности л. При по-вышении температуры, когда подвижность электронов в металле и соответственно его удельная проводимость г уменьшаются, отноше-ние коэффициента теплопроводности металла к его удельной прово-димости л/г должно возрастать. Математически это выражается зако-ном Видемана – Франца – Лоренца:

л/г =LoT, (1.5)

где T – абсолютная температура, К;
Lo – число Лоренца

; (1.6)

k – постоянная Больцмана.
Из выражения (1.5) следует, что отношение удельной тепло-проводности к удельной проводимости металла при данной темпера-туре есть величина постоянная, не зависящая от природы проводни-ка. Этот закон хорошо выполняется для подавляющего большинства металлов при температурах, близких к комнатной температуре или несколько повышенных.
1.2 Влияние внешних факторов на электропроводность металлов
Температурная зависимость удельного сопротивления металлов. Концентрация электронов в чистых металлах различается незначительно, температурное изменение концентрации также очень мало. Поэтому проводимость определяется в основном средней дли-ной свободного пробега, которая зависит от температуры. В чистых металлах с идеальной кристаллической решеткой единственной при-чиной, ограничивающей длину свободного пробега электронов, яв-ляются тепловые колебания атомов в узлах кристаллической решет-ки, амплитуда которых возрастает с ростом температуры. Это, в свою очередь, усиливает рассеяние электронов и вызывает рост удельного сопротивления.
Средняя длина свободного пробега электронов определяется выражением
, (1.7)

где kупр – коэффициент упругой связи, которая стремится вер-нуть атом в положение равновесия;
N – число атомов в еденице объема;
Т – абсолютная температура.
После подстановки (1.7) в (1.4) получим, что удельное сопро-тивление металлов линейно увеличивается с температурой

(1.8)

где В – постоянная величина, которая следует из приведенного выражения.
Как показывает эксперимент, линейная аппроксимация зави-симости с(T), как правило, справедлива при температурах от комнат-ных до температур, близких к точке плавления. В области низких температур теория предсказывает степенную зависимость с~T5, тем-пературный интервал, в котором наблюдается резкая степенная зави-симость, бывает очень небольшим.
Относительное изменение удельного сопротивления при из-менении температуры на один градус называют температурным ко-эффициентом удельного сопротивления

. (1.9)

Положительный знак бс соответствует случаю, когда удельное сопротивление возрастает при повышении температуры. У большин-ства металлов при комнатной температуре бс=0,004 К-1.
Типичная кривая изменения удельного сопротивления метал-ла в зависимости от температуры представлена на рис. 1.1.




Рис.1.1. Зависимости удельного сопротивления металлов от температуры: 1 - типичные температурные зависимости для боль-шинства металлов (I – узкая область сверхпроводимости; II – пере-ходная область быстрого роста ; III – линейный участок; Тсв – темпе-ратура перехода в сверхпроводящее состояние; Т= И – температура перехода от участка II к участку III; Тпл – температура плавления); 2 - для некоторых переходных и редкоземельных металлов

Влияние примесей и других структурных дефектов на удельное сопротивление металлов. В реальных металлах причина-ми рассеяния электронов являются не только тепловые колебания атомов в узлах кристаллической решетки, но и статические дефекты структуры. Отсюда вытекает правило Маттиссена об аддитивности удельного сопротивления

с = ст + сост . (1.10)

То есть полное удельное сопротивление металла есть сумма удельного сопротивления, обусловленного рассеянием электронов на тепловых колебаниях атомов в узлах решетки, и остаточного удель-ного сопротивления, обусловленного рассеянием электронов на ста-тических дефектах структуры. Рассеяние на дефектах не зависит от температуры, исключение составляют сверхпроводящие металлы, в которых сопротивление исчезает ниже некоторой критической тем-пературы.
Наиболее существенный вклад в остаточное сопротивление вносит рассеяние на примесях, которые всегда присутствуют в реаль-ном проводнике либо в виде загрязнения, либо в виде легирующего элемента. Следует заметить, что любая примесная добавка приводит к повышению с, даже если она обладает повышенной проводимо-стью по сравнению с основным металлом. Так, введение в медный проводник 0,01 ат. доли примеси серебра вызывает увеличение удельного сопротивления меди на 0,2 . 10 -8 Ом•м. Экспериментально установлено, что при малом содержании примесей удельное сопро-тивление возрастает пропорционально концентрации примесных атомов.
Иллюстрацией правила Маттиссена является рис. 1.2. Темпе-ратурные зависимости удельного сопротивления чистого металла (в данном случае меди) и его сплавов с малым количеством (до 2-4ат.%) индия, сурьмы, олова, мышьяка одинаковы: они взаимопараллельны; для сплавов с переходными металлами (никелем, марганцем, желе-зом) наблюдаются отклонения от этого правила.
Одна из причин отклонений от правила Маттиссена может быть связана с влиянием примесей на упругие свойства металла, что сопровождается изменением колебательного спектра кристалличе-ской решетки.




Рис.1.2. Температурные зависимости удельного сопротивле-ния сплавов меди типа твердых растворов: 1- чистая Cu; 2 – Cu + 1,03ат.% In; 3 – Cu + 1,12ат.%Ni; 4 – Cu + 0,4ат.%Sb; 5 – Cu + 0,89ат.%Sn; 6 – Cu + 2,16 ат.%Ni; 7 – Cu + 1,20 ат.%Mn; 8 - Cu + 0,61 ат.%Fe; 9 – Cu + 3,32 ат.%Ni; 10 – Cu + 0,87 ат.%Fe; 11 – Cu + 1,13 ат.%Sb; 12 – Cu + 1,01 ат.%As.

Изменение удельного сопротивления металлов при де-формациях. Изменение с при упругом растяжении или сжатии мож-но приближенно оценить по формуле

(1.11)

где сo - удельное сопротивление металла не подверженного механи-ческому воздействию; - коэффициент удельного сопро-тивления по давлению; у -механическое напряжение.
Знак «плюс» в (1.11) соответствует растяжению, «минус»- сжатию. Коэффициент к обычно составляет (1ч5)∙10-11, Па-1.
Изменение с при упругих деформациях объясняется измене-нием амплитуды колебаний атомов в узлах кристаллической решетки металла. При растяжении эти амплитуды увеличиваются, при сжатии – уменьшаются. Увеличение амплитуды колебаний обусловливает усиление рассеяния электронов и, как следствие, возрастание с. Уменьшение амплитуды колебаний, наоборот, приводит к уменьше-нию с.
Пластическая деформация и наклёп, как правило, повышают удельное сопротивление металлов и сплавов в результате искажений кристаллической решетки. При рекристаллизации путем термиче-ской обработки (отжига) удельное сопротивление может быть вновь снижено до первоначального значения за счет «залечивания» дефек-тов и снятия внутренних напряжений.
Удельное сопротивление сплавов. Выше было приведено правило Маттиссена, относящееся к металлам, содержащим примеси и структурные дефекты. Было показано, что примеси и нарушения структуры металлов приводят к увеличению их удельного сопротив-ления.
Возрастание с наблюдается не только при наличии в металле примесей и дефектов, но и при сплавлении двух металлов, если они образуют твердый раствор. При их образовании сохраняется кри-сталлическая решетка металла- растворителя, изменяется лишь по-стоянная решетки, но атомы компонентов распределяются по ее уз-лам беспорядочно. Некоторые металлы с одинаковыми кристалличе-скими структурами смешиваются в любой пропорции, то есть обра-зуют системы непрерывных твердых растворов, растворяемость дру-гих ограничена. Наличие атомов разных видов лишает решетку иде-альной периодичности и приводит к сильному рассеянию электро-нов, В этом случае сопротивление сплава сильно возрастает. Как и в случае металлов, полное удельное сопротивление сплава можно вы-разить в виде двух слагаемых

сспл = ст + сост , (1.12)
где ст - сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на теп-ловых колебаниях решетки; сост - добавочное (остаточное) сопротив-ление, связанное с рассеянием электронов на неоднородностях струк-туры сплава.
Специфика твердых растворов состоит в том, что сост может во много раз превышать ст.
Для многих двухкомпонентных сплавов изменение сост в зави-симости от состава хорошо описывается параболической зависимо-стью вида

сост = С ХА ХВ = C ХВ (1 – Х В), (1.13)

где С – константа, зависящая от природы сплава; ХА и ХВ–концентрация компонентов А и В в сплаве.
Соотношение (1.13) получило название правила Курнакова- Нордгейма. Из него следует, что в бинарных твердых растворах А-В сост увеличивается как при добавлении атомов В к металлу А, так и при добавлении атомов А к металлу В, причем это изменение харак-теризуется примерно симметричной кривой (рис. 1.3, кривая a). Оста-точное сопротивление достигает своего максимального значения при XA =X B= 0,5.
Правило (1.13) хорошо выполняется, если оба сплавляемых металла изоэлектронные (принадлежат к одной группе периодиче-ской системы). Если сплавляемые металлы принадлежат к разным группам, зависимость «удельное сопротивление - состав» всегда не-симметричная, со сдвинутым от середины диаграммы максимумом (рис. 1.4, кривая 1). Максимум сдвинут в сторону металла, сопротив-ление которого больше.



Рис.1.3. Зависимость удельного сопротивления от состава сплавов Au – Cu: a - для неупорядоченных сплавов (после закалки); б - для упорядоченных сплавов (после отжига); 1- сплав Cu3Au; 2- сплав CuAu.

Чем больше удельное сопротивление сплава, тем меньше его температурный коэффициент удельного сопротивления бс. Это объ-ясняется тем, что в твердых растворах сост , как правило, существенно превышает ст и не зависит от температуры. Иногда бс сплавов может приобретать небольшие по абсолютной величине отрицательные значения. Отмеченные аномалии отчетливо проявляются в медно- никелевых сплавах (рис. 1.4. , кривая 2).


Рис. 1.4. Зависимость удельного сопротивления(1), и темпера-турного коэффициента удельного сопротивления (2) медно- никеле-вых сплавов от состава.
Эти особенности объясняются тем, что у сплавов изменение с вызывается не только изменением подвижности носителей заряда как в чистых металлах, но в некоторых случаях и возрастанием концен-трации носителей при повышении температуры.
Некоторые сплавы имеют тенденцию образовывать упорядо-ченные структуры, если выдержаны определенные пропорциями в составе. Причина упорядочения заключается в более сильном хими-ческом взаимодействии разнородных атомов по сравнению с атома-ми одного сорта. Например, в системе Cu - Au, упорядочение наблю-дается в составах CuAu и Cu3Au. Образование упорядоченных струк-тур сопровождается снижением удельного сопротивления твердого раствора, причем весьма существенным (рис. 1.3 , кривая б).
В том случае, когда компоненты бинарной системы не обла-дают взаимной растворимостью в твердом состоянии, структура за-стывшего после кристаллизации сплава представляет собой механи-ческую смесь двух фаз. Удельное сопротивление таких гетерофазных сплавов в первом приближении линейно изменяется с изменением состава, то есть возрастает пропорционально содержанию металла с значением с. В таких сплавах не наблюдается искажение кристаллической решетки.
Влияние размеров проводника на электрические свойст-ва. Как было показано в разделе 1.1 , значение проводимости тем больше, чем больше средняя длина свободного пробега носителей заряда . При высоких температурах в металлах не слишком сильно отличается от межатомных расстояний в кристалле, то есть, мала по сравнению с геометрическими размерами проводника. Поэтому гео-метрические размеры не влияют на удельную проводимость. При по-нижении температуры рассеяние на колебаниях решетки уменьшает-ся очень сильно, и если металл достаточно чист, чтобы можно было пренебречь рассеянием на примесях, возрастает. Для проводников в виде тонкой проволоки или пленки длина свободного пробега стано-вится сравнимой с толщиной пленки или с диаметром проволоки. Это ограничивает увеличение при дальнейшем понижении темпе-ратуры (носители рассеиваются на границе проводника), соответст-венно ограничивается рост удельной проводимости. Таким образом, в результате «размерного» эффекта удельное сопротивление тонких образцов возрастает по сравнению с массивными образцами того же состава. Это явление можно наблюдать на пленках и проволоках уже при температуре жидкого азота (77 К). На еще более тонких пленках (толщина 0,01-0,1мкм), полученных методами напыления или осаж-дения, эффект хорошо заметен даже при комнатной температуре. Электрические свойства тонких пленок металлов и сплавов могут значительно отличаться от свойств объемных образцов проводящих материалов. Кроме размерного эффекта на удельное сопротивление пленок влияет следующие причины, связанные с особенностью по-лучения пленок:
медленное наращивание из газовой фазы, в результате чего металл взаимодействует с газом или остаточной атмосферой вакуум-ной камеры;
химическое и механическое взаимодействие материала плен-ки с материалом подложки;
внутренние напряжения в системе пленка-подложка из-за не-соответствия их ТКЛР;
влияние электродиффузии в пленках.
Поскольку характер зарождения и роста пленок зависит от многих случайных факторов, то на практике трудно получить точное совпадение значений удельных сопротивлений для пленок одинако-вой толщины. Поэтому для сравнительной оценки проводящих свойств тонких пленок используют сопротивление квадрата R□ (или сопротивление на безразмерный квадрат, или удельное поверхност-ное сопротивление). Так как R не зависит от величины квадрата, то сопротивление тонкопленочного резистора рассчитывается по фор-муле

R = R□ L / d, (1.14)

где L - длина пленочного элемента; d – ширина пленки.
Термоэлектрические явления. Если вдоль разомкнутого проводника имеется градиент температуры, то на концах его появля-ется разность потенциалов, называемая термоэлектрической разно-стью потенциалов или термо - э.д.с. Причина ее возникновения за-ключается в том, что вовлеченные в тепловой поток электроны пере-носят электрический заряд. Э.д.с., возникающая на концах проводни-ка при разности температур концов, равной одному градусу, называ-ется абсолютной удельной (дифференциальной) термо -э д.с.
В незамкнутой цепи, состоящей из двух или более разнород-ных проводников, находящихся при одинаковой температуре, появ-ляется э.д.с., называемая контактной разностью потенциалов. Её возникновение обусловлено различием работ выхода электронов и различием значений концентрации свободных электронов соприка-сающихся металлов. При замыкании цепи контактные разности по-тенциалов компенсируются. В такой цепи э.д.с. возникает только в том случае, когда контакты проводников («спаи») имеют разную температуру. По имени первооткрывателя это явление получило на-звание эффекта Зеебека. Как показывает опыт, в относительно не-большом интервале температур термо-э.д.с. пропорциональна разно-сти температур контактов

U ~ бт (Т2-Т1), (1.15)

где бт - относительная дифференциальная или удельная термо-э.д.с.; Т1 и Т2 – температуры контактов (спаев).
Значение бт зависит от природы соприкасающихся про-водников и температуры.
Провод, составленный из двух изолированных проволок из различных металлов или сплавов, называют «термопарой» и используют для измерения температуры. Для термопар ис-пользуют проводники, которые имеют большую по величине бт и стабильную во времени. Наоборот, для обмоток измери-тельных приборов и эталонных резисторов, стремятся приме-нять проводниковые металлы и сплавы с возможно меньшей бт относительно меди. Это позволяет избежать появления в изме-рительных схемах паразитных термо-э.д.с., которые могли бы вызвать ошибки при точных измерениях.
1.3. Проводниковые материалы высокой проводимости
К этой группе материалов принято относить металлы с удель-ной электрическим сопротивлением не более 10-7 Ом∙м. В данном разделе приводятся проводниковые металлы по порядку их величины удельного электрического сопротивления. Наиболее распространен-ными среди этих проводников являются медь и алюминий. Провод-никовые металлы: серебро, золото, платина, палладий относятся, кроме того, к благородным металлам благодаря их высокой химиче-ской стойкости.
Серебро – блестящий металл белого цвета, стойкий к окисле-нию при нормальных условиях; обладает наилучшими среди метал-лов электропроводностью (с = 1,50∙10-8 Ом∙м), теплопроводностью и отражательной способностью. Предел прочности при растяжении ув для серебряной проволоки составляет 200 МПа, пластичность д - 50%.
Серебро получают из руды химическим способом или посред-ством электролиза. Двух – и трехкратное повторение электролитиче-ской очистки дает возможность получить серебро очень высокой степени чистоты: Ср-999 (99,90 % Ag) и Cp-999,9 (99,99 % Ag).
Серебро применяется в широкой номенклатуре контактов в аппаратуре разной мощности, в качестве электродов, непосредствен-но нанесенных на диэлектрики, в производстве керамических и слю-дяных конденсаторов. Для этого применяют методы вжигания, тер-мовакуумного напыления и др. Серебром покрывают внутренние по-верхности волноводов СВЧ и провода высокочастотных катушек для получения слоя высокой проводимости. Серебро применяют также при изготовлении серебряно-цинковых и серебряно-кадмиевых ак-кумуляторов. Сплавы серебра с другими благородными металлами и медью используются в скользящих и коммутирующих контактах. Серебро хорошо паяется обычными припоями.
Недостатком серебра является склонность к миграции внутрь диэлектрика, на который оно нанесено, особенно при высокой темпе-ратуре и влажности. Поэтому серебро не применяют в качестве про-водящих пленок в микросхемах и в устройствах функциональной электроники (например, при изготовлении встречно-штырьевых пре-образователей фильтров на ПАВ). По сравнению с другими благо-родными металлами серебро обладает пониженной химической стойкостью. В частности, серебро обладает склонностью к образова-нию непроводящих темных пленок сульфида Ag2S в результате взаимодействия с сероводородом, который почти всегда присутству-ют в атмосфере.
Медь. Удельное электрическое сопротивление меди составля-ет 1.68∙10-8 Ом∙м, плотность 8900 кг/м3.
Преимущества меди, обеспечивающие ей широкое примене-ние в качестве проводникового материала, следующие:
1) малое удельное сопротивление (из всех металлов только серебро имеет несколько меньшее удельное сопротивление, чем медь);
2) достаточно высокая механическая прочность;
3) удовлетворительная в большинстве случаев коррозионная стойкость;
4) хорошая обрабатываемость – медь прокатывается в листы, ленты и протягивается в проволоку, толщина которой может быть доведена до 10-2 мм;
5) относительная легкость пайки и сварки.
Медь встречается в природе в самородном состоянии, а также в виде медных руд. Производство меди основано на переработке сульфидных и оксидных соединений. После ряда плавок руды и об-жигов с интенсивным дутьем медь, предназначенная для электротех-нических целей, обязательно подвергается электролитической очист-ке. Полученные после электролиза катодные пластины меди пере-плавляют в болванки массой 80-90 кг, которые прокатывают и протя-гивают в изделия требуемого поперечного сечения.
По механическим свойствам различают медь твердую неото-жженную (маркируется МТ) и медь мягкую отожженную (маркиру-ется ММ). Медь марки МТ имеет высокий предел прочности при растяжении (ув до 450 МПа) и малую пластичность (д до 3%). Если после прокатки медь подвергается отжигу (без доступа воздуха во избежание окислений), то получится мягкая отожженная медь ММ, обладающая меньшей прочностью (ув = 250-270 МПа), сравнительно высокой пластичностью (д=40-50%) и более высокой проводимо-стью.
Стандартная медь, по отношению к которой выражают в про-центах удельные сопротивления металлов и сплавов в отожженном состоянии при 20оC, имеет удельное сопротивление 1.72∙10-8 Ом∙м.
Значительное влияние на свойства меди оказывает водород, особенно сильно при наличии кислорода, присутствующего в меди в виде закиси Cu2O. Водород, легко проникая в глубь металла при по-вышенных температурах, вступает в реакцию Cu2O + H2 = 2Cu + H2O. Давление образующегося в металле водяного пара из-за его незначи-тельной скорости диффузии достигает несколько тысяч атмосфер, приводит к образованию микротрещин, придающих материалу хруп-кость и ломкость. Это явление называют «водородной болезнью».
Из выпускаемых марок стандартной меди в качестве провод-никового материала используется медь с минимальным количеством примесей М1 (99,90 % Сu) и МО (99,95 % Сu). В меди М1 в общем количестве примесей (0.10 %) кислорода должно быть не более 0.08 %. Кислород является одной из наиболее вредных примесей в меди. Для изготовления наиболее тонкой проволоки применяется медь МО, в составе которой содержится не более 0.05% примесей, в том числе не свыше 0.02 % кислорода. В электровакуумной технике применяют бескислородную медь. Ее получают из электролитиче-ской меди, переплавленной в защитной атмосфере восстановительно-го газа СО. Лучшая бескислородная медь содержит 99,97 % Сu, 0,001 % О2 и обозначается МОб. Еще более чистым металлом являет-ся вакуумная медь МОО, выплавляемая в вакуумных печах в графи-товых тиглях при остаточном давлении газа порядка 10-3 Па. В ней содержится 99,99 % Cu и практически отсутствует кислород.
Удельная проводимость меди весьма чувствительна к нали-чию примесей (рис. 1.5).


Рис. 1.5. Влияние различных примесей на удельную проводи-мость меди

Так, при содержании в меди 0,5 % примеси Zn, Cd, Ag удель-ная проводимость ее снижается на 5%. При том же содержании Ni, Sn, Al удельная проводимость меди падает на 25 – 40 %. Еще более сильное влияние оказывают примеси Be, As, Fe, Si, P, снижающие ее удельную проводимость на 55 % и более.
Недостатком меди является ее подверженность коррозии с об-разованием окисных и сульфидных пленок, поэтому проводящие элементы и провода защищают от внешних воздействий лаковыми или эмалевыми покрытиями.
Медь применяют для изготовления монтажных и обмоточных проводов, коаксиальных кабелей, токоведущих деталей приборов и аппаратов. Медь используют для изготовления фольгированных слоистых пластиков, применяемых при производстве печатных плат, применяют в микроэлектронике в виде осажденных на подложки пленок, играющих роль проводящих соединений между функцио-нальными элементами схемы. Кроме того, из специальных электро-вакуумных сортов меди изготавливают аноды и другие детали мощ-ных генераторных ламп, выводы энергии приборов СВЧ, некоторые типы волноводов и резонаторов, стойки антикатодов рентгеновских трубок.
Золото – мягкий, очень пластичный металл блестящего жел-того цвета. Предел прочности при растяжении золотой проволоки составляет 150 МПа, пластичность составляет ~ 40 %. Золото обла-дает хорошей электропроводностью - удельное сопротивление со-ставляет 2,25∙10-8 Ом∙м.
В природе золото встречается в самородном состоянии, в со-ставе золотых руд, а также как примесь других руд. По химическому составу различают золото марки Зл-999,9 (99.99 % Au) и Зл-999 (99,90 % Au).
Существенным преимуществом золота как контактного мате-риала является его высокая химическая стойкость: на воздухе золото совершенно не изменяется; с кислородом, водородом, азотом и угле-родом не соединяется даже при самых высоких температурах. На зо-лото не оказывают влияния щелочи и кислоты, за исключением цар-ской водки (смеси соляной и азотной кислот).
В электронной технике золото применяют как контактный ма-териал, в качестве коррозионно-устойчивых покрытий резонаторов, волноводов и полосковых линий СВЧ устройств, электрических вы-водов активных элементов. Тонкие пленки золота применяются в качестве полупрозрачных электродов в фоторезисторах и по-лупроводниковых фотоэлементах, а также, наряду с тончайшей (5 – 10 мкм) проволокой, в производстве микросхем и полупроводни-ковых приборов. В контактах золота с алюминием происходит обра-зование интерметаллических соединений, обладающих повышен-ным удельным сопротивлением и хрупкостью. Поэтому контакты тонких пленок золота и алюминия в микроэлектронике не допусти-мы.Сплавы золота с другими благородными металлами и медью ис-пользуются в качестве проводниковых покрытий, проводников и скользящих контактов.
Алюминий это проводниковый металл серебристо-белого цвета. Он является представителем легких металлов, то есть метал-лов с плотностью ≤ 5000 кг/м3 (плотность алюминия 2700 кг/м3).. Удельное сопротивление алюминия составляет 2,6∙10-8 Ом∙м, что примерно в 1,63 раза больше удельного сопротивления меди. Поэто-му замена меди алюминием не всегда возможна, особенно в радио-электронике. Однако, если сравнить по массе два отрезка алюминие-вого и медного проводов одной и той же длины и одного и того же сопротивления, то окажется, что алюминиевый провод хотя и толще медного, но легче его приблизительно в 2 раза. К тому же алюминий намного больше распространен в природе и имеет меньшую стои-мость.
Алюминий обладает низкой механической прочностью (ув ≈ 75 МПа), отожженный алюминий в три раза менее прочен на разрыв, чем отожженная медь.
Получают алюминий электролизом глинозема Al2O3 в распла-ве криолита Na3AlF6 при температуре 950 °С.
Для электротехнических целей используют алюминий техни-ческой чистоты марок: AE, A, A0, A5-A8, A85 (содержание алюми-ния в них составляет 99,5 - 99,85 % и примесей 0,5 – 0,15 %). Изго-товленная из алюминия АЕ и отожженная при температуре 350±20°С проволока обладает удельным сопротивлением при 20°С не более 2,8∙10-8 Ом∙м. Алюминий химической чистоты (А95, А97, А995) с со-держанием алюминия 99,95ч95,995 % и примесей 0,05ч0,005 % при-меняют для изготовления тонкой алюминиевой фольги (6 – 7 мкм), используемой в качестве обкладок в бумажных и пленочных кон-денсаторах, при производстве электродов и корпусов электролитиче-ских конденсаторов. Алюминий особой чистоты А999 содержит не более 0,001 % примесей. Разные примеси в различной степени сни-жают удельную проводимость алюминия. Добавки никеля, кремния, цинка или железа в количестве 0,5 % снижают удельную проводи-мость не больше чем на 2 -3 %. Более заметное действие оказывают примеси меди, серебра и магния, снижающие её на 5 – 10 %. Очень сильно снижают удельную проводимость алюминия добавки вана-дия, титана и марганца.
Интересно отметить, что при низких температурах удельное сопротивление алюминия сравнимо с аналогичным параметром для меди, а при температурах ниже температуры жидкого азота стано-вится меньше удельного сопротивления меди (рис.1.6). Этот факт де-лает перспективным использование алюминия в качестве криопро-водника.
Алюминий активно окисляется и покрывается тонкой пленкой окиси с большим электрическим сопротивлением. Такая пленка пре-дохраняет алюминий от коррозии, но создает большое переходное сопротивление в местах контакта, что делает невозможным пайку алюминия обычными методами.


Рис. 1.6. Зависимость удельного сопротивления от температу-ры для меди и алюминия.
Поэтому для пайки алюминия применяют специальные при-пои или используют ультразвуковые паяльники. Оксидная пленка прочна механически и нагревостойка; она может быть сравнительно тонкой (слой окисла толщиной 0,03 мм имеет пробивное напряжение 100 В, а толщиной 0,04 мм – около 250 В).
Из оксидированного алюминия изготавливают различные ка-тушки без дополнительной междувитковой и междуслойной изоля-ции. Недостатками оксидной изоляции проводов является ее ограни-ченная гибкость и заметная гигроскопичность (в тех случаях, когда не требуется большой нагревостойкости оксидной изоляции, ее покры-вают лаком). Наиболее широко оксидированный алюминий приме-няется для изготовления электролитических конденсаторов, электро-дов в разрядниках, катодов в рентгеновских трубках, электродов в выпрямителях тлеющего разряда, диафрагм и отклоняющих пластин в электронно-лучевых трубках и в других случаях, когда должно от-сутствовать катодное распыления металла.
Химически чистый алюминий (марок А95 – А995) широко применяется для получения проводящих тонких пленок в интеграль-ных микросхемах, для получения всречно-штырьевых преобразова-телей в функциональных устройствах на поверхностных акустиче-ских волнах (фильтры, линии задержки и другие). Необходимо отме-тить, что для получения высокой адгезии алюминиевых пленок с ди-электрическими подложками сначала напыляют тонкие пленки из ванадия или хрома.
Алюминий используется при производстве электрических проводов, кабельных, тонкопленочных и других токопроводящих изделий, для изготовления «окошек», прозрачных для электронов, в рентгеновских трубках и счетчиках.
Платина – блестящий металл серовато-белого цвета, практи-чески не соединяющийся с кислородом и весьма стойкий к химиче-ским реагентам. Удельное сопротивление платины при 20 оС равно 9,8∙10-8 ОМ∙м. Платину получают из руды гидрометаллурги-ческим способом. По химической чистоте различают следующие марки платины: Пл - 99,93 (99,93 % Pt); Пл - 99,9 (99,90 % Pt); Пл - 99,8 (99,80 % Pt). Платина прекрасно поддается механической обработке, вытягивается в очень тонкие нити и ленты. Химически чистая платиновая проволока производится в твердом (ПлТ) и мяг-ком (ПлМ) состояниях. Предел прочности при растяжении для мяг-кой проволоки ув = 120 - 200 МПа и пластичность около 40%, для твердой ув = 250 МПа.
В отличие от серебра платина не образует сернистых соедине-ний при взаимодействии с атмосферой, что обеспечивает платино-вым контактам стабильное переходное сопротивление. Она практи-чески не растворяет водород, пропуская его через себя в нагретом со-стоянии. После отжига в водороде платина сохраняет свои свойства. Однако при прокаливании в углеродсодержащей среде платина ста-новится хрупкой.
Платину применяют для изготовления образцовых термомет-ров сопротивления, термопар, рассчитанных на рабочие температуры 1600 оС (в паре со сплавом платинородий). Особо тонкие нити из платины диаметром около 1 мкм используют для подвесок подвиж-ных систем электрометров, балометров, радиационных термоэлемен-тов. Такие тончайшие нити получают многократным волочением би-металлической проволоки платина-серебро с последующим раство-рением наружного слоя серебра в азотной кислоте, которая на плати-ну не действует.
Вследствие малой твердости платина редко используется для изготовления контактов, но служит основой для некоторых контакт-ных сплавов. Наиболее распространенными являются сплавы плати-ны с иридием. Они не окисляются, имеют высокую твердость, малый механический износ, допускают большую частоту переключений. Однако эти сплавы дороги и применяются в тех случаях, когда необ-ходимо обеспечить высокую надежность контактов.
Палладий – серебристо-белый металл, по внешнему виду и ряду свойств напоминает платину и частично служит её заменителем, поскольку дешевле в 4-5 раз. Удельное электрическое сопротивление палладия составляет 10,8∙10-8 Ом∙м. Палладий обладает наименьшей плотностью (12000 кг/м3 , платина – 21450 кг/м3) и температурой плавления (1552 оС) из всех платиновых металлов; в чистом виде мя-гок, пластичен и легко поддается обработке. Предел прочности при растяжении ув для палладия 185 МПа, пластичность д = 24-30 %. На свойства палладия влияют примеси и способ обработки. При холод-ной прокатке твердость палладия увеличивается в 2 - 2,5 раза, при отжиге ув возрастает до 210 МПа, а д достигает 40 %.
Палладий легче, чем другие платиновые металлы подвергает-ся химическим воздействиям, поверхность его окисляется при нагре-вании на воздухе.
Проволока палладия выпускается в твердом (ПдТ) и мягком отожженном (ПдМ) состояниях. По содержанию примесей выпуска-ется палладий марки Пд – 99,9 (99,90 % Pd) и Пд - 99,8 (99,80 % Pd).
Чистый палладий используется для покрытия скользящих контактов, работающих при небольших контактных усилиях, что увеличивает их срок службы, в припоях и контактолах. Палладиево- вольфрамовый сплав(20 %W) применяется в переменных резисто-рах4как резистивный материал с большим ресурсом работы и низким уровнем контактных шумов. Серебряно-палладиевые сплавы исполь-зуются как резистивные материалы, сплавы палладия с серебром и медью применяют в качестве контактных материалов.
В последнее время порошки серебряно-палладиевых сплавов и чистого палладия стали использоваться в качестве проводящего компонента паст, применяющихся в толстопленочной технологии микроэлектроники.
Палладий используют в электровакуумной технике, благода-ря его способности интенсивно поглощать водород. Твердый палла-дий поглощает 900 объемов водорода на единицу собственного объ-ема. Выделенным из палладия чистым водородом наполняют неко-торые типы газоразрядных приборов.

1.4. Проводящие материалы с высоким удельным сопротивлением. Резистивные материалы

1.4.1. Металлические проводниковые материалы с высоким сопротивлением и сплавы для термопар

Резистивные материалы. Сплавами высокого сопротивле-ния называют проводниковые материалы, у которых значения удель-ного сопротивления в нормальных условиях составляют не менее 30∙10-8 Ом∙м. Их применяют при изготовлении обычных и образцо-вых проволочных резисторов, термопар, электроизмерительных приборов, шунтов и электронагревательных устройств. При исполь-зовании сплавов в качестве резисторов и в электроизмерительной технике от них требуется не только высокое удельное сопротивление ,но и малое значение б с, а так же малая термо-э.д.с. относительно ме-ди. Проводниковые резистивные материалы в электронагреватель-ных приборах должны длительно работать на воздухе при темпера-турах не ниже 1000 °С. Среди большого количества материалов для указанных целей наиболее распространенными на практике являются сплавы на основе меди - манганин, изабеллин и константан, а так же хромоникелевые и железохромоалюминиевые сплавы.
Сплавы типа манганина. Физические свойства и основной химический состав этих сплавов (манганин, изабелин, новоконстан-тан, константан) приведены в таблице 1.1. Это основные сплавы для изготовления образцовых резисторов, шунтов и добавоч-ных резисторов к измерительным приборам. Одним из наибо-лее важных требований к этим сплавам является малая термо-э.д.с. относительно меди. Собственно манганин – основной сплав на медной основе для изготовления прецизионных рези-сторов. Манганин отличается желтоватым оттенком, хорошо вытягивается в тонкую проволоку диаметром 0,02 мм. Его плотность 8400 кг/м3, предел прочности при растяжении 450-550 МПа, относительное удлинение 25 %. Для получения ма-лого бс и высокой стабильности сопротивления манганин под-вергают отжигу при температуре около 400 оС в течение 1-2 часа в вакууме или инертной атмосфере с последующим медленным охлаждением и дополнительной длительной вы-держкой (до 1 года) при комнатной температуре.
Изабеллин отличается от манганина отсутствием нике-ля и очень низким значением термо-э.д.с в паре с медью. бс изабеллина очень чувствителен к термообработке и после от-жига при 500 – 550 оС может иметь значение до 10-6 К-1, отжиг должен проводиться в том же режиме как и манганина.
Изабеллин применяется главным образом для обычных проволочных резисторов. Применению его в качестве преци-зионных резисторов препятствует неоднородность свойств по-сле старения, вероятно, вследствие недостаточной гомогенно-сти сплава.
Новоконстантан по своим характеристикам и областям применения сходен с изабеллином. Как и у изобеллина его не-достатком является непостоянство свойств из-за негомогент-ности сплава.
Константан – сплав меди и никеля с плотностью 8900 кг/м3, его основные свойства и состав представлены в табл.1.1. Содержание никеля в сплаве соответствует максиму-му удельного сопротивления и минимуму бс для сплавов Cu-Ni. Константан хорошо поддается обработке – его можно протягивать в проволоку и прокатывать в ленту.
Предел прочности при растяжении константановой про-волоки 500-700 МПа, относительное удлинение не менее 15-20 %.
Константан применяется для изготовления проволочных резисторов, нагревательных элементов с рабочей температурой не выше 500оC, термоэлектродов и компенсационных проводов термопар.
На поверхности константановой проволоки легко обра-зуются оксидные пленки, обладающие хорошими электроизо-ляционными свойствами. Покрытую такой изоляцией проволо-ку можно наматывать без изоляции между витками, если толь-ко напряжение между витками не превышает 1В. Таким обра-зом, например, изготавливают реостаты.
Главным недостатком константана как сплава для пре-цизионных резисторов является высокая термо-э.д.с. в паре с медью. Этим свойством константана пользуются при изготов-лении медно-константановых термопар, отличающихся высо-кой стабильностью и предназначенных для измерения темпе-ратуры от -250 до 700 оС.
Хромоникелевые сплавы (нихромы). Эти сплавы относят-ся к жаростойким сплавам с высоким удельным сопротивлени-ем (табл. 1.1) и широко применяются в качестве пленочных ре-зистивных материалов в тонкопленочных гибридных инте-гральных схемах и проволочных резисторах. Большое распро-странение они получили при изготовлении электронагревате-лей, работающих на открытом воздухе. Наиболее высоким ка-чеством обладают сплавы с индексом Н. Это обеспечивается совершенной технологией изготовления, дополнительным ле-гированием редкоземельными и другими элементами. Значи-тельная стойкость нихромов к окислению на воздухе при вы-соких температурах обусловлена образованием защитного слоя устойчивых оксидов Cr2O3 и NiO с температурными коэффи-циентами линейного расширения, близкими к бℓ сплава.
Таблица 1.1.
Основные свойства и состав сплавов высокого сопротивления

Наименова-ние сплава Состав с, Ом∙м∙108 бс, К-1106 бт ,
МкВ/К Траб, оС
Манганин
МНМц3-12
CuМnNi
42-48
5-30
1-2
100-200
Изабелин CuMnAl 50 1 -0.2 300
Константан
МНМц-1,5
CuNi
48-52
-(5-25)
40-50
450-500
Нихром
Х20Н80
NiCrMnFe
100-110
100-200

1100

Однако при резких изменениях температуры происходит частичное разрушение слоя оксидов, проникновение кислорода в трещины и дополнительное окисление сплава, т.е. срок службы нагревателя снижается. Следовательно, при много-кратном кратковременном включении нагревательный элемент из хромоникелевого сплава может перегореть скорее, чем в случае непрерывного режима нагрева (срок службы может от-личаться в 20-30 раз).
Для всех сплавов агрессивными являются среды, содер-жащие фосфор, галоиды и серу, кроме железохромоалюминие-вых сплавов, для которых допустимы серосодержащие газы.
Для изготовления проводов, предназначенных для элек-трических аппаратов, приборов и проволочных резисторов, ис-пользуется проволока из сплавов марок Х15Н60 и Х20Н80. Их механические свойства при 20 °С следующие: плотность 8200 и 8400 кг/м3, предел прочности при растяжении 645 и 656 МПА, пластичность 60 и 61 % соответственно. Примене-ние проволоки из этих сплавов в качестве резистивного мате-риала обусловлено тем, что они имеют малое значение бс в широком интервале температур, небольшую термо-э.д.с. отно-сительно меди, высокую стабильность сопротивления. Оксид-ные пленки на этой проволоке имеют небольшие и стабильные в широком интервале температур контактные сопротивления даже при малых контактных усилиях(50 – 100 г). Это наряду с высоким удельным сопротивлением и малым диаметром про-волоки делают возможным создание миниатюрных высокоом-ных резисторов постоянного и переменного сопротивлений, отличающихся высокими техническими характеристиками и большим ресурсом работы.
Тонкие пленки из нихрома Х20Н80, полученные мето-дом термовакуумного испарения и конденсации, применяются для изготовления тонкопленочных резисторов в интегральных микросхемах. Обычно применяют тонкие нихромовые пленки, имеющие поверхностное сопротивление Rпов = 50 -3 00 Ом и значение бс, изменяющееся в пределах от -3∙10-4 до +2∙10-4 К-1. Такие пленки имеют хорошую адгезию к диэлектрическим подложкам и высокую стабильность свойств.
Хром – металл серо- стального цвета, весьма распространен-ный в земной коре 2∙10-2 %. Плотностью хрома 7190 кг/м3, удельное сопротивление 13∙10-8 Ом∙м, температура плавления – 1875 оС, бс со-ставляет 24 .10 оС - 1. В природе встречаются почти исключитель-но в виде кислородосодержащих соединений. Хром бывает сле-дующих марок: Х99А, Х99Б (99,00 % Cr), Х98,5 (98,50 % Cr), Х98 (98,00 % Cr), Х97 (97,00%Cr).
Из тонких пленок хрома изготовляют резисторы и адгезион-ные подслои для контактных площадок и токопроводящих коммуни-каций в интегральных микросхемах, а также светонепроницаемые слои фотошаблонов. Пленки хрома осаждают на ситалловые, кера-мические, стеклянные подложки методами вакуумной конденсации или пиролиза. Хром входит в состав нихромов и других сплавов для нагревательных элементов, а также в состав нержавеющих, жаро-прочных сталей и магнитных материалов.
Хром используют для защитных покрытий изделий, в том числе работающих при высоких температурах. Хромирование про-изводится электролитически или путем насыщения хромом поверх-ностных слоев изделий посредством диффузии из внешней среды.
Тантал - металл серого цвета с легким синеватым оттенком с плотностью 16600 кг/м3 и температурой плавления 3000 оС, удель-ным электрическим сопротивлением 12,4∙10-8 Ом∙м . Температурный коэффийиент удельного сопротивления тантала составляет пример-но 38 .10-4 оС - 1. По содержанию в земной коре (2∙10-5 %) относится к довольно редким элементам. Промышленностью выпускается тантал марок ТЧ (99,75 % Та) и Т (99,30 % Та), торированный тантал ТТ-1 (1 % ThO2), а также танталониобиевые сплавы TH-3 (3,5 % Nb) и TH-20 (20 % Nb). Тантал характеризуется высокой пластичностью даже при комнатной температуре. Предел прочности при растяжении отожженной проволоки составляет 350 - 700 МПа, неотожженной 900 – 1250 МПа; пластичность отожженной проволоки д = 10 ч 50 %, неотожженной д = 1,5 ч 5 %. При нагревании на воздухе и при анодном окислении на поверхности тантала образуется плотная пленка пятиокиси Та 2О5, которая не разлагается до температуры 1500 о С. В отличие от вольфрама и молибдена тантал не становится хрупким при нагревании в вакууме до весьма высоких температур.
Из тантала получают резистивные пленки с удельным сопро-тивлением 10 – 200 Ом /□. Однако у металлических пленок тантала наблюдается изменение удельного сопротивления пленок под элек-трической нагрузкой в атмосферных условиях, что объясняется рас-творением в них азота и кислорода. При легировании тантала азотом стабильность пленок улучшается. Наилучшей стабильностью обла-дают пленки нитрида тантала Ta2N, который и применяют для изго-товления резисторов.
Особое значение тантал имеет при производстве конденсато-ров. Широкое применение получили электролитические и тонкопле-ночные конденсаторы, металлические пленки тантала в которых по-лучают методом анодного окисления. Тантал является металлом, об-разующим однородные пленки окисла в водных растворах почти любого электролита. Благодаря повышенной диэлектрической про-ницаемости Та2О5 (е = 25), такие конденсаторы обладают большой удельной емкостью.
Ввиду природной дефицитности и относительно высокой стоимости тантал используется для изготовления ответственных из-делий, работающих в напряженном тепловом режиме. В основном тантал применяется в электровакуумной промышленности для изго-товления анодов и сеток генераторных ламп, прямонакальных като-дов сложной формы, нераспыляемых газопоглотителей, вспомога-тельных деталей электровакуумных приборов. Кроме того, из танта-ла изготавливают тигли для плавки в вакуумных печах, испарители веществ при напылении тонких пленок, тонкопленочные резисторы в интегральных схемах.
Сплавы для термопар подразделяют на сплавы для термоэлектродов и сплавы для удлиняющих (компенсацион-ных) проводов. Чтобы получить чувствительную термопару, для термоэлектродов выбирают сплавы, существенно отли-чающиеся друг от друга по значению абсолютной термо-э.д.с. Кроме того термопары должны обладать высокой коррозион-ной стойкостью, хорошей гомогенностью и не слишком высо-ким удельным сопротивлением. Фактически для измерения температуры на воздухе или в других активных средах при по-вышенных температурах можно использовать лишь несколько металлов и сплавов. Наиболее часто применяют следующие сплавы:1) копель (56 % Сu и 44 % Ni); 2) алюмель (95 % Ni, остальное – Al,Si и Mn; 3) хромель (90 % Ni и10 % Сr); 4) пла-тинородий (90 % Рt и 10 % Rh).
Основные свойства некоторых сплавов для термопар приведены в таблице 1.2. На рис.1.7 представлены зависимости термо-э.д.с. от разности температур горячего и холодного спа-ев для наиболее употребительных термопар.
Небольшие изменения состава сплава могут привести к значительным изменениям термо-э.д.с. Однако это не лимити-рует точности измерений, если только термопара не использу-ется без предварительной градуировки.

Таблица 1.2
Основные свойства некоторых сплавов для термопар

Свойство хро-мель алю-мель копель плати-нородий
Плотность, кг/м3 8720 8670 8900 20000
с, Ом∙м∙108
при 20°С
68
33
47
20
ув, МПа
при 20°С
500
450
400
300
Пластичсть д, % при 20 °С
15-20
20-25
15-20
35
Тпл., °С 1435 1450 1290 1840

Верхняя граница измеряемых температур для термопар следующая: платинородий - платина до 1600 °С, медь - кон-стантан и медь - копель до 350 °С; железо - константан, железо - копель и хромель - копель до 600 °С; хромель-алюмель до 1000 °С.
Из применяемых на практике термопар наибольшую термо-э.д.с. при данной разности температур имеет термопара хромель-копель.
Большинство термопар устойчиво работает только в окислительной среде, в процессе длительной эксплуатации может наблюдаться постепенное изменение удельной термо-э.д.с. Причинами нестабильности свойств являются загрязне-ние примесями, летучесть компонентов, окисление проволок, резкие перегибы и деформации, которые вносят внутренние напряжения и создают физическую неоднородность.


Рис 1.7. Зависимость термо-э.д.с. от разности темпера-тур горячего и холодного спаев для термопар: 1 – хромель - копель; 2 – железо - копель; 3 – медь - копель; 4 – железо - константан; 5 – медь - константан; 6 – хромель - алюмель; 7 – платинородий – платина.
Наиболее высокой точностью, стабильностью и воспро-изводимостью обладают платинородиевые термопары, не-смотря на малую удельную термо-э.д.с. Эти качества объясня-ются химической инертностью материала и возможностью его получения с высокой степенью чистоты.
Термобиметаллы – металлические комбинированные материалы, состоящие из двух или нескольких слоев с различ-ными температурными коэффициентами линейного расшире-ния бℓ, прочно сваренных по всей поверхности соприкоснове-ния. Составляющая термобиметалла с высоким бℓ называется активной составляющей, с низким – пассивной. Эти материалы применяются для изготовления термокомпенсаторов, чувстви-тельных элементов термометров, терморегуляторов, термоэле-ментов тепловых и токовых реле, автоматов защиты электросе-ти. Термобиметаллы должны обладать высокой термочувстви-тельностью, т.е. способностью изгибаться при небольших из-менениях температуры, высокой предельной температурой на-грева и длительным сроком службы. В качестве активных со-ставляющих термобиметаллов применяются железоникелевые сплавы, имеющие в составе 12- 27 % Ni, легированные допол-нительно хромом, марганцем, молибденом или медью; сплавы на основе марганца, латуни. В качестве пассивных составляю-щих применяют чаще всего сплав Н- 36 (инвар), содержащий железо и, примерно, 36 % никеля и другие железоникелевые сплавы с содержанием 42- 50 % Ni.
Тензометрические сплавы применяют для датчиков деформации различных конструкций под действием механиче-ских напряжений. Действие таких датчиков основано на изме-нении сопротивления при деформации тензометрического эле-мента. Основным материалом для тензометрических датчиков, работающих при сравнительно невысоких температурах, яв-ляются уже описанный константан. Для высокотемпературных датчиков применяют сплавы системы Fe-Cr-Ni.

1.4.2.. Неметаллические резистивные материалы.
Кремниевые резистивные сплавы марок РС. Повы-шенным удельным сопротивлением обладают сплавы, в кото-рых образуются интерметаллические соединения. Среди этих сплавов хорошими свойствами обладают сплавы системы Si -Cr –Ni -Fe. Широкое распространение в качестве резистивных пленок получили сплавы марок РС 4800, РС 3710, РС 3001 и другие. В обозначении марок буквы и цифры обозначают: РС – резистивный сплав; две первые цифры – номинальное содер-жание основного легирующего компонента (Cr); две остальные цифры - номинальное содержание второго легирующего ком-понента. В зависимости от состава удельное сопротивление та-ких пленок составляет от 50 до 50000 Ом/□. Температурный коэффициент удельного сопротивления бс < 10 -4 К-1. Сплавы выпускаются в виде порошков с размером частиц около 40 мкм. Пленки наносятся на подложки различными методами: ионно-плазменным испарением, методом термического ваку-умного испарения и другими методами в высоком вакууме.
Металлосилицидные сплавы. В тонкопленочной тех-нологии применяют мнокогокомпонентные металлосилицид-ные сплавы типа МЛТ, состоящие из кремния, окиси кремния, железа, хрома, никеля и вольфрама (Si–SiO2-Fe-Cr-Ni-W). Пленки из таких сплавов при толщине 0,1 – 1 мкм позволя-ют получать сопротивление R□ до 35 кОм при бс = -2,5 10-4 - +4 10-4 К-1.
Полимер-углеродные композиции применяют для изго-товления постоянных и переменных объемных и пленочных резисторов. Из них можно получить резисторы сопротивлени-ем 5-106 Ом со значением бс= (-2 – +7)∙10-4 К-1.
Полупроводниковые резистивные сплавы. Благодаря высокому удельному сопротивлению полупроводники могут использоваться в качестве резистивных материалов. Однако для них характерна температурная нестабильность. Поэтому одно из применений полупроводниковых резисторов – датчики температуры в системах теплового контроля и регулирования. Рабочий диапазон таких терморезисторов доходит до 1000 оС. Для этих целей подходят широкозонные полупроводники, ча-ще всего оксидные, например SnО2. Помимо высокой химиче-ской стойкости они являются прозрачными для видимого све-та. Такие материалы можно использовать в качестве контакт-ных и резистивных слоев. Конечно, при изготовлении резисто-ров прозрачность редко требуется, но прозрачные контактные площадки являются необходимыми конструктивными элемен-тами для многих оптоэлектронных устройств (солнечных бата-рей, фотоприемников, светодиодов, жидкокристаллических индикаторов); полупроводниковые резистивные материалы применяют в качестве: проводящих покрытий внутри стеклян-ных баллонов электровакуумных приборов, электродов элек-тролюминесцентных конденсаторов, преобразователей и уси-лителей изображения и других устройств.
Поскольку прозрачностью обладают только материалы с шириной запрещенной зоны Еg > 2,5 эВ, то для прозрачных ре-зистивных элементов используют широкозонные полупровод-ники (SnO2, In2O3, Sb2O3).
Для получения резистивных пленок SnO2 пригодны все методы вакуумной технологии, однако наиболее широко ис-пользуется методы высокотемпературного гидролиза хлоридов олова. Пленки, полученные этими методами, имеют плотную мелкокристаллическую структуру, обладают хорошей адгезией к стеклянным и керамическим подложкам (прочность сцепле-ния достигает 20 МПа, что намного больше, чем у металличе-ских пленок). Они стойки к истиранию, воздействию влаги, химических реагентов (разрушаются лишь плавиковой кисло-той, кипящей щелочью и атомарным водородом). Удельное со-противление пленок зависит от степени нарушения стехиомет-рического состава и может составлять 10-5 Ом•м. Перечислен-ные свойства позволяют изготовлять на основе диоксида олова не только резистивные элементы оптоэлектронных устройств, дискретные резисторы, но и тонкопленочные резисторные элементы с низким уровнем шумов для гибридных интеграль-ных микросхем.
Весьма перспективны высоконагревостойкие проводни-ковые материалы - некоторые оксиды (прежде всего керамика окиси циркония ZrO2 c добавкой окиси иттрия Y2O3, керамика окиси церия CeO2, некоторые карбиды и хромиты). Некоторые свойства керамики ZrO2- Y2O3 ( при пористости 25 объемн.% ): плотность 2900 кг/м3, температурный коэффициент линейного расширения 13∙10-6 К-1; коэффициент теплопроводности при 1500 °С -1,45 Вт/мK.
Углеродистые материалы. К углеродистым материа-лам относятся природный графит, пиролитический углерод, сажа, антрацит.
Природный графит представляет собой одну из алло-тропных форм чистого углерода слоистой структуры с боль-шой анизотропией электрических и механических свойств. Природный графит это крупнокристаллический материал с очень высокой температурой плавления (порядка 4000 °С), од-нако он начинает испаряться в вакууме при 2200 °С. Окисле-ние графита на воздухе начинается при температурах 400-450 °С с образованием газообразных окислов СО и СО2. Природ-ные графиты добываются из специальных руд. Некоторые свойства графита приведены в табл. 1.3.
Пиролитический углерод получают путем пиролиза (термического разложения без доступа кислорода) газообраз-ных углеводородов (чаще всего гептана (С7Н16). По своим свойствам и структуре пиролитический углерод приближается к графиту, отличие заключается в отсутствии строгой перио-дичности в расположении слоев при сохранении их параллель-ности. Некоторые свойства пиролитического углерода пред-ставлены в табл. 1.3.
Сажа является мелкодисперсной разновидностью уг-лерода. Реакция получения сажи аналогична реакции получе-ния пиролитического углерода, но осаждение происходит при более низкой температуре (менее 900 °С), что обусловливает более мелкозернистую структуру (сажу называют также кол-лоидным углеродом). Будучи введенными в связующее веще-ство, сажи проявляют склонности к структурообразованию.
Производство большинства угольных изделий заключа-ется в измельчении углеродного сырья в порошок, смешении его со связующими веществами, формовании и обжиге, после которого изделия приобретают достаточную механическую прочность и твердость, допускают механическую обработку. В качестве сырья для производства электроугольных изделий ис-пользуют сажу, графит или антрацит.
Угольные порошки, используемые в микрофонах для создания сопротивления, изменяющегося от звукового давле-ния, получают из антрацита. Из всех углеродистых материалов изготовляют безындукционные непроволочные резисторы.

Таблица 1.3
Свойства графита и пиролитического углерода

Свойство Монокристалл гра-фита Поликри-сталличе-ский графит Пиролити-ческий уг-лерод
Вдоль плоско-стей Поперек плоско-стей
Плот-ность, кг/м3
2240
2240
2260
2070
бℓ .106, К-1 6,6 26 7,5 6,5-7
с∙108, Ом•м
30ч50
104
80
104-2∙104
бс∙104, К-1 +9 -400 -10 -2

Они отличаются от проволочных уменьшенными разме-рами и высоким верхним пределом номинального сопротивле-ния.
Недостатком углеродистых резисторов является их тех-нологическая несовместимость с ИС, ГИС, так как углерод не-возможно наносить методами вакуумного испарения из-за очень низкой упругости паров при нагреве до Т = 1500 оС. По-этому углеродистые резисторы в составе микроэлектронной аппаратуры не используются. Но они широко применяются в виде дискретных радиокомпонентов.
Из графита делают нагреватели, детали разрядных ламп, электроды дуговых печей. Графит широко используется в тех-нологии микроэлектроники для изготовления разного рода на-гревателей и экранов, держателей, лодочек, тиглей, кассет для установки полупроводниковых пластин. В вакууме или защит-ных средах изделия из графита могут эксплуатироваться при температурах до 2500 °С.
Все более широкое применение получают сравнительно новые виды углеграфитовых материалов: пирографит, ните-видный графит, стекло- и бороуглерод, углеситаллы, углегра-фитовые ткани.
Стеклоуглерод – полимерные органические смолы типа бакелита, наполненные углеродом, имеют блестящую поверх-ность, стеклоподобный вид и раковистый излом. Стеклоугле-род обладает повышенной химической стойкостью.
Углеситаллы представляют собой материалы, в которых имеются дисперсные включения, обеспечивающие высоки

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:12 + в цитатник
3.3. Керамика

3.3.1. Общие сведения

Керамикой называют материалы, полученные при высо-котемпера¬турном спекании неорганических веществ, включая минералы и окислы. По структуре керамика является много-фазной системой, состоящей из кристаллов, стеклофазы и газо-вой фазы; при этом химический состав стеклообразной фазы отличается от кристаллической.
Кристаллическая фаза представляет собой определенные химические соединения (с ковалентной или ионной связью) или твердые растворы этих соединений. Эта фаза составляет основу керамики и определяет основные свойства - механи¬ческую прочность, температурный коэффициент линейного расширения, термостойкость, диэлектрические параметры.
Стекловидная фаза находится в керамике в виде прослоек стекла, связывающих кристаллическую фазу. Обычно керами-ка содержит 1-10 % стеклофазы; увеличение ее содержания снижает механическую прочность, теплостойкость, гигроско-пичность материала. Однако исходные стеклообразующие компоненты керамики (глинистые вещества) улучшают техно-логические свойства материала - степень пластичности кера-мической массы при формообразовании, снижает температуру спе¬кания. Некоторые фазы керамики вообще не содержат стек-ловидной фазы.
Газовая фаза представляет собой газы, находящиеся в по-рах керамики; по этой фазе керамику подразделяют на плот-ную (без наличия пор), без открытых пор и пористую. Наличие пор обусловлено способом обработки керамической массы. Пористость приводит к снижению механической и электриче-ской прочности изделий, вызывает повышенные диэлектриче-ские потери вследствие ионизации газовых включений.
Метод изготовления изделий из керамики зависит от ви-дов исходных компонентов, особенности конфигурации детали и масштаба производства. Для каждого конкретного случая процесс изготовления может несколько видоизменяться, но любая технологическая схема включает следующие основные операции: тонкое измельчение исходных компонентов и тща-тельное их смешивание; пластификация массы и образование формовочного полуфабриката; формообразование заготовок; сушка и спекание изделий (высокотемпературный обжиг). Об-жиг кера¬мических изделий является важным завершающим этапом технологичес¬кого цикла. В процессе обжига, преиму-щественно в стадии нагрева, удаляется вода и происходит вы-горание пластификатора, осуществляются химические реакции между частицами компонентов, вследствие чего образуются кристаллические и аморфные фазы. Механизм спекания сло-жен, как правило, он включает течение твердого вещества вследствие термически активируемых перемещений атомов компонентов. Температура, обеспечивающая спекание керами-ки, находится в пределах 1200-2000 оС и более в зависимости от видов исходных компонентов. В процессе обжига форми-руются заданные физические и электрические свойства мате-риала. Поэтому процесс спекания происходит по строго задан-ному температурному и газовому режимам в окислительной, восстановительной или в нейтральной среде.
Неорганический характер керамических материалов при-дает им свойства, отличающие их от металлов и органических материалов. Керамические материалы стойки против высоких температур, воды и воздействия активных химических ве-ществ, не горючи, не имеют остаточ¬ных деформаций и не ста-реют от длительной электрической и тепловой нагрузок, стой-ки к воздействию излучений высокой энергии. Они обладают хорошими диэлектрическими характеристиками при достаточ-ной механической прочности - как и ситаллы, керамика отно-сится к хруп¬ким материалам.
Согласно ГОСТ 5458 «Материалы керамические радио-технические» подразделяются на три типа А, Б, В и десять классов в зависимости от величины диэлектрической прони-цаемости, температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и меха-нической прочности. Керамические материалы типа А (классов I, II, III) – предназначенные для изготовления высокочастот-ных конденсаторов; материалы типа Б (IV, V) - низкочастот-ные для конденсаторов. Материалы типа В (VI-X классов) – высокочастотные для изготовления установочных деталей.

3.3.2. Конденсаторная керамика

Конденсаторная керамика отличается небольшим содер-жанием бесщелочной аморфной фазы. При этом кристалличе-ские фазы формируются с условием получения наибольшего значения диэлектрической проницаемости ε, меньшего tgδ и определенной величины температурного коэффициента ди-электрической проницаемости ТКε.
Высокочастотная конденсаторная керамика (типа А) подразделяется на классы в зависимости от величины темпера-турного коэффициента диэлектрической проницаемости. Об-щие электрические свойства приведены в табл.3.3.

Таблица 3.3

Электрические характеристики высокочастотной кон-денсаторной керамики

tgδ при 106 Гц ε при 106 Гц ТКε 106К-1 Удельное сопротив-ление ρv, Ом м Электрическая прочность Е при постоян-ном напряже-нии, МВ/м
(3-5) 10-4 14-250 (+33÷-3300) 109-1010 8-25
Необходимо отметить, что высокочастотная керамика с большой диэлектрической проницаемостью имеет и большее значение температурного коэффициента ε.
По величине ТКε высокочастотная керамика подразделя-ется на 3 класса.
Класс I имеет ТКε = (-3300 ÷ -1500) 10-6К-1. Эта керамика синтезируется на основе соединений SrTiO3 и CaTiO3. Керами-ка этого класса имеет ε = 130 - 250 и используется для изго-товления конденсаторов, к которым не предъявляются высокие требования по температурной стабильности.
Класс II имеет ТКε = (-750 ÷ -150) 10-6 К-1 и ε = 30-65. Ке-рамика этого класса предназначена для изготовления контур-ных термокомпенсирующих и разделительных конденсаторов. Керамика этого класса синтезируется на основе соединения ти-тана кальция и цирконата кальция (CaTiO3 + CaZrO3). Кроме этой керамики широко используется соединение с высоким со-держанием рутила TiO2 с небольшими добавками ZrO2 и MgO или ZrTiO3 (система ZrTiO3 - TiO2). На основе этих компонен-тов синтезируются керамики (тиконды) марок Т-40, Т-80, Т-150, Т-300 (цифра обозначает величину ε).
Для этих керамик высокое значение ε и снижение ее с ростом температуры (отрицательное значение ТКε) объясняет-ся тем, что в рутиле на высоких частотах проявляется очень сильно электронная поляризация; в области низких частот (до 104 Гц) преобладающее влияние имеет ионно – релаксационная поляризация.
Класс 3 имеет ТКε = (-75 ÷ + 33) 10-6 оС-1 и ε = 14 – 50 и используется для изготовления высокочастотных термоста-бильных конденсаторов. К этой группе материалов относятся станнатная керамика системы СаSnO3 - СaTiO3 и лантановая керамика системы LaAlO3 - СaTiO3.
Низкочастотная конденсаторная керамика (типа Б) характеризуется высокими и сверхвысокими значениями, ди-электрической проницаемости ε большим значениям tg и по-ниженным значением электрической прочности (табл.3.4) по сравнению с высокочастотной керамикой. Кроме того, эта ке-рамика обладает заметной температурной зависимостью ТКε.

Таблица 3.4

Диэлектри-ческая про-ницаемость ε Тангенс угла диэлектриче-ских потерь tgδ Удельное сопротивле-ние v, Ом м Электрическая прочность, МВ/м
900-9800 (20 – 300)10-4 109 5-9

Керамика класса 1V обладает наименьшим значением tg и наибольшей электрической прочностью Епр среди низкочас-тотной керамики и предназначена для изготовления конденса-торов, работающих на частоте не более 104 Гц, импульсных конденсаторов и конденсаторов, работающих в цепях постоян-ного тока.
Керамика класса V применяется для изготовления низко-частотных разделительных и блокировочных конденсаторов, где необходима повышенная температурная стабильность.
Для получения этих керамик используют композиции на основе SrТiO3 + Bi2O3 + TiO2. Низкочастотные конденсаторы изготавливают на основе керамических сегнетоэлектриков Ba,Ca(Тi,Sn,Zr)O3 с различными примесями, диэлектрическая проницаемость ε которых доходит до 9000. Но эта керамика обладает нелинейной зависимостью ε от температуры и напря-женности электрического поля.

3.3.3. Установочная керамика (типа В)

Установочная керамика предназначена для изготовления для изготовления установочных изделий, которые находятся в электрических полях и испытывают механические нагрузки. К таким изделиям относятся подложки и корпуса интегральных микросхем, антенные изоляторы, корпуса резисторов, лампо-вые панели, внутриламповые изоляторы, каркасы катушек ин-дуктивностей и другие.
Эти материалы должны обладать высокими диэлектриче-скими параметрами (небольшой диэлектрической проницаемо-стью  и малым значением tg), высокой механической проч-ностью, отсутствием пор в структуре, достаточной теплопро-водностью и стойкостью к термоударам.
Радифарфор (класс VI). К этому виду керамики относят-ся две разновидности радиофарфора, различающиеся составом кристаллической фазы. К первому виду относятся форстерито-вая керамика, основной кристаллической фазой которой явля-ется форстерит 2MgOSiO2. Форстеритовую керамику приме-няют для изготовления изоляторов вакуумных и полупровод-никовых приборов, когда требуется вакуумплотный согласо-ванный спай с металлом, например с медью. Ко второму виду относятся цельзиановая керамика, основной кристаллической фазой является цельзиан.
Цельзиановая керамика (класс VI) представляет собой синтезированное соединение BaO.Al2О32SiO2, называемое цельзианом. Исходными материалами являются углекислый барий (BaCO3) до 36 оС и каолин (Al2O32SiO22H2O). При обжиге керамических изделий при температу¬ре 1380-1400 oС образуется кристаллическая фаза цельзиан и высокобариевое алюмосиликатное стекло. Характерными особенностями цельзиановой керамики являются низкий термический коэффициент линейного расширения и высокая электрическая прочность при высоких диэлектрических и механических параметрах. Некоторые показатели цельзиановой керамики марки ЦМ-4 приведены в табл. 3.5. Цельзиановую керамику применяют для изготовления каркасов высокостабильных катушек индуктивности и высокочастотных конденсаторов большой реак¬тивной мощности.
Стеатитовая керамика (класс VII) синтезируется на ос-нове талька (3MgO 4SiO2 H2O) и шихтовых компонентов (от 2% до 15 %); основной кристаллической фазой является клиноэнста-тит (MgO SiO2). Эта керамика имеет следующие диэлектриче-ские характеристики:
диэлектрическая проницаемость ε - 6-7;
тангенс угла диэлектрических потерь tgδ на
частоте 1 МГц (3-8) 10-4;
температурный коэффициент диэлектри-
ческой проницаемости ТКε +110 10-6К-1;
электрическая прочность Епр, МВ/м 20-30.

Стеатитовая керамика помимо электронной и ионной по-ляризации обладает и релаксационной поляризацией. В облас-ти температур от 20оС до 100оС в диапазоне радиочастот почти не изменяются, а при нагреве выше 100 оС эти показатели ухудшаются. Достоинством этой керамики является незначи-тельная усадка при изготовлении деталей и малая абразивность исходных компонентов. Стеатит применяется при изготовле-нии небольших деталей с повышенной точностью размеров: высокоточные проходные изоляторы, опорные платы, детали корпусов полупроводниковых приборов и другие.
Ультрафарфор (класс VIII) относится к корундовой ке-рамике, основной кристаллической фазой которого является α-Al2O3 – корунд, а аморфной фазой – бариевое стекло. Для получения ультрафарфора применяют технический глинозем Al2O3 (80 – 84 %), а для пластификации – глину Часовьярского месторождения. Ультрафарфор характеризуется простой тех-нологией получения, высокой пластичностью исходной массы (наличие глины) и относительно невысокой температурой спе-кания (1360 – 1370 оС).
В качестве установочного материала применяют ультра-фарфор марок УФ-46, УФ-53, обладающий высокими диэлек-трическими свойствами и механической прочностью. Эта ке-рамика применяется для изготовления каркасов высокочастот-ных термостойких катушек индуктивности, каркасов резисто-ров, низковольтных и высоковольтных конденсаторов с не-большой удельной емкостью.
Алюминооксид (класс VIII) представляет собой высоко-глиноземистую керамику, получаемую по керамической тех-нологии из оксида алюминия Al2O3 (глинозема) с добавлением определенного количества минерализаторов. Исходным сырь-ем является тонкодисперсный порошок глинозема, полу-чаемый осаждением из щелочных растворов или разложе-нием солей. Глинозем существует в виде низкотемператур-ной -модификации Al2O3 и высокотемпературной -мо-дификации (корунда), которая образуется при предваритель-ном обжиге при температуре 1300-1400 оС. Корунд обладает более высокими электрическими свойствами.
Для производства подложек толстопленочных гибридных интегральных микросхем и в технике СВЧ широко применяет-ся алюмооксидная керамика марки ВК-94 (старое обозначение 22ХС). Керамика ВК-94 содержит 95 % глинозема (-Al2O3), 2,5 % SiO2, 0,2 % BaO, 0,48 % CaO, 1,96 % MgO. Этот материал обладает низкими диэлектрическими потерями в области ра-диочастот и при повышенных температурах, имеет высокую нагревостойкость и большую механическую прочность, хоро-шую теплопроводность, вакуумноплотен. В табл.3.2 приведе-ны физико-механические и электрические показатели керами-ки ВК-94. Однако, эта керамика имеет неблагоприятные техно-логические характеристики: высокую температуру спекания (до 1750 оС), исходная керамическая масса непластична, обла-дает высокой абразивностью, что затрудняет механическую обработку сырых заготовок и шлифование обожженных дета-лей.



Таблица 3.5.

Физико-механические и электрические характеристики керамических материалов


Показатель ВК-94 Поли-кор
Вк-100 Брокерит Цель-зиановая керамика Лейко-сапфир
1 2 3 4 5 6
Плотность кг/м3 3800 3900 2800 3100 3980
Прочность при из-гибе σи, МПа 300 300 150 90-100 800-1300
Ударная прочность, кДж/м3 4,0 4,0 - - -
Модуль упругости, ГПа 280 300 300 - -
ТКЛР, 106 оС-1
при 20-100 оС, 4,5-6 4,5-6 5-7 2,1-2,2 6,4
200-600 оС 5,5-8 6,5-8 5,5-7 - 8
Средняя удельная теплоемкость при 20-100 оС,
Дж/(кг . К) 850-1050 850-1050 1000-1250 - 1800
Удельная тепло-проводность, Вт/(мК) 16-28 19-30 150-220 - 11
Стойкость к термо-ударам, оС, не ме-нее 423 453 453 - -
Диэлектрическая проницаемость ε 9-10 9,5-10 7 6,5-7,0 11
tgδ .104 1 0,2 4 1-2 0,4

Продолжение табл.3.5

1 2 3 4 5 6
Электрическая прочность Епр, МВ/м 17 17 13 35-40 -
Удельное сопро-тивление: ρv, Омм,
при:
20 оС 1012 1012 1012 1012-1013 1016
200 оС, 1010 1011 1010 - 1012
600 оС 1010 106 107 - 108
ρs, Ом 1010 1010 - - -

Поликор (поликристаллический корунд) - это прозрачная корундовая керамика, обладающая плотной структурой (его плотность близка к теоретической плотности Al2O3. В отличие от алюминооксида поликор характеризуется высоким значени-ем коэффициента пропускания света - 0,9 и более на 1 мм тол-щины изделия. Рост размеров кристаллических зерен и появ-ление закрытых пор снижает прозрачность такой керамики. Для получения высокой прозрачности поликора применяют глинозем с высоким содержанием Al2O3 (99,7 - 99,9 %), а для тор-можения роста кристаллов в состав исходной массы вводят 0,1-0,3 % окиси магния. Поликор изготавливается по обычной керамической технологии из чистых оксидов, без применения глинистых компонентов; обжиг изделий производится в водо-родной среде или вакууме при температуре 1800-2060 оС. Бла-годаря высокой плотности и практическому отсутствию пор, возможно, обеспечить очень высокую чистоту поверхности при шлифовке и полировке. Стойкость к термоударам полико-ра выше, чем у алюмооксида и ситаллов. Как алюмооксид, по-ликор наряду с высокими диэлектрическими свойствами обла-дает высокой механической прочностью и теплопроводностью.
Поликор применяется для изготовления подложек тонко-пленочных гибридных интегральных микросхем марка ВК-100, микроволновых подложек, для изготовления колб металлога-логенных ламп. Свойства поликора приведены в табл. 3.5.
Брокерит- керамический материал на основе окиси бе-риллия (95-99 % BeO). Основным достоинством этой керамики является высо¬кая теплопроводность, равная примерно тепло-проводности алюминия и более высокая, чем теплопровод-ность железа. Кроме того, брокерит выдерживает неоднород-ный по площади местный нагрев, когда поликор, а тем более ситалл и стекла разрушаются. Этот материал обладает доста-точной механической прочностью и является хорошим диэлек-триком. Эти достоинства позволяют применять его в качестве подложек особо мощных ВЧ и СВЧ гибридных интегральных микросхем. В табл. 3.5. приведены физико-механические и электрические свойства брокерита. Недостатком брокерита яв-ляется его высокая стоимость. Кроме того, тонкодисперсная пыль окиси бериллия является токсичной, что требует соблю-дения мер безопасности на всех операциях технологического процесса изготовления изделий, особенно при спекании и ме-ханической обработке.
Лейкосапфир - синтетический монокристаллический -корунд, получаемый из расплава Al2O3 при определенных условиях. Лейкосапфир или просто сапфир является одним из лучших диэлектриков современной техники. Он обладает низ-кими диэлектрическими потерями - на частоте 106 Гц tg со-ставляет 0,0001 и снижается в гигагерцовом диапазоне; удельное сопротивление составляет 1016 Омм и снижается лишь до 106 Омм при нагреве до 1000 оС. Лейкосапфир явля-ется луч¬шим материалом при получении гетероэпитаксиаль-ных структур кремния, применяемых в производстве биполяр-ных интегральных микросхем.


3.4. Материалы для диэлектрических резонаторов

Диэлектрический резонатор (ДР) - электромагнитный ре-зонатор, представляющий собой диэлектрическое тело опреде-ленной формы, накопление энергии в котором происходит за счет эффекта полного внутреннего отражения электромагнит-ных волн на границе раздела сред. Основными параметрами материалов, применяемых для изготовления ДР, являются: от-носительная диэлектрическая проницаемость , тангенс угла диэлектрических потерь tg, температурный коэффициент ди-электрической проницаемости ТК , температурный коэффи-циент тангенса угла диэлектрических потерь ТК tg, темпера-турный коэффициент линейного расширения ТКЛР и доброт-ность Q, зависящая не только от материала, но и от конструк-ции ДР и точности обработки.
Для ДР используют материалы с  от нескольких единиц до нескольких сотен. Выбор материала с определенными зна-чениями ε зависит от диаметра рабочих частот и конструктив-ной формы ДР.
Значение tg для материалов ДР лежит в интервале 10-3-10-8. Этот параметр материала в значительной степени оп-ределяет добротность собственных и внутренних колебаний в ДР.
Температурные коэффициенты ТК , ТК tg, ТКЛР опре-деляют температурную стабильность резонансной частоты ди-электрических резонаторов. У лучших термостабильных ди-электриков ТК  составляет 10-6 оС-1, ТКЛР - (2-10) 10-6 оС-1, ТК tg - (10-4-10-5) oC-1.
Все, диэлектрические материалы, применяемые для из-готовления резонаторов, подразделяются на материалы с  > 20, и материалы с  < 20.
К материалам с величиной диэлектрической проницаемо-сти большей 20 в основном относятся керамики, синтезиро-ванные на основе титанатов, цирконатов, лантанов. К титано-содержащей керамике относятся дибариевый нонтитанат (хи-мический состав Ba2Ti9O20) и тетратитанат бария (BaTi4O9), а также керамика, содержащая в своем сос¬таве редкоземельные компоненты самарий и неодим (BaSm2Ti4O12, BaNd2Ti4O12). Основные параметры этих керамик на частоте 4 ГГц приведе-ны в табл.3.6.
Керамика на основе тетратитаната бария обладает более высокой воспроизводимостью параметров, чем керамика со-става (BaTi9O20), что позволяет использовать ее при изготовле-нии резонаторов в серийном производстве.
Введение в титанат бария редкоземельных элементов са-мария или неодима повышает термостабильность керамики. При идеальном подборе исходных материалов на стадии изго-товления керамики возможно получить ТК , приближающий-ся к нулевому значению, что важно при производстве высоко-стабильных диэлектрических резонаторов.
Группа термостабильных цирконийсодержащих керамик могут иметь как положительное, так и отрицательное значение ТК , хотя они имеют худшие значения tg по сравнению с титанатовой керамикой. Нап¬ример, BaSrZrO3 имеет положи-тельное значение ТК, а CaZrTiO3 - от¬рицательное (табл. 3.6). На основе этих керамик возможно изготовление составных ДР с нулевым значением температурного коэффициента частоты.
Высокими диэлектрическими параметрами обладает лан-таносодержащая керамика, которая применяется также для из-готовления термостабильных конденсаторов. По составу лан-таносодержащая керамика представляет собой твердый рас-твор титаната кальция (CaTiO3) и алюмината лантана (LaAlO3). В табл. 3.6 представлены диэлектрические параметры этой ке-рамики на частоте 9,4 ГГц.
Механическая добротность ДР обычно составляет 108-105 и зависит не только от материала резонаторов, но и от их конструктивной особенности, точности обработки и частот-ного диапазона; с ростом частоты добротность резонаторов уменьшается. В табл. 3.7 приведена сравнительная оценка доб-ротности резонаторов, изготовленных из некоторых описанных материалов.
Таблица 3.6

Параметры керамики на основе титанатов и цирконатов

Состав керамики Частота 4 ГГц ТК 106 оС-1
 tg 104
1 2 3 4
BaTi4O9 37-40 3-5 455
Ba2Ti9O20 37-40 1,5-4 -4010
aSm2Ti4O12-
-BaNd2Ti4O12
CaZr0,985Ti0,015O3
SrZr0,955Ti0,043O3
Ba0,56Sr0,44ZrO3 (Ca,La).(TiAl)O3 813
29
34
35
40
(f=9,4 ГГц) 2,5-4
3
6,2
11,3
5
(f=9,4 ГГц) 020
-23
30
25
020

Таблица 3.7

Состав материала Часто-та, ГГц Параметры резонатора и мате-риала
 Q ТЛР 106 оС-1
Ba2Ti9O20
BaTi4O9
BaSm2Ti4O12 -
- BaNd2Ti4O12
CaTiO3-LaAlO3
CaZr0,955Ti0,015O3 4
6

4
10
4 37
39

81
40
29 8000
7000

2000
1150
3300 2-6
3

-(2-4)
12,5
2

Рассмотрим теперь материалы с невысокими значениями диэлектрической проницаемости, которые можно разделить на органические и неорганические (табл. 3.8). Из органических материалов в технике сверхвысоких частот в основном нашли применение политетрофторэтилен (фторопласт Ф-4) и поли-фениленоксид (арилокс). Структура и основные свойства этих полимерных материалов приведены в гл. 2. Кроме ненапол-ненного арилокса выпускается арилокс наполненный алундом или двуокисью титана (ФЛАН). Диэлектрическая проницае-мость ФЛАНА может лежать в пределах 2,8-10 в зависимо-сти от степени наполнения. Эти материалы применяются для изготовления волноводно-диэлектрических резонаторов (ВОР) и в качестве элементов крепления образцов в устройствах с ДР.

Таблица 3.8

Название материала  tg 104
Фторопласт Ф-4
Полифениленоксид (арилокс Аф2,5)
Арилокс ФЛАН-5
Плавленный кварц НВ
Окись бериллия
Поликор
Лейкосапфир 20,1
2,50,1
50,2
3,80,1
6,6
9,60,2
11 (f=3 ГГц) 3
3
15
1
4
1
0,4

К неорганическим материалам с невысоким значением  относится кварцевое стекло (плавленый кварц), поликор, окись бериллия, лейкосапфир. Плавленый кварц обладает высоки-ми диэлектрическими характеристиками, малым темпера-турным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР = 0,510-6 оС-1 в интервале 20-300 оС), выдерживает высокие тем-пературы и имеет высокую воспроизводимость параметров в условиях массового производства ДР. Основной недостаток кварцевого стекла – низкая теплопроводность (l - 1,4 Вт/м . К).
Керамические материалы - алюмооксид, поликор отли-чаются высокой механической прочностью, твердостью и ста-бильностью параметров во времени. Окись бериллия (броке-рит) наряду с высокими диэлектрическими параметрами имеет высокую теплопроводность. Физико-механи¬ческие свойства этих материалов приведены в табл. 3.5 (см. раздел 3.2.3).
Лейкосапфир характеризуется комплексом высоких ди-электрических, механических и теплофизических свойств (табл. 3.5), что позво¬ляет считать его наиболее перспективным материалом для создания высокодобротных ДР. Он обладает аномально малой диссипацией электромагнитных волн. При комнатной температуре на частоте 3 ГГц диэ¬лектрическая про-ницаемость лейкосапфира вдоль оси С кристалла равна 11,5, а в направлении, перпендикулярном оси - 9,4. Аномально малое значение tg лейкосапфира позволили реализовать диэлектри-ческие резонаторы с значением добротности, которая в 3-сан-тиметровом диапазоне при комнатной температуре составляет 2,3105.

Вопросы для самопроверки

1. Почему стекла называют аморфными материалами? Укажите структурные особенности силикатных стекол и их общие свойства.
2. Какие стекла применяются в устройствах РЭС и приве-дите их основные характеристик?
3. Приведите основные свойства кварцевого стекла и осо-бенность применения их.
4. В чем сходство и различие между стеклом и ситаллом по структуре и свойствам? Какие марки ситаллов применяются для изготовления подложек ГИС?
5. Какие материалы называют керамическими? Приведи-те структуру керамики и принцип классификации керамиче-ских материалов по диэлектрическим свойствам и примене-нию.
6. Какими диэлектрическими свойствами должна обла-дать высокочастотная керамика? Какие виды керамик приме-няются для изготовления установочных высокочастотных де-талей?
7. Какие материалы применяются для изготовления под-ложек толстопленочных и тонкопленочных ГИС.
8. Какой керамический материал применяют для подло-жек ГИС повышенной мощности и почему?
9. Какими диэлектрическими свойствами должна обла-дать высокочастотная конденсаторная керамика?
10. Как классифицируется высокочастотная конденсатор-ная керамика по величине температурного коэффициента ди-электрической проницаемости? На основе каких соединений синтезируют высокочастотную конденсаторную керамику?
11. Из какой керамики изготавливают конденсаторы большой емкости и почему?
12. Какими основными свойствами должны обладать ма-териалы для диэлектрических резонаторов?
13. Какие органические и неорганические диэлектрики с малым значением диэлектрической проницаемости (ε < 10) применяют для изготовления диэлектрических резонаторов?


4. АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ

4.1. Сегнетоэлектрики

Сегнетоэлектриками называют диэлектрические мате-риалы, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электри-ческого поля.
Впервые спонтанная поляризация была обнаружена на кристалле сегнетовой соли (NaKC4H4O6 4H2O) и поэтому мате-риалы, обладающие эффектом спонтанной поляризации назы-вают сегнетоэлектриками. В 1944 году советский исследова-тель Б.М. Вул открыл сегнетоэлектрик BaTiO3 и на его основе был объяснен механизм возникновения спонтанной поляризации.
В отсутствие внешнего электрического поля сегнетоэлек-трики состоят из доменов – макроскопических областей разме-ром 0,01-1 мкм, обладающих спонтанной поляризацией. На-правление электрических моментов у разных доменов различ-но, поэтому суммарная поляризованность сегнетоэлектрика может быть равна нулю. Внешнее электрическое поле изменя-ет направление электрических моментов доменов, что обу-словливает эффект сильной поляризации. Поэтому сегнето-электрики обладают очень большим значением диэлектриче-ской проницаемости ε.
Сегнетоэлектрикам присущи следующие основные свой-ства.
1. Высокое и сверхвысокое значение диэлектрической проницаемости, которое может достигать величины 105.
2. Сильная зависимость диэлектрической проницаемости от температуры с максимум при определенной температуре, называемой точкой Кюри. Выше этой температуры сегнето-электрик переходит в параэлектрическое состояние (рис.4.1). Переход сегнетоэлектрика в параэлектрическое состояние со-провождается резким уменьшением tgδ. Значение точки Кюри для различных сегнетоэлектриков находятся в пределах -170оС÷+1200оС.
3. Нелинейная зависимость диэлектрической проницае-мости от напряженности электрического поля (Рис.4.2).
4. Наличие диэлектрического гистерезиса, который обу-словлен отставанием поляризации от приложенного напряже-ния. Площадь гистерезисной петли пропорциональна энергии, рассеиваемой в диэлектрике за период. Вследствие потерь на гистерезис сегнетоэлектрики характеризуются большим tgδ, доходящим до 0.1.
5. Достаточно резко выраженная зависимость ε и tgδ от частоты, особенно в области сверхвысоких частот.


Рис.4.1. Зависимость ди-электрической проницае-мости ε от температуры при двух значениях напряжен-ности поля для титаната ба-рия Рис.4.2. Зависимость элек-трической индукции Д и диэлектрической прони-цаемости ε от напряженно-сти поля для титаната бария

По типу химической связи и физическим свойствам все сегнетоэлектрические материалы подразделяют на две группы: ионные кристаллы; дипольные кристаллы.
Ионные сегнетоэлектрики представляют из себя кри-сталлические материалы со структурой типа перовскита CaTiO3 (исключение составляют сегнетоэлектрики LiNbО3, LiTaO3). Структурным элементом кристаллической решетки ионных сегнетоэлектриков является кислородный октаэдр, в центре которого расположены ионы Ti 4+, Nb4+, Ta4+, благодаря чему эти сегнетоэлектрики называют сегнетоэлектриками кис-лородно-октаэдрического типа. В ионных сегнетоэлектриках не содержатся атомные группы, обладающие постоянным ди-польным моментом. Фазовый переход из параэлектрического состояния в сегнетоэлектрическое происходит в результате смещения ионов Ti, Nb или Та из симметричного состояния в центре кислородного октаэдра в другое, приводящее к появле-нию электрических моментов и возникновению спонтанной поляризации. Сегнетоэлектрики этого типа имеют большое значение спонтанной поляризованности и обладают высокой механической прочностью; получаются в виде поликристаллов по керамической технологии. Температура перехода из состоя-ния спонтанной поляризованности в параэлектрическое со-стояние (температура Кюри) для различных сегнетоэлектриков находится в пределах 120о – 1200оС. К ионным сегнетоэлек-трикам относятся титанат бария BaTiO3 (Тк = 120оС), тита-нат свинца PbTiO3 (Тк = 493оС), танталат натрия NaTaO3 (Тк = 660оС), ниобат калия KNbO3 (Тк = 435оС), ниобат лития LiNbO3 (Тк = 1200оС) и другие.
Дипольные сегнетоэлектрики. К ним относятся кри-сталлические материалы, в которых существуют постоянные электрические диполи или дипольные группы, образованные атомами, связанными между собой ковалентной связью. В сег-нетоэлектрическом состоянии диполи занимают упорядочен-ное расположение, то есть существует дальний порядок, а при переходе в параэлектрическое состояние выше точки Кюри дальний порядок в расположении диполей нарушается. Ди-польные сегнетоэлектрики в большинстве имеет более низкое значение точки Кюри, чем сегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа, меньшую механическую прочность и растворимы в воде. К дипольным сегнетоэлектрикам относятся сегнетовая соль C4H4O6KNa . 4 H2O (Tк = 24оС), триглицин-сульфат (СH2NH2COOH)3 . H2SO4 (Tк = 49о C), дигидрофосфат калия KH2PO4 (Tк =-150о C), нитрит натрия NaNO3 (Tк =163 о С) и другие.
Сегнетоэлектрические материалы применяются для изго-товления различных компонентов и устройств радиоэлектрон-ных средств.
1. Изготовление малогабаритных низкочастотных кон-денсаторов с большой удельной емкостью. Для этой цели ис-пользуется сегнетокерамика на основе твердых растворов раз-личных ионных соединений с сегнетоэлектрическими свойст-вами. Изменяя концентрацию компонентов в твердом растворе можно регулировать значение диэлектрической проницаемо-сти, смещая температуру Кюри, изменять нелинейность поля-ризации. С целью ослабления температурной зависимости ем-кости конденсаторов в сегнетоэлектрики вводят еще различные добавки. Например, керамика Т-900 (ε=900) представляет со-бой твердый раствор титанатов стронция SrTiO3 и висмута Bi4Ti3O12 с добавкой PbO; имеет точку Кюри Тк = -140оС. Ра-бочий температурный диапазон значительно правее Тк и по-этому температурная зависимость диэлектрической проницае-мости выражена слабо.
Керамика Т-8000 (ε=8000) представляет твердый раствор на основе титаната бария BaTiO3 и цирконата бария BaZrO3. Точка Кюри находится вблизи комнатной температуры и по-этому конденсаторы изготовленные на основе этой керамики, используются в нешироком интервале температур. Диэлектри-ческие потери конденсаторной сегнетоэлектрики велики – tgδ составляет 10-1 ÷ 10-2.
2. Материалы для варикондов – электрически управляе-мых конденсаторов, - имеют резко выраженный нелинейный характер зависимости диэлектрической проницаемости от на-пряженности электрического поля. Конденсаторы такого типа используются в преобразователях частоты, усилителях, стаби-лизаторах, системах частотной модуляции. Основным пара-метром таких сегнетоэлектриков является коэффициент нели-нейности Кн = εmax/ ε min, численное значение которого в пере-мнном поле для разных материалов может изменяться от 4 до 50. Эти материалы синтезируются на основе твердых рас-творов систем Ba(Ti,Sn)O3 или Pb(Ti,Zr,Sn)O3.
3. Электрооптические кристаллы – это материалы с силь-но выраженным электрооптическим эффектом (эффектом Кер-ра), под которым понимают изменение показателя преломле-ния прозрачного сегнетоэлектрического кристалла под дейст-вием внешнего электрического поля Электрооптические свой-ства их используются для модуляции лазерного излучения. Разнообразные электрооптические модуляторы света созданы на основе ионных сегнетоэлектриков: ниобата лития LiNbO3, твердых растворов типа La(Pb, Zr, Ti)O3 и дипольных сегнето-электриков на основе дигидрофосфата калия (KH2PO4).
4. Материалы для преобразования частоты оптического сигнала. При воздействии мощного светового пучка, создавае-мого с помощью лазера в некоторых сегнетоэлектриках прояв-ляется нелинейный оптический эффект. Этот эффект заключа-ется в изменении показателя преломления среды от напряжен-ности поля самой световой волны, создаваемого пучком лазе-ра. Нелинейность оптических свойств сегнетоэлектрических кристаллов позволяет осуществлять генерацию гармоник ла-зерного излучения, а также проводить смешение и преобразо-вание частот оптических сигналов. Высокую эффективность такого преобразования обеспечивают ионные кристаллы нио-бата и йодата лития LiNbO3 и LiJO3, барий-натриевый ниобат Ba2NaNb5O15 , дипольные кристаллы дигидрофосфата калия KH2PO4 и др.

4.2. Пьезоэлектрические материалы

К пьезоэлектрикам относятся диэлектрики, которые об-ладают сильно выраженным пьезоэлектрическим эффектом. Различают прямой и обратный пьезоэффект.
Прямым пьезоэлектрическим эффектом называют поля-ризацию диэлектрика под действием внешних механических напряжений. Возникающий при поляризации на поверхности диэлектрика электрический заряд пропорционален механиче-скому напряжению и определяется из выражения

, (4.1)

где q – заряд, который приходится на единицу площади (q = Q/s); σ – механическое напряжение в сечении диэлектри-ка; d – пьезомодуль, значение которого зависит от вида пьезо-электрика и составляет 10 -11-10-12 Кл/Н.
Пьезоэлектрический модуль определяет поляризацию пьезоэлектрика (или плотность заряда) при заданном прило-женном механическом напряжении σ.
Обратный пьезоэлектрический эффект заключается в изменении размеров пьезоэлектрика Δl/l в зависимости от на-пряженности электрического поля Е по линейному закону

Δl/l = δ = d Е, (4.2)

где δ – относительная деформация.
Величина пьезомодуля d при прямом и обратном пьезо-эффекте для одного и того же пьезоматериала равны между со-бой.
Итак, пьезоэлектрики являются электромеханическими преобразователями, преобразующими механическую энергию в электрическую и наоборот.
Различают продольный и поперечный пьезоэлектриче-ские эффекты. При продольном пьезоэффекте заряды или ме-ханическая деформация возникают на противоположных гра-нях пьезопластинки в направлении приложенного механиче-ского усилия или электрического поля соответсвенно. При по-перечном пьезоэффекте заряды или деформация возникают в направлении, перпендикулярном направлению механических усилий или приложенного электрического поля соответствен-но. В случае приложения переменного электрического напря-жения к пьезоэлектрику в нем будут возникать переменные механические деформации той же частоты. При этом, при продольном пьезоэффекте образуются волны сжатия и растя-жения (продольные волны), а при поперечном пьезоэффекте сдвиговые колебания (поперечные волны). Максимальная ам-плитуда механических колебаний будет в том случае, когда частота переменного электрического поля будет равна собст-венной (резонансной) частоте пьезоэлектрика, которая опреде-ляется по формуле

, (4.3)

где h – толщина пластины пьезоэлектрика; V - скорость рас-пространения механических волн. Скорости распространения продольной Ve и поперечной Vt волн определяется из выраже-ний

(4.4)

где Е, G – модуль упругости и модуль сдвига пьезоэлектрика; ρ – плотность.
Поскольку модуль сдвига G<Е, то Vth. Пьезо-керамические трансформаторы могут быть использованы для генерирования высоковольтных импульсов, для питания элек-тронно-лучевых трубок, газоразрядных приборов. Применение поликристаллических пьезокерамик для изготовления уст-ройств на поверхностных акустических волнах дано в п. 4.3.2.
Пленочные пьезоэлектрики получают на основе моно-кристаллических соединений AlN, ZnS, CdS, CdSe и окиси цинка ZnO с определенной кристаллографической ориентаци-ей. Пьезоэлектрическими свойствами обладают также некото-рые полимерные материалы в виде механически ориентиро-ванных и поляризованных в электрическом поле пленок. Наи-лучшими пьезоэлектрическими свойствами обладают пленки, на основе поливинилиденфторида (ПВДФ) со структурной формулой CH2-CF2; коэффициент электромеханической связи его составляет 0,16.
Пленочные пьезоматериалы находят применение при создании различных акустоэлектронных устройств.

4.3. Материалы звукопроводов устройств на поверхностных акустических волнах

В пьезоэлектрических материалах, помимо объемных продольных и поперечных акустических волн при определен-ных условиях возбуждения возможно распространение поверх-ностных акустических волн (ПАВ), техническое применение которых у нас впервые дано в книге /6/.
В настоящее время изготавливается широкий класс функ-циональных элементов и устройств на поверхностных акусти-ческих волнах: линии задержки, согласованные фильтры с ли-нейной фазовой и частотной модуляцией, полосовые фильтры, резонаторы и т.п. Производство большого разнообразия функ-циональных элементов на ПАВ стало возможным благодаря применению планарной технологии, используемой при изго-товлении интегральных микросхем.
Для оценки материалов, применяемых для изготовления звукопроводов на ПАВ, применяются следующие характери-стики:
1. Кристаллографический срез для звукопровода из моно-кристаллических пьезоэлектриков или направление поляриза-ции для звукопроводов из поликристаллических пьезоэлектри-ков.
2. Скорость распространения поверхностной акустиче-ской волны, которая определяется из выражения

, (4.7)

где Vt - скорость распространения поперечной акустической волны в материале звукопровода; М - коэффициент Пуассона. Прибли¬женно можно считать, что скорость Vs = 0,87 Vt.
3. Коэффициент электромеханической связи для ПАВ

, (4.8)

где Ра - мощность поверхностной акустической волны, разви-ваемой пьезоэлектрическим материалом; Рэ - электрическая мощность, потребляемая пьезоэлектриком от источника воз-буждения.
4. Угол , определяющий отклонение потока энергии от направления распространения ПАВ.
5. Параметр анизотропии , определяющий расходимость потока энергии ПАВ и дифракционные потери, определяется по формуле
, (4.9)
где  - угол между направлением распространения волны и выбранной кристаллографической осью.
6. Температурный коэффициент скорости v

оС-1, (4.10)

где Т - температурный интервал; Vs - изменение скорости в определенном температурном интервале.
7. Для практического применения звукопровода в раз-личных устройствах при обработке сигналов важно знать не ТКV, а температурный коэффициент времени задержки α, (ТКЗ), который определяется в первом приближении с учетом температурного коэффициента линейного расширения

, (4.11)

где  = l/Vs - время задержки, l - расстояние между преобразо-вателями в звукопроводе; l - температурный коэффициент линейного расширения материала.
При изменении температуры на T будут наблюдаться отклонения скорости распространения поверхностной волны Vs и изменение длины периода решетки встречно-штыревого преобразователя поверхностных волн (ВШП) (L = 2Lо.T, Lo - период решетки при нормальной тем¬пературе), которые приве-дут к относительному уходу частоты сигнала f/fo, определяе-мого из выражения

, (4.12)
где fo - частота при нормальной температуре.
Тогда температурный коэффициент частота f с учетом температурных коэффициентов задержки, скорости и линейно-го расширения будет равен

. (4.13)

Затухание акустических волн в материале определяется в общем случае из соотношения

, (4.14)

где l - расстояние между входным и выходным преобразовате-лями; U1, U2 - электрическое напряжение на входе и выходе устройства.
Обычно определяют затухание не в дБ/cм, а в дБ/мкс, т.е. учитывают время распространения поверхностной акустиче-ской волны.
Монокристаллы отличаются совершенством структуры, обеспечивающей малые потери на распространение ПАВ в ги-гагерцовом диапазоне частот. Они стабильны во времени и имеют высокую воспроизводимость параметров при серийном производстве.
Поликристаллические (пьезокерамические) материалы на порядок дешевле монокристаллов, их свойства легко управля-ются путем изменения химического состава; из пьезокерамики возможно изготовление заготовок для звукопроводов различ-ной конфигурации. Недостатком этих материалов являются значительные потери на распространение ПАВ, резко увеличи-вающиеся с частотой.
В данном разделе мы рассмотрим некоторые пьезоэлек-трические материалы, широко применяемые при изготовлении функциональных устройств на ПАВ.

4.3.1. Пьезоэлектрические монокристаллы

Кварц - это одна из модификаций двуокиси кремния (SiO2). Кристаллическая решетка кварца построена из кремне-кислородных тетраэдров. Каждый ион кремния окружен че-тырьмя ионами кислорода, находящимися на вершинах тетра-эдров, а каждый ион кислорода связан с двумя ионами крем-ния.
Бывают природные и синтетические монокристаллы кварца. Крупные природные кристаллы кварца получили на-звание горного хрусталя. Обычно природные кристаллы кварца содержат в себе дефекты (включение инородных минералов - рубина, хлорита; трещины, пузыри и т.д.), снижающие их свойства. Синтетические монокристаллы кварца получают вы-ращиванием из водно-щелочных насыщенных растворов диок-сида кремния при температуре 350-400 оС и давлением порядка 108 Па.
Кристалл кварца (рис. 4.4) представляет собой гексаго-нальную (шестигранную) призму, увенчанную двумя пирами-дами. Кристалл содержит три оси: Z, X, Y. Вдоль оси Z, назы-ваемой оптической осью, тетраэдры расположены по винто-вой линии и менее плотно, чем по другим направлениям. По-этому кристаллы кварца обладают резко выраженной анизо-тропией свойств.
Три оси Х, проходящие через ребра боковых граней, на-зываются электрическими осями. Поляризация пластинки, вы-резанной перпендикулярно оси Х, под действием силы, на-правленной вдоль электрической оси, называемая продольным пьезоэффектом; эта поляризация обладает наибольшим пьезо-эффектом.
Три оси Y, перпендикулярные граням кристалла, назы-ваются механическими осями. Поляризация пластинки, выре-занной перпендикулярно механической оси, называется попе-речным пьезоэффектом.


а) б)

Рис.4.4. Кристалл кварца и сечение кристалла в плоско-сти, перпендикулярной грани гексагональной призмы

Пьезоэлектрические свойства кварца характеризуются значениями пьезомодулей. Пьезомодуль d11 = -d12 =2,1510-12 Кл/Н определяет состояние поляризации при деформации растяже-ния-сжатия вдоль оси Х. Пьезомодуль d14 = 0,8510-12 Кл/Н характеризует поляризацию при поперечном пьзоэффекте. Вдоль оси Z поляризации не происходит и соответствующие пьезомодули равны нулю.
Пьезоэлектрические свойства существуют лишь у -квар-ца, устойчивого до Т = 573 оС. При нагреве выше этой тем-пературы кварц переходит в более симметричную -форму, лишенную пьезоэлектрических свойств.
Пьезокварц применяется в виде пластинок (срезов) раз-личных размеров, вырезанных из монокристаллов по опреде-ленным направлениям относительно осей X, Y, Z. Принята система условных обозначений срезов пьезопластин, которые обозначают двумя буквами. Первая буква обозначает ось, вдоль которой направлена толщина пьезоэлемента, вторая бук-ва - ось, вдоль которой направлена длина пластины. Например, срез YX (рис. 4.5 а) представляет собой пластину, вырезанную в плоскости XZ перпендикулярно оси Y. В этом срезе толщина пласти¬ны направлена вдоль механической оси Y, а длина - вдоль электрической оси Х.
При обозначении более сложных (косых) срезов к двум буквам добавляются индексы l, b, s и углы через косые линии, которые в совокупности фиксируют положение пьезопластин относительно осей кристалла. Индексом l обозначают длину ребра пластины, служащей осью поворота на угол ; индексом b - ребро по ширине пластины, служащей осью поворота на угол ; s - ребро пьезопластины по толщине, обозначающей ось вращения на угол . При этом порядок расположения индексов определяет очередность поворота пластин. Если угол, обозна-ченный после косой линии, стоит со знаком минус, то враще-ние пластины относительно индекса происходит против часо-вой стрелки; а если с плюсом, то вращение осуществляется по часовой стрелке.



Рис.4.5. Ориентировка типовых срезов относительно осей кварца

Например, срез YXl/- обозначает, что пластина перво-начально ориентируется в плоскости XZ так, что ось Х направ-лена вдоль ребра l, ось Z - вдоль ребра b, а ось Y - вдоль тол-щины пластины. Затем она повернута на угол  вокруг ребра l против часовой стрелки. Ряд срезов, имеющих такую ориента-цию в зависимости от знака и величины угла , получили сле-дующее наименование.

Тип среза АТ СТ ЕТ ВТ DТ FТ
угол  +35о15` +38o +66o37` -49o -52o -37o

Пьезопластина кварца ориентирована YXl/42o45` (СТ-срез) обладает самой высокой термостабильностью - ко-эффициент задержки по¬верхностных акустических волн (ТКЗ) равен 0.
Вследствие малых механических потерь добротность кварцевых пластин велика и может составлять 106-107. Это обеспечивает высокую избирательность кварцевых резонато-ров, применяемых для стабилизации и управления частотой автогенераторов.
Широкое применение кварц находит для изготовления фильтров на ПАВ с полосой f/fo = 5-8 % с низким уровнем отраженных сигналов благодаря небольшому коэффициенту электромеханической связи. В табл. 4.1 приведены основные физические характеристики кварца, в табл. 4.2 даны пьезоэлектрические параметры кварца некоторых срезов.

Таблица 4.1

Основные физические характеристики пьезоэлектриков

Параметр SiO2 LiNbO3 LiTaO3
1 2 3 4
Плотность, кг/м3 2650 4700 7300

Продолжение табл.4.1

1 2 3 4
Твердость (шкала Мосса) 7 5,5 6,7
Удельная теплопровод-ность Вт/м . К 12,3
12,2 29
Температурный коэффи-циент линейного расши-рения 10-6 К-1 9
16,7 16,1
Модуль упругости, Па 1,011011 0,21011 2,31011
Температура фазового пе-рехода, Тк оС 573
1160 660
Температура плавления,
Тпл, оС 1470 1250 1650

Примечание: модуль упругости, коэффициенты тепло-проводности и расширения даны параллельно направлениям ориентации.

Таблица 4.2

Основные параметры материалов звукопроводов

Мате-риал Кристалло-графичес¬кий срез, ориента-ция Vs, м/с К2, %  ТКС
10-6 оС-1 ,
дБ/мкс ТКЗ 10-6
оС-1 ()
1 2 3 4 5 6 7 8
Кварц
(SiO2) YX YXl./42o45` 3159
3158 0,23
0,16 0,653
0,378 38
14 0,45
0,47 -24
0
LiNbO3 ZX
ZXL/41,5 3488
4000 0,504
0,57 -1,086
-0,445 -87
-57 0,19
0,3 94
72

Продолжение табл.4.2

1 2 3 4 5 6 7 8
LiTaO3
ZY
YX 3329
3148 0,121
0,74 -1,124
-0,21 -52
-33 0,23
0,20 69
35
Bi12GO20 (001)[110]
(111)[110] 1681
1708 0,15
0,169 -0,304
0,366 - 0,19
0,19 130
115
ЦТС-22 любые 2430 0,27 - - - 40

Ниобат лития (НЛ) - это бесцветный синтетический мо-нокристалл (химическая формула LiNbO3), выращенный из расплава поликристаллического НЛ по методу Чохральского. В качестве исходных компонентов для получения НЛ использу-ют литий углекислый (Li2CO3) и пятиокись ниобия (Nb2O5). Выращенные монокристаллы НЛ (були) имеют диаметр до 50 мм и длину около 100 мм. Как правило, полученные вначале монокристаллы, являются полидоменными (сегнетоэлектрика-ми). Монодоменизация кристаллов осуществляется приложе-нием электрического поля определенной величины при темпе-ратуре близкой к точке Кюри.
Ниобат лития - это прочный, мало пластичный материал, не растворяется в воде, не разлагается при высоких температу-рах. По электрическим свойствам НЛ представляет собой пье-зоэлектрик с температурой Кюри 1160 оС, близкой к темпера-туре плавления (Тпл = 1250 оС).
Элементарной ячейкой LiNbO3 является кислородный октаэдр. Образуемые кислородными ионами октаэдрические пустоты на 1/3 заполнены Nb и на 1/3 ионами Li, а остальные - вакантные. Кислородный каркас структуры построен по типу плотнейшей гексагональной упаковки с осями симметрии Z, Y, X (рис.4.6).
НЛ благодаря относительно высокому значению коэффи-циента электромеханической связи применяется при изготов-лении различных устройств на ПАВ, в том числе фильтров с полосой f/fo = 50-60 %. Сильное подавление ложных сигналов объемных акустических волн в фильтрах удается получить в косых срезах (zyb/46o, yxl/127,86o, zyls/-16,5/45o).



Рис. 4.6. Взаимное расположение кристаллографических направлений в доменах LiNbO3

В НЛ существуют х-срезы, y-срезы и z-срезы в плоско-стях YZ, XZ и XY и косые срезы с различными видами поляри-зации, в направлении которых распространяются поверхност-ные акустические волны. Они отличаются по видам колебаний (продольные, сдвиговые), по величине скорости и по темпера-турной стабильности. Физические и пьезоэлектрические пара-метры ниобата лития в табл.4.1 и в табл.4.2.
Танталат лития (ТЛ) - это синтетический монокристалл (химическая формула LiTaO3), который выращивается по ме-тоду Чохральского из расплава поликристаллического ТЛ.
Температура фазового перехода из пьезоэлектрического состояния в параэлектрическое (точка Кюри) составляет при-мерно 660 оС, температура плавления Тпл = 1650 оС.
Танталат лития имеет оси симметрии Y,Z, вдоль направления которых существует поляризация. Для использования в качестве звукопроводов на поверхностных акустических волнах используются x-срезы, y-срезы и z-срезы в плоскостях YX, XZ и XY. При обозначении срезов применяется две буквы, первая из которых обозначает срез относительно оси симметрии, а вторая - направление распространения акустической волны. Например, ZY обозначает пластину, вырезанную в плоскости YX перпендикулярно оси z, а γ обозначает направление распространения акустической волны. Физические характеристики и пьезоэлектрические параметры некоторых срезов приведены в табл.4.1 и табл.4.2.
Танталат лития является материалом, в котором сочета-ется высокая пьезоэлектрическая активность с хорошей термо-стабильностью.
Германат висмута – это прозрачный синтетический мо-нокристалл с кубической симметрией, химическая формула –
-Bi12GO20. Температура плавления 930 оС; фазовых переходов в кристаллах не обнаружено. Пьезокристаллические свойства проявляются в плоскостях и направлениях (001), [110], (110), [001] и других. В таблице 4.2 приведены пьезоэлектрические параметры германата висмута, используемый при изготовле-нии линий задержки на большие длительности благодаря низ-кой скорости распространения поверхностных акустических волн.

4.3.2. Поликристаллические пьезоматериалы

В качестве поликристаллических пьезоматериалов в ос-новном применяются пьезоэлектрические керамики. В исход-ном состоянии после синтеза по керамической технологии (обычным или горячими прессованием) они представляют со-бой сегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа, не имеющие центра симметрии.
При температуре ниже точки Кюри сегнетоэлектрики имеют область (домены) с различными направлениями спонтанной поляризации и обнаруживают одинаковые физические свойства во всех направлениях.
Пьезоэлектрические свойства в них обнаруживаются в результате поляризации под действием внешнего электриче-ского поля, в результате чего домены получают преимущест-венную ориентацию в направлении приложенного поля. После снятия внешнего электрического поля сохраняется устойчивая остаточная поляризация; материал становится полярно тексту-рированным, обладающим пьезоэффектом. Величина пьезомо-дулей, определяющих пьезоэлектрические параметры, зависит от величины электрического напряжения, температуры и вре-мени выдержки в процессе поляризации.
Пьезоэлектрическая ось у керамических пьезоэлектриков не является заранее заданным направлением, как это имеет ме-сто в пьезоэлектрических монокристаллах. Поэтому в них воз-можно возбуждение различных видов пьезоэлектрических ко-лебаний, определяемых только условиями поляризации.
Пьезокерамика почти на порядок дешевле монокристал-лов, их свойства легко могут управляться изменением состава и введением различных модификаторов. Из пьезокерамик можно получать звукопроводы различной конфигурации и размеров, в том числе крупногабаритных. Кроме того, пьезоке-рамики имеют значительно больший коэффициент электроме-ханической связи, чем монокристаллы.
Принципиальным недостатком пьезокерамик по сравне-нию с пьезокристаллами является большее затухание поверх-ностных акустических волн, обусловленных рассеянием на де-фектах (порах), рассеяние энергии на границе зерен кристал-лов. Затухание значительно возрастает с увеличением частоты. На частоте выше 20-25 МГц существует нелинейная зависи-мость затухания. На более низких частотах, когда длина аку-стической волны  больше размера зерен, коэффициент зату-хания р (дБ/см) оценивают из соотношения

, (4.15)

где Q - механическая добротность материала.
Снижение затухания добиваются получением пьезокера-мик с низ¬кой пористостью и меньшим размером зерен кри-сталлов, и повышением добротности. Для повышения мелко-зернистости структуры производят синтез пьезокерамических материалов с добавлением стекол.
Синтезировано большое количество пьезокерамик раз-личных типов, нашедших применение при изготовлении высо-кочувствительных пьезоэлементов, работающих в режиме приема или излучения механических колебаний. Для произ-водства звукопроводов на поверхностных акустических волнах в основном применяются пьезокерамики на основе систем цирконат-титанат - свинца-натрий-ниобата с различными мо-дификаторами.
Материалы на основе системы цирконат-титанат-свинца представляют собой твердые растворы титаната свинца PbTiO3 и цирконата свинца PbZrO3, носящих условное наименование ЦТС. Для улучшения свойств вводят окислы Nb2O3, Ta2O3, La2O3, Nd2O3 и другие. Точка Кюри этих материалов находится в области 250-350 оС; у них отсутствуют низкотемпературные фазовые переходы, что приводит к большей стабильности ди-электрической проницаемости, пьезомодуля и резонансных частот.
Лучшим материалом из этой системы керамик считается пьезоэлектрик марки ЦТС-22, пьезоэлектрические характеристики которого приведены в табл. 4.3. Однако он во многом уступает по параметрам монокристаллам. Его добротность составляет примерно 10-3, временная стабильность параметров около 0,03 % в год (временная стабильность монокристаллов порядка 10-5-10-6 в год и менее), относительная диэлектрическая проницаемость  ~ 260. Высокое значение диэлектрической проницаемости приводит к возрастанию статической емкости преобразователей, для снижения шунтирующего действия которой необходимо введение компенсирующей индуктивности.
Из ниобатных керамик удовлетворительные характе-ристики имеет пьезоэлектрик с химической формулой (Na1-xLx)NbO3. Он обладает низкой пористостью с малыми размерами кристаллических зерен, невысокой диэлектрической проницаемостью по сравнению с керамикой других систем. Некоторые свойства этой пьезокерамики приведены в табл. 4.3.
Кроме указанных выше недостатков пьезокерамики име-ют более низкую по сравнению с монокристаллами воспроиз-водимость пьезоэлектрических констант в процессе формооб-разования изделий из ис¬ходных компонентов.
Перечисленные недостатки позволяют использовать пьезокерамики только для изготовления широкополосных устройств с нежесткими эксплуатационными характеристи-ками.

Таблица 4.3

Пьезоэлектрические свойства керамик

Марка
керамики Ско-рость
м/с К2  Потери на распростр., дБ/см на частоте
1 МГц Доброт-ность Q Tк
С ТКЗ
10-5/ оС
ЦТС-22
Na1-xLixNbO 2430
3410 0,76
0,16 260
150 6/30
3/30 0,8.103
0,9.103 60
20 40
-




4.4. Электреты

Электретом называют диэлектрик, длительное время со-храняющий поляризацию и создающий в окружающем про-странстве электрическое поле после окончания внешнего воз-действия, вызвавшего поляризацию. Свойство длительно со-хранять электризованное состояние (в течение нескольких лет) называют электретным эффектом. Электреты являются формальным аналогом постоянного магнита. Способ внешнего воздействия для получения электретного состояния диэлек-трика определяет название электретов.
Термоэлектреты получают нагревом диэлектриков до температуры, превышающей комнатную и охлаждением в по-стоянном электрическом поле.
Фотоэлектреты получают одновременным воздействи-ем постоянного электрического поля и воздействием света.
Коронноэлектреты – воздействием коронного разряда в окружающей газовой срде.
Радиоэлектреты – воздействием пучка заряженных час-тиц высокой энергии.
Электроэлектреты получают воздействием постоянного электрического поля при комнатной температуре.
Образование электретного состояния в диэлектрике можно пояснить с помощью рис. 4.7.


Рис. 4.7. Схема образования электретного состояния ди-электрика
Получение электретов сводится к электризации диэлек-трика под действием сильного электрического поля. Электри-ческое поле выбирают настолько большим, что над поверхно-стью материала возникает газовый разряд, но нет пробоя ди-электрика. Ионы, ускоренные полем, бомбардируют поверх-ность диэлектрика, создавая структурные дефекты и образуя поверхностный заряд. На каждой из поверхностей электрета, находящегося под поляризующими электродами, образуются заряды обоих знаков (рис. 4.7 а). Заряды на поверхности твер-дого диэлектрика, имеющие тот же знак, что и на поляризую-щих электродах называют гомозарядами. А заряды, возникаю-щие за счет различных релаксационных механизмов поляриза-ции, имеющие противоположный знак с поляризующими элек-тродами, называют гетерозарядами. Сразу после окончания процесса поляризации преобладающее влияние на электриче-ское поле электрета оказывают гетерозаряды. Но спустя неко-торое время за счет теплового движения и релаксационных процессов значение гетерозарядов уменьшается (рис. 4.7 в) и преобладают гомозаряды. Гомозаряды определяют долговре-менную стабильность электретного эффекта, так как они не свободны, а захвачены нейтральными ловушками (дефектами структуры). Время жизни электретов в нормальных условиях может сохраняться в течение десятков лет, но оно уменьшается при наличии большой влажности и повышенной температуры. Электретный эффект более стабилен от времени в диэлектри-ках с очень высоким удельным сопротивлением. Если электрет поместить между двумя электродами как показано на рис.4.8 (случай соответствует монтажу электрических мембран в электретном микрофоне), то на электродах будет индуциро-ваться заряд Qинд


(4.16)
где Q – заряд на поверхности электрета; ε – диэлектрическая проницаемость диэлектрика; h1 – зазор между электродом и электретом; h2 – толщина электрета.



Рис. 4.8. Схема включения электрета в электрическую цепь

В расчет заряда не входит зазор между второй поверхно-стью электрета и электродом, так как он бесконечно мал. При изменении зазора h1 под действием различных внешних сил, в электрической цепи будет проходить переменный электриче-ский ток, частота которого будет равна частоте изменения за-зора h1.
Для получения электретов в настоящее время наи-большее применение нашли полимерные пленки толщиной 3-100 мкм с малым значением диэлектрической проницаемо-сти и с высоким удельным сопротивлением – полиэтиленте-рефталат (лавсан), поликарбонат, политетрафторэтилен и дру-гие.
Наиболее стабильным электретным эффектом обладают электреты на основе политетрафторэтилена.
Электреты нашли применение для изготовления микро-фонов, сейсмических датчиков, датчиков механических вибра-ций, измерителей атмосферного давления, клавишей вычисли-тельных машин и т.п.

4.5. Материалы твердотельных лазеров

Лазеры представляют из себя источники оптического ко-герентного излучения высокой направленности и большой плотностью энергии. Твердотельные лазеры – это лазеры, ак-тивный элемент которых выполнен из диэлектрика, находяще-гося в нормальных условиях в твердом состоянии. Основным элементом твердотельного лазера является активная среда, представляющая из себя кристаллическую или аморфную мат-рицу, в которой распределены активные ионы - активаторы люминесценции. Активная среда должна обладать вполне оп-ределенной системой энергетических уровней. Для примера на рис. 4.9 представлены энергетические уровни ионов хрома в рубине.



Рис. 4.9. Энергетические уровни хрома в запрещенной зоне рубина. ε 1 – основное состояние; ε2 ε3 ε4 - возбужденное состояние

Ионы хрома создают в широкой запрещенной зоне систему энергетических уровней, которые отличаются от уровней энергии в свободных атомах хрома. Уровень ε 1 соответствует невозбужденному состоянию. Уровни, расположенные выше, характеризуют возбужденное состояние ионов активатора. При возбуждении атома хрома электроны переходят на уровни ε3 , ε4 , время пребывания на которых очень мало (10-8 с), а затем безизлучательным путем переходят на уровень ε2. Уровень ε2 является метастабильным, т.е. он характеризует возбужденное состояние с большим временем жизни (около 10-3 с). Это приводит к накоплению электронов на уровне ε2 и созданию инверсной населенности, что необходимо для генерации вынужденного излучения.
Для создания лазерных элементов с оптической накачкой активирующие элементы должны удовлетворять следующим требованиям:
1) ионы активаторов должны иметь узкие линии люми-несценций с квантовым выходом на рабочем режиме;
2) наличие достаточно широких полос активного погло-щения в области излучения источника накачки;
3) активатор должен создавать возбужденные метаста-бильные уровни с достаточно большим временем жизни элек-тронов;
4) активирующие ионы должны вводиться в матрицу без нарушения ее оптической однородности, термостойкости, ме-ханической прочности.
В качестве активаторов применяются элементы с неза-строенными внутренними 3d; 4f – электронными оболочками. Из переходных металлов применяются элементы с недостро-енной 3d- оболочкой: Cr, V, Co, Ni. Также широко применяют лантаноиды с незастроенной 4f-оболочкой - наибольшее при-менение из этих элементов в качестве активатора нашел не-одим Ne.
Хотя матрица не участвует в процессах генерации, мно-гие свойства активного вещества лазеров определяются матри-цей, к которой предъявляются высокие требования.
1. Неактивированные матрицы не должны иметь ни соб-ственного, ни примесного поглощения в области лазерного из-лучения (переход ε2 → ε1).
2. Матрица должна быть оптически прозрачной в области излучения накачки.
3. Матрицаы должны обладать высокой теплопроводно-стью, чтобы эффективно рассеивать энергию, передаваемую решетке при безизлучательных переходах (ε4 → ε2, ε3 → ε2).
3. Материал матрицы должен обладать высокими оптиче-скими свойствами и быть оптически однородный, так как раз-личные микровключения, свили, пузыри, и границы зерен уве-личивают пороговую мощность генерации, вызывают паразит-ное поглощению и рассеивание света, ухудшают диаграмму направленности луча и ослабляют его интенсивность.
5. Материал матрицы должен быть устойчив к воздейст-вию ультрафиолетового излучения ламп накачки, т.е. обладать высокой фотохимической стойкостью.
6. Материал должен обладать высокой механической прочностью и нагревостойкостью.
7. Структура кристаллической решетки матрицы должна допускать введение заданного активатора.
8. Материал должен быть технологичен в изготовлении активных элемен

Заголовок

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:11 + в цитатник
ПКО-1-1-2 (КФ-10), ПКО-1-2-4 (КМС-9)* применяется при из-готовлении различных тонкостенных малогабаритных деталей, работающих при высоких температурах и частотах. Материалы марок РТП-170, РТП-200, отличающихся высокой стабильно-стью диэлектрических, прочностных свойств и линейных раз-меров деталей, применяются для изготовления корпусов высо-кочастотных микровыключателей.
Композиции на основе метилсилоксановой смолы в виде олигомера и окислов металлов представляют собой высоковяз-кие проводящие пасты, которые не меняют своих свойств в ин-тервале -40  +200 оС, не¬токсичны и не вызывают коррозии металлов. Паста теплопроводящая марки КПТ-8 на основе этой композиции применяется для обеспечения эффективного кон-такта между соприкасающимися поверхностями мощных по-лупроводниковых приборов и теплоотводящих радиаторов.
В полиимидных пресс-материалах в качестве наполните-лей используется измельченное бесщелочное алюмоборосили-катное стекло или дисульфид молибдена. Они обладают высо-кими прочностными и диэлектрическими свойствами, сохра-няющимися в широком диапазоне температур, не вызывают коррозии цветных металлов. Из всех существующих материа-лов полиимидные наиболее стойки к действию радиационных излучений. Интервал рабочих температур составляет -180  +250 оС.
Пресс-материалы марок ПМ-67, ПАИС-10С применяются для изготовления высокочастотных деталей конструкционного назначения, работающих до температуры 250 оС. Основные показатели некоторых марок пресс-материалов, широко ис-пользуемых для изготовления деталей РЭС, приведены в табл.2.8.

____________________________
* В скобках дается старая маркировка пресс-материалов.

Таблица 2.8

Основные механические и электрические показатели
некоторых пресс-материалов

Показатели Марки пресс-материалов
Фенопласт
электро-изоляци-онный
Э1-340-02
(К-211-2) Фено-пласт
ударо-прочный
АГ-4В Эпоксид-ный
пресс-материал
ЭКП-200 Крем-непласт
ПКО-1-1-1
ПКО-1-1-2 Поли-имидный
пресс-
материал
ПМ-67
1 2 3 4 5 6
Разрушающее напряж.., МПа
при растя-жении; 27 60-80 26 15 120
при изгибе 59 168-176 60 25 180-240
Ударная вяз-кость, кДж/м2 4,9 6,9-88 8,0 3,0 60
Температур-ный коэффи-циент линей-ного расши-рения,
10-5 оС-1 4-5 1,0-1,5 3,0 2,5-3,0 3,9
ε (106 Гц) 4,5-5,5 7,0 4,4-5,0 2,8-3,0 3,2-3,5
tg δ (106 Гц) 0,01 0,04-0,05 0,02 0,006 0,004
ρ, Омм 5 1010 1012 1012 1013 1014
Епр, МВ/м 13 13-17 20 13 22
Интервал ра-бочих тем-ператур, оС -60÷ +110 -40÷
+120 -60÷
+155 -60÷
+250 -180÷
+260

2.5.4. Пластмассы с листовым наполнителем

Слоистые пластики представляют собой материалы, изго-товленные методом прессования волокнистых наполнителей (бумаг, тканей), предварительно пропитанных смолами. Слои-стые пластики в общем виде являются полимерными материа-лами, армированными параллельно распо¬ложенными слоями наполнителя. Это определяет анизотропию их свойств в на-правлениях перпендикулярно и параллельно расположенных слоев наполнителя.
В качестве связующих материалов в слоистых пластиках в основном применяются фенолоформальдегидная и эпоксид-ная смола или комбинация на основе этих смол, и реже крем-неорганическая смола. Наполнителями служат бумага, стекло-волокна, хлопчатобумажные ткани, асбестовые ткани, стекло-ткани и синтетические ткани на основе капрона, лавсана. В за-висимости от типа наполнителя слоистые пластики получили название гетинаксов, стеклопластиков, текстолитов, стеклотек-столитов. В устройствах радиоэлектронных средств наиболь-шее применение получили гетинакс, стеклопластик, стеклотек-столиты и текстолиты на основе синтетических тканей.
Гетинакс представляет собой листовой слоистый прес-сованный материал, изготовленный из слоев бумаги, пропи-танных термореактивной смолой. Для гетинакса используют бумаги из целлюлозы, изготовленной сульфатным способом. Такие бумаги обладают большой механической прочностью и лучшей пропитываемостью смолами, чем бумаги из сульфит-ной целлюлозы. В качестве связующих материалов применя-ются фенолоформальдегидная и эпоксидная смолы.
Процесс изготовления гетинакса состоит из пропитки бу-маги смолой, сушки и прессования пакетов под давлением 6-10 МПа при температуре около 150-160 оС. Время выдержки при прессовании зависит от типа применяемой смолы и тол-щины листа.
Изготовляются несколько типов и марок гетинакса, опре-деляемых видом связующего вещества и бумаги, предназна-ченных для работы в различных условиях эксплуатации.
Некоторые свойства гетинакса 111 (по ГОСТ 2550-82) марки 1 (по ГОСТ 2718-74) приведены в табл. 2.9.
Таблица 2.9

Свойства слоистых пластиков

Показатели Гетинакс (марки 1) Гетинакс (марки ЛГ) Стекло-текстолит (марки СТЭН) Тексто-лит мар-ки ЛТ)
1 2 3 4 5
Плотность, кг/м3 1350-1450 1250-1350 1000-1900 1250-1350
Модуль упруго-сти при растя-жении, Мпа 10103 -18103 10103-18103 - 6 103
Разрушающее напряжение при изгибе перпен-дикулярно сло-ям, МПа:
вдоль листа, 150 80 400 120
поперек листа 135 60 340 100
Ударная вяз-кость перпенди-кулярно слоям, кДж/м2:
вдоль листа, 22 60 25
поперек листа 80 50 20

Продолжение табл.2.9

1 2 3 4 5
ТКЛ при
20-100 оС, оС-1 2 10-5-
3,5 10-5 2 10-5-
3,5 10-5 8 10-5 2,4 10-5
Сопротивление рас-калыванию,
кН/т 120 120 170 -
Теплостойкость по Мартенсу, оС 150 130 180 130
Маслостойкость в трансформатор-
ном масле в течение 24 ч, оС 105 130 130 130
*, Ом м 107 109 1010 5 106
s*, Ом 108 1010 1012 -
Сопротивление изо-ляции при 23 оС (по-сле выдержки в дис-тиллированной воде в течение 24 ч),
МОм 5 10 - 5 104 -
r (на частоте 50 Гц); 5,5 4,5 5,5 -
tg (на частоте 50 Гц) 0,4 0,05 0,04 -
Электрическая проч-ность перпендику-лярно слоям,
Е мВ/м 12-15 14-15 202 11-15
Водопоглощение (для толщины листа
1,0 мм), мг 450 160 18 19

Продолжение табл.2.9

1 2 3 4 5
Стойкость к нагрева-нию в течение 24 ч., oС 125-150 180 155 130
* Примечание. Значения ρ, ρs даны после кондицианирова-ния в условиях 24 в условиях 24 ч/23 оС/93 %; значения ε, tgδ для стеклотекстолита марки СТЭН даны на частоте 106 Гц.

Слоистая структура гетинакса приводит к анизотропии различных свойств в направлениях, перпендикулярном и па-раллельном слоям. Так, удельное объемное сопротивление ге-тинакса вдоль слоев в 50-100 ниже, чем поперек слоев, а элек-трическая прочность вдоль слоев в 5-8 раз ниже, чем поперек. Анизотропия наблюдается и для механических свойств гети-накса.
Гетинакс относится к сильнополярным диэлектрическим материалам, так как основа (бумага) гетинакса и пропитываю-щие смолы явля¬ются полярными материалами. Он является не-влагостойким листовым материалом, - для защиты от действия влаги поверхность гетинакса покрывается лаком. Существует влагостойкий гетинакс (марка VI¬II-B), который представляет собой слоистый пластик на основе цел¬люлозной бумаги, обли-цованный с двух сторон слоем лавсановой бумаги, пропитан-ной эпоксидной смолой.
Гетинакс марки ЛГ (гетинакс лавсановый) изготавливают на основе лавсановой бумаги, пропитанной эпоксидной смо-лой. Отличительными особенностями гетинакса марки ЛГ яв-ляются повышенные диэлектрические свойства, высокая вла-гостойкость, технологичность при обработке, но механические свойства лавсанового гетинакса несколько ниже (разрущающее напряжение при изгибе 80 МПа, вместо 150 МПа для обычного гетинакса). Свойства гетинакса лавсанового типа 251 (ГОСТ 25500082), марки ЛГ(ТУ 16.503223-82) приведены в табл. 2.9.
Гетинакс нефольгированный и фольгированный приме-няется в качестве одного из базисных материалов для изготов-ления печатных плат радиоэлектронных средств.
Стеклотекстолит представляет собой листовой слои-стый прессованный материал, изготовляемый из двух и более слоев стеклянной ткани, пропитанной смолами. Стеклянные ткани, применяемые для изготовления стеклотекстолитов, из-готавливаются из нитей алюмоборосиликатного стекла, в кото-ром содержание щелочных окислов не должно превышать 0,3 %. Для изготовления стеклотекстолита с высокой степенью стабильности электрических параметров при повышенной влажности применяется стеклоткань на основе высококремне-земистого стекловолокна. В процессе вытягивания стекловоло-кон на них наносят замасливатель, улучшающий сцепление стекла со связующими смолами.
Для стеклотканей, применяемых при изготовлении стек-лотекстолитов с высокими электрическими показателями ис-пользуются эпоксилоновые замасливатели.
В качестве связующих компонентов при изготовлении стеклотекстолитов применяются фенолоформальдегидные, эпоксидные, эпоксифенольные, эпоксиноволачные и кремнеор-ганические смолы. На физико-механические свойства влияет тип связующего вещества. Лучшими свойствами обладают стеклотекстолиты на основе эпоксидной и эпоксифенольной смол. Стеклотекстолит на основе кременеорганической смолы и стеклоткани из кремнеземистого стекла (марка СТВК) обла-дает наибольшей термостойкостью и влагостойкостью, и ста-бильными диэлектрическими свойствами, но вследствие невы-сокой адгезии к стекловолокну его механическая прочность понижена (σв = 100 МПа).
В табл. 2.9 для примера приведены некоторые значения физико-механических и электрических параметров стеклотек-столита типа 224 (ГОСТ 25500-82) марки СТЭН, изготовленно-го на основе совмещенной эпоксиноволачной смолы.
Стеклотекстолит применяется как материал при изготов-лении деталей и изделий конструкционного назначения. Кроме того, стеклотекстолит фольгированный и нефольгированный широко используется как базисный материал при производстве печатных плат на высоких частотах.
Кроме стеклотекстолита в радиоэлектронной аппаратуре применяется текстолит на основе лавсановой ткани марки ЛТ (ГОСТ 2910-74), пропитанный эпоксифенольной смолой. От-личительной особенностью текстолита мар¬ки ЛТ являются вы-сокие влагостойкость и стабильность электрических парамет-ров во влажной среде (см. табл. 2.8).
При эксплуатации деталей, изготовленных из листовых материалов, важными факторами качества являются изменения механических и электрических свойств от нагревания, тепло-вого старения, степени увлажнения. На рис. 2.5-2.14 представ-лены зависимости механических и электрических свойств ге-тинакса и стеклотекстолита некоторых марок от температуры, времени старения при температуре 160 оС и времени увлажне-ния.
Из рис. 2.5-2.7 видно, что нагрев приводит к ухудшению прочности и диэлектрических свойств, при этом меньше всего подвержен температуре стеклотекстолит, пропитанный крем-неорганической смолой.
Изменение механических и электрических свойств листовых пластиков при тепловом старении приведены на рис. 2.6 - 2.10. Отрицательное влияние влаги на электрические свойства пластиков показано на рис. 2.11 - 2.14. Наибольшее ухудшение свойств от влаги наблюдается в гетинаксе, исклю-чение составляют пластики на основе полиэтилентерефталата (лавсана). Для повышения влагостойкости пластиков исполь-зуется защита поверхности их специальными лаками.



Рис.2.5. Температурная зави-симость разрушающего на-пряжения пластиков при ста-тическом изгибе: 1 - гетинакса I (связующее – фенольное); 2 – стеклотекстолит СТ-ЭТФ (связующее – эпоксифеноль-ное) Рис.2.6. Температурная зависи- мость tg пластиков при 50 Гц:
1 - гетинакса I (связующее – фе-нольное); 2 – стеклотекстолит СТ-ЭТФ (связующее – эпоксифе-нольное) 3 – стеклотекстолит СТК (связующее – кремнеоргани-ческое)





Рис.2.7. Температурная зависи-мость удельного сопротивления  пластиков: 1 – стеклотекстолит СТК; 2 – стеклотекстолит СТ-ЭТФ ; 3 –гетинакс V (связующее – эпоксидное) Рис.2.8. Изменение разру-шающего напряжения при статическом изгибе от t пла-стиков при 160 оС (измере-ния при 23 оС) 1 – стекло-текстолит СТ (связующее – фенольное); 2 – гетинакс 1



Рис.2.9. Изменение ударной вяз-кости α от времени старения пла-стиков при 160 оС (измерения при 23 оС):1 – стеклотекстолит СТ; 2 – гетинакс I Рис.2.10. Изменение электриче-ской прочности перпендикуляр-но слоям от времени старения при 160 оС (измерения при 23 оС): 1 – стеклотекстолит СТ;
2 – гетинакс I



Рис. 2.11. Зависимость tg (при 50 Гц) от времени увлажнения при относительной влажности воздуха 93 % и 40 оС: 1 – гети-накс I; 2 – стеклотекстолит СТЭФ (связующее эпоксид-ное); 3 – текстолит ЛТ (свя-зующее – эпоксидное) Рис. 2.12. Зависимость  от времени увлажнения при от-носительной влажности возду-ха 93 оС и 45 оС: 1 – гетинакс; 2 –стеклотекстолит СТЭФ; 3 – стеклотекстолит СТК



Рис.2.13. Зависимость сопро-тивления изоляции от времени увлажнения пластиков при от-носительной влажности воз-духа 93 % и 40 оС: 1 – гети-накс ЛГ; 2 – гетинакс VI (свя-зующее – фенольное) Рис.2.14. Зависимость водопо-глощения от длительности вы-держки слоистых пластиков в воде: 1 – гетинакс; 2 – стекло-текстолит СТ


2.5.5. Листовые базисные материалы для производства печатных плат

Материалы для производства печатных плат (ПП) под-разделяются по способу изготовления ПП, частотному диапа-зону (высокочастотные и сверхвысокочастотные) и области применения (для РЭС широкого применения и РЭС с повы-шенными эксплуатационными требованиями).
В настоящее время существуют субтрактивный (селек-тивное удаление металлического покрытия), полуаддитивный и аддитивный (гальваническое осаждение меди на участках согласно заданной схемы) методы изготовления печатных плат.
Для изготовления печатных плат субтрактивными мето-дами применяются фольгированные гетинакс и стеклотексто-лит различных марок, предназначенных для различных целей, в том числе повышенной тропикостойкости, нагревостойкости и гальваностойкости. При изготовлении фольгированных гети-накса и стеклотекстолита применяют те же виды и типы на-полнителей и связующих смол, что и для слоистых пластиков, рассмотренных выше.
В зависимости от назначения слоистые пластики выпус-каются толщиной 1,0-3,0 мм, облицованные с одной или двух сторон металлической фольгой (односторонние или двухсто-ронние фольгированные диэлектрики). Облицовку изоляцион-ного основания осуществляют медной фольгой толщиной 20, 35 и 50 мкм. Медную фольгу изготовляют электролитическим осаждением. Поэтому она имеет однородный состав и шерохо-ватую поверхность с одной стороны, что обеспечивает хоро-шую адгезию ее с диэлектриком при приклеивании. Для склеи-вания фольги с основанием применяют различные клеи и адге-зивы. Склеивание фольги с диэлектриком осуществляется в процессе прессования. На шероховатую поверхность медной фольги наносится клеевая композиция, состоящая из клея на основе эпоксидных, фенольных смол и пылевидного кварца. Собранные пакеты из пропитанных смолами наполнителей и медной фольги подвергают прессованию по специальной тех-нологии.
Высокочастотные материалы. Для изготовления печат-ных плат радиоэлектронной аппаратуры общего применения применяется односторонний и двухсторонний фольгированный гетинакс марок ГФ-1-35Г, ГФ-1-50Г, ГФ-2-35Г, ГФ-2-50Г со-гласно ГОСТ 10316-78 (цифры 1, 2 обозначают односторонний или двусторонний, цифры 35, 50 показывают толщину медной фольги в мкм; буква Г в конце марки - гальваностойкий). Вы-пускаются и другие марки фольгированного гетинакса по спе-циальным техническим условиям. Например, ГФС-1-35Г - ге-тинакс фольгированный самозатухающий, гальваностойкий выпускается по ТУ 16-503.193-79.
При изготовлении односторонних и двухсторонних пе-чатных плат с повышенными диэлектрическими свойствами, допускающими воздействие повышенной температуры, при-меняются фольгированные стеклотекстолиты различных ма-рок. Стеклотекстолит марок СФ-1-35Г, СФ-2-35Г, СФ-1-50Г, СФ-2-50Г выпускается по ГОСТ 10316-85, а стеклотекстолиты других марок по техническим условиям, определяющим кон-кретную область применения. Например, СФГ-230-1-35 - стек-лотекстолит фольгированный гальваностойкий и теплостой-кий, облицованный с одной стороны (или с двух сторон) мед-ной электролитической фольгой с гальваностойким покрыти-ем, выдерживающим температуру 230 оС, выпускается по ТУ 16-503.120-78. Стеклотекстолит об¬щего назначения него-рючий марки СОНФ-1(2), облицованный с одной стороны (или двух) медной фольгой, выпускается по ТУ16-503.204-80.
Нефольгированные диэлектрики, применяемые для адди-тивного метода производства печатных плат, имеют на по-верхности специально нанесенный адгезивный слой с введен-ным мелкодисперсным катализатором, способствующим хи-мическому осаждению меди на диэлектрик и лучшей адгезии ее к поверхности стеклотекстолита. Стеклотекстолит марки СТЭК (ТУ 16-503.201-80), применяемый при аддитивном ме-тоде изготовления печатных плат, выпускается толщиной от 1,0 до 2,0 мм с двухсторонним адгезивным слоем. Стеклотек-столит марки СТЭФ-1-2ЛКА на основе эпоксифенольной смо-лы с адгезивным слоем, катализатора на базе анионитов, на-сыщенных солями серебра или палладия, применяется при из-готовлении ПП с повышенной плотностью монтажа.
Разновидностью аддитивного метода является фотофор-мирование проводящего рисунка схемы. В процессе фотофор-мирования создается поверхность проводящего рисунка схемы, на которую производится осаждение толстослойной химиче-ской меди. Разрешающая способность рисунка зависит от раз-решающей способности фотошаблонов; при этом могут быть получены проводники шириной 0,08-0,1 мм. Для этого способа применяется нефольгированный стеклотекстолит марки СТЭФ-1-2ЛКФ на основе эпоксифенольной смолы с нанесен-ным на поверхность фотоактиватором (двуокисью титана).
При полуаддитивной технологии применяются стек-лотекстолиты, облицованные с одной или двух сторон электролитической фольгой толщиной 5 мкм. Для этого метода используется стеклотекстолит марки СТПА-5-1(2) (ТУ 16-503.200-80), облицованный с одной стороны (с двух сторон) электролитической медной фольгой толщиной 5 мкм с гальваностойким покрытием. Он выпускается толщиной от 0,1 до 2,0 мм и применяется при изготовлении однослойных и многослойных печатных плат с увеличенной плотностью мон-тажа.
В производстве многослойных печатных плат (МПП) раз-личными методами (металлизацией сквозных отверстий, по-парного прессования, послойного наращивания и другими) ис-пользуются односторонние и двухсторонние фольгированные стеклотекстолиты с толщиной фольги 20, 35, 50 мкм для суб-трактивной технологии. Для полуаддитивной и аддитивной технологий выпускаются стеклотекстолиты фольгированные, с толщиной электролитической фольги 5 мкм и нефольгиро-ванные стек¬лотекстолиты с адгезионным слоем и мелкодис-персным катализатором, способствующим хорошей адгезии химически осаждаемой меди. Толщина пластиков для изготов-ления МПП находится в пределах от 0,08 до 0,5 мм. Перечень различных марок стеклотекстолитов приведен в /3/. При изго-товлении МПП методом металлизации сквозных отверстий наиболее широко применяются травящиеся стеклотекстоли-ты ФТС-1(2)-20, теплостойкий СТФ-1(2). Использование тра-вящихся стеклотекстолитов (в смеси серной и плавиковой ки-слот) позволяет увеличить надежность сцепления осаждаемой меди в отверс¬тиях с внутренними проводниками МПП.
С целью электрической изоляции отдельных слоев МПП используются склеивающие изоляционные прокладки (СП) толщиной 25, 60 и 100 мкм. Прокладки представляют собой стеклоткань, пропитанную эпоксидной смолой с отвердителем, находящейся в состоянии неполной по¬лимеризации (в стадии отверждения В).
В производстве гибких печатных (ГПП) и гибких соеди-нительных печатных кабелей (ГПК) применяются тонкие пле-ночные диэлектрики на основе лавсана и полиимида. Лавсан фольгированный марки ЛФ-1 представляет собой композици-онный материал на основе полиэтилентерефталатной пленки и эпоксидно-каучукового покрытия, облицованной с одной сто-роны медной электролитической фольгой толщиной 35 мкм. Фольгированный полиимид повышенной термостойкости мар-ки ПФ-1, ПФ-2 изготавливается на основе полиимидной плен-ки, облицованной с одной или двух сторон электролитической медной фольгой толщиной 35 мкм.
Перечисленные материалы для изготовления однослой-ных, многослойных, гибких печатных плат и соединительных кабелей применяются для монтажа радиоаппаратуры в высо-кочастотной области. Использование их в СВЧ-технике недо-пустимо, так как они обладают повышенными значениями ди-электрических потерь и диэлектрической проницаемости (tg < (2,5 - 4)10-2,  = 3 - 6), потому что в качестве связующей основы применяются термореактивные смолы, являющиеся полярными полимерами.
Сверхвысокочастотные материалы. В СВЧ-технике ис-пользуются неармированные и армированные стеклотканью материалы на основе неполярных термопластов: фторопла-ста-4Д, полифениленоксида (арилокса), поликарбоната. Луч-шим материалом для этой цели является пластик на основе фторопласта-4Д. Листы толщиной 0,5 мм марки Ф-4Д-Э01 представляют собой армированный пластик, фольгированный с двух сторон электролитической фольгой толщиной 35 мкм. Он имеет tg = 0,0007 (на частоте 1010 Гц) и  = 2,5. Диапазон ра-бочей температуры составляет -100  250оС. Пленка фторопла-стовая неармированная марки Ф-4МБФ-2, облицованная с од-ной или двух сторон электролитической медной фольгой, при-меняется для изготовления полосовых линий с малым волно-вым сопротивлением. Армированная фольгированная пленка марки 4МБСФ-1 - для гибких печатных схем и соединитель-ных шлейфов.
Фольгированный диэлектрик марки ФЛАН представляет собой пластик на основе полифениленоксида (арилокса), на-полненного алундом или двуокисью титана, облицованный с двух сторон медной электролитической фольгой толщиной 35 мкм. Материал ФЛАН выпускается в листах толщи-ной 1 и 2 мм.
Фольгированный диэлектрик марки ПКТ представляет собой листовой материал на основе армированного поликарбо-ната, облицованный с двух сторон электролитической медной фольгой толщиной 35 мкм. Он выпускается в виде листов тол-щиной 1, 2 и 3 мм.
Таблица 2.10

Показатели качества фольгированных гетинаксов
и стеклотекстолитов для субтрактивной технологии ПП

Показатели ГФ-1-35Г
ГФ-2-35Г
ГФ-1-50Г
ГФ-2-50Г
ГФС-1-35Г СФ-1-35Г
СФ-2-35Г
СФ-1-50Г
СФ-2-50Г
СФГ-230-1-35 СОНФ-1
СОНФ-2

1 2 3 4
Поверхностное электрическое со-противление после выдержки в те-чение 96 ч. при относительной влажности 96 % при 40 оС, Ом 109 1010 1010
tg(106 Гц) при тех же условиях 0,05 0,035 0,035
 (10 Гц) при тех же условиях 5,5 5,5 5,5

Продолжение табл. 2.10

1 2 3 4
Прочность на отслаивание фоль-ги, Н (на полоске шириной 3 мм):
в исходном состоянии; 3,75 4,5 4,4
при выдержке в гальваниче-ском растворе при 70 оС в те-чение 20 мин; 1,8-2 3,6 4,0
после выдержки в расплавлен-ном припое в течение 10 с при 260 оС 3,5 4,0 (в те-чение 20 с) 4,3 (в те-чение 30 с
Стойкость к воздействию при-поя (отсутствие отклеивания фольги) 260 оС, 5-10 20 30
Водопоглощение для толщины 1 мм, % 1-1,5 0,5 1,0

Таблица 2.11

Показатели качества стеклотекстолитов для аддитивной и
полуаддитивной технологий изготовления ПП

Показатели СТЭК СТЭФ-1-ЛКА СТЭФ-1-2-2-2ЛКФ СТПА-5-1
1 2 3 4 5
Поверхностное электриче-ское сопротивление после выдержки в течение 96 ч. при относительной влажности 93 % при 40 оС, Ом 1010 109 109 1010
tgδ (106 Гц) при тех же усло-виях 0,04 0,045 0,045 0,025
ε (106 Гц) при тех же услови-ях 6,0 6,0 6,0 5,5

Продолжение табл. 2.11

1 2 3 4
Адгезионная прочность сцеп-ления металлизированного по-крытия с основанием на по-лоске шириной 3 мм,Н:
после химико-гальванической металлизации; 4 3,9 3,9 4
при выдержке в гальваниче-ском растворе при 70 оС - - - 3,6
в течение 20 мин; после вы-держки в расплавленном при-пое в течение 10 с при 260 оС 3,0 2,9 2,9
3,6 в тече-ние 30 с
Изменение линейных разме-ров, %, не более - - - 0,4

Таблица 2.12

Показатели качества фольгированных стеклотекстолитов для МПП (травящихся) и гибких ПП

Показатели СТФ-1 ФТС-1-20
ФТС-1-35 ПФ-1 ПФ-1-35-0,1
ПФ-2-35-0,16
1 2 3 4 5
Поверхностное электрическое сопротивление после выдержки в течение 96 ч при относитель-ной влажности 93 % при
40 оС, Ом 5 1010 5 109 109 1011

Продолжение табл. 2.12

1 2 3 4 5
tgδ (106 Гц) при тех же условиях 0,035 0,035 0,035 0,035
ε (106 Гц) при тех же условиях 5,5 5,5 4,0 4,0
Прочность на от-слаивание фольги на полоске шириной 3 мм, Н:
в исходном состоя-нии; 3,2 - 4,0 3,2 - 4,0 2,4 2,4
при выдержке в гальваническом растворе при 70 оС в течение 20 мин; 3,0 - 3,8 2,6 - 3,0 2,0 2,2
после выдержки в расплавленном при-пое в течение 30 с при 260 оС 2,5 - 3,6 2.,5 - 3,6 2,0 2,4
Водопоглощение, % 0,5 - 1,0 0,5 - 1,0 - 3,0
Изменение линей-ных размеров после травления, %, не более 0,04 - 8,05 0,04 -- 0,05 0,5 0,25
Стойкость к много-кратным перегибам - - 400 600
Нагревостойкость (отсутствие от-клеивания фольги после выдержки в припое при 260 оС - - 30 30

Таблица 2.13

Показатели качества фольгированных сверчастотных
материалов

Показатели Пленка фторопла-стовая 4МБФ-1(2) Листы фторопла-стовые
Ф-4Д-701 ФЛАН-2,8 ПКТ-ЗФ
1 2 3 4 5
ε (1010 Гц):
в исходном состоянии; 2,4 2,5 2,8 3
после выдержки в в тече-ние 30 суток с относи-тельной влажностью 95 % при 40 оС - - 2,8 3
tgδ (1010 Гц):
в исходном состоянии; 0,024 0,001 0,0015 0,005
после выдержки в течение 30 суток с влажностью
93 % при 40 оС - - 0,004 0,008
Прочность на отслаива-ние фольги на полоске шириной 3 мм, Н:
в исходном состоянии 2,9 2,9 2,7 2,4
после выдержки в рас-плавленном припое в те-чение 10 с при 260 оС 1,45 1,45 1,8 1,8
Стойкость к двойным перегибам, циклы 300 - - -

Прочностные и электрические свойства слоистых пласти-ков и влияние на них влажности и температуры рассмотрены в п.2.5.3. Для материалов, применяемых при изготовлении ПП, показателями качества являются следующие свойства: проч-ность на отслаивания фольги при действии гальванического раствора, припоя; изменение поверхностного сопротивления от действия влаги и др. В табл. 2.9-2.11 приводятся показатели качества некоторых материалов, применяемых для изготовле-ния однослойных, многослойных и гибких ПП по субтрактив-ной, аддитивной и полуаддитивной технологиям. Показатели качества сверхвысокочастотных материалов приведены в табл. 2.12.

2.5.6. Лаки, эмали, компаунды и клеи

Лаки – это растворы пленкообразующих веществ (лако-вой основы) в летучих жидкостях. К пленкообразующим ве-ществам относятся природные и синтетические смолы, биту-мы, высыхающие масла, эфиры целлюлозы и различные их композиции, которые в процессе сушки после удаления из лака растворителя, а также в результате реакций окисления, поли-меризации, поликонденсации или других химических процес-сов образуют плотную и прочную лаковую пленку.
Электроизоляционные лаки классифицируются по назна-чению, химическому составу и по режиму сушки.
По химическому составу и типу лаковой основы лаки подразделяются на следующие группы:
маслосодержащие лаки (масляно-канифольные, битумно-масляные, масляно-алкидные, масляно-фенольные);
лаки на основе модифицированных смол (поливинилаце-татные, полиэфирноэпоксидные, полиуретановые, кремнеорга-нические, полиэфиримидные) и лаки на основе немодифициро-ванных синтетических полимеров (кремнеорганические, по-лиимидные, полистирольные, феноло- и креозолоформальде-гидные, эпоксидные, глифталевые);
лаки на основе природных смол и эфиров целлюлозы.
По режиму сушки электроизоляционные лаки подразде-ляются на:
лаки горячей сушки (при температуре выше 70 °С) на термореактивной основе (например, на основе эпоксидных смол);
лаки воздушной сушки (при комнатной температуре) на основе термопластичных полимеров.
По применению лаки подразделяют на: покрывные, лаки для изоляции обмоточных проводов; клеящие лаки, пропиточ-ные лаки.
Покрывные лаки предназначены для создания защитной электроизоляционной пленки на поверхности изделий (напри-мер, печатных плат). К этим лакам предъявляются следующие основные требования:
быстрое высыхание;
хорошая адгезия к покрываемой поверхности;
способность образовывать твердую и механически проч-ную пленку;
хорошие электрические характеристики;
хорошие влагостостойкость и нагревостойкость.
Лаковые покрытия являются относительно плотными только при малой толщине (15-70 мкм), так как при большой толщине образуются капилляры, снижающие защитные свой-ства против влаги.
Покрывные лаки марок УР-976, УР-9130 на полиуретано-вой основе, модифицированные фенолоформальдегидной смолой, применяемой как влагостойкое и маслостойкое покры-тие по гетинаксу, стеклотекстолиту, керамике, металлу.
Лаки марок ЭП-730, ЭП-9114 на эпоксидной основе при-меняют для защиты печатного монтажа и электронной аппара-туры, эксплуатируемых при температуре от -60 до +125 оС.
Лак марки КО-990 на кремнеорганической основе, моди-фицированный полибутилметакрилатом, применяется для за-щиты печатных плат, изготовленных из высокочастотных ди-электриков, работающих при температурах от-60 до +150 оС на частотах 106 – 1010 Гц. Лак этой марки обладает высокими диэлектрическими свойствами (ε ≈ 3,6, tgδ 5 10-4 на частоте 106 Гц).
Лаки для обмоточных проводов, применяемых при изго-товлении катушек индуктивностей, трансформаторов. К изоля-ции таких проводов предъявляются требования: достаточная эластичность, адгезия к металлу и механическая прочность; стойкость к продавливанию; стойкость к термоудару; высокие электрические свойства, которые должны сохраняться в про-цессе длительной эксплуатации. Приведены некоторые марки лаков, применяемых при изготовлении эмалированных обмо-точных проводов.
Лаки марок ФЛ-9136, ФЛ-9137 (на фенольной основе) применяют при изготовлении эмалированных проводов ПЭЛ; максимальная температура не превосходит 105 оС.
Лак марки ВЛ-931 на поливинилформальэтилалевой ос-нове (лак винифлекс) применяют при изготовлении медных эмалированных проводов ПЭВ-1, ПЭВ-2. Лаковое покрытие винифлекс не плавится и не размягчается при нагреве до тем-пературы 105 оС, сохраняя гибкость и эластичность.
Лак марки ВЛ-941 (лак металвин) по качеству лакового покрытия превосходит лак ВЛ-931; более устойчив к действию органических растворителей и воды. Лак металвин применяют при изготовлении эмалированных медных проводов ПЭМ-1, ПЭМ-2.
Лак марки УР-973 (на полиуретановой основе) применя-ют для эмалированных лудящихся медных проводов ПЭВЛ с нагревостойкостью до 120 оС.
Лак марки ПЭ-939 (на полиэфирной основе) применяют при изготовлении проводов ПЭТВ-2. Нагревостойкость про-водов с изоляцией этим лаком составляет 130 С.
Лак марки АД-9103 изготовлен на полиимидной основе и используется при изготовлении проводов ПЭТ-имид. Этот лак является более качественным из всех приведенных; не плавит-ся и не размягчается до температуры 220 оС, сохраняя гибкость и эластичность.
Пропиточные лаки служат для пропитки пористой и во-локнистой изоляции, в результате чего улучшаются электро-изоляционные свойства материалов. Изготавливаются пропи-точные лаки на основе немодифицированных (кремнеоргани-ческих, полиуретановых) и модифицированных (феноло-алкидных, полиэфирноэпоксидных и других) смол.
Клеящие лаки применяются для склеивания слюдяных материалов, фольгированных и нефольгированных пластиков (гетинакса, стеклотекстолита, текстолита) и других компози-ционных материалов. Одновременно со склеиванием происхо-дит и пропитка материалов. Клеящие лаки изготавливают на основе термореактивных фенолоформальдегидных, эпоксид-ных и кременеорганических смол. Материалы, изготовленные с применением крменеорганических лаков, обладают повы-шенной термостойкостью и высокими электрическими свойст-вами.
Эмали – это лаки, пигментированные высокодисперсны-ми порошками неорганических веществ. Используются эмали в основном для поверхностных покрытий с целью защиты дета-лей от внешних воздействий и придания им определенного внешнего вида. Обычно пигментами служат оксиды металлов, которые придают пленкам различный цвет и делают их непро-зрачными, повышают механическую прочность, защищают ме-талл от коррозии. Так эмаль, содержащая сурик (Pb3O4) защи-щает от коррозии железо, а эмаль, содержащая окись цинка (ZnO) – алюминий. Покрывные эмали выпускаются горячей и холодной сушки. Холодная сушка достигается введением сик-кативов в масляно – глифталевые, масляно – пентафталиевые и кремнеорганические эмали или отвердителей в немодифици-рованные эпоксидные эмали и в эмали эпоксидные, модифи-цированные кремнеорганическими соединениями. Сиккативы и отвердители вводятся в эмали, как правило, перед употреб-лением. При наполнении эмалей порошками металлов (меди, серебра и других) получают токопроводящие эмали, которые обладают и защитой поверхности деталей от внешних воздей-ствий (например, эмали марок ХС-928, ХС-973).
Кроме защитно-декоративных эмалей (например, НЦ-929, АС-95, ПФ-910, ЭП-91 и другие) применяют эмали, выполняющие определенное назначение. Например, эмаль марки ГФ-916 (на масляно-алкидной основе) выпускается де-вяти цветов и применяется для маркировки керамических кон-денсаторов по величине температурного коэффициента ди-электрической проницаемости и защиты их от действия влаги. Эмаль марки ГФ-913 (на масляно-алкидной основе) красного цвета применяют для покрытия непроволочных резисторов ти-па МЛТ.
Компаунды – это смеси полимеров с различными добав-ками, не содержащие летучих растворителей и отверждающие-ся без выделения газообразных и парообразных веществ. По-этому в компаундах отсутствует пористость при сравнительно толстом слое (0,5 - 1 мм); они обладают высокой химической стойкостью и электрической прочностью и, по сравнению с ла-ками, обеспечивают лучшую защиту от действия влаги. Свой-ства компаундов определяются, прежде всего, видом полимер-ного связующего вещества, в качестве которых в большинстве случаев применяются фенолоформальдегидные, эпоксидные и кремнеорганические смолы, а также сложные сополимеры на их основе.
Базовыми компаундами являются компаунды на основе эпоксидных смол. Например, компаунд марки УП-5-105-2 хо-лодного отверждения применяется для герметизации радио-технических изделий, длительно работающих в интервале тем-ператур от -60 до +75 °С; компаунды марок УП-5-221 (эпок-сидный), УП-5-220 (на эпоксикремнеорганической основе) применяются для герметизации аппаратуры, работающих при повышенной влажности (до 98 %) под действием вибрацион-ных и механических нагрузок.
Компаунды находят широкое применение для герметиза-ции интегральных схем. Так как ИС чувствительны к дефор-мирующим усилиям, то в этом случае применяют эластичные компаунды. Использование жестких компаундов, к которым относятся эпоксидные, не рекомендуется, так как при затвер-девании в них возникают механические напряжения. Кроме то-го, при герметизации ИС к компаундам предъявляются допол-нительные требования: минимальное водопоглощение; не должны содержать ионогенных веществ, способных выделить ионы Cl , SO4, Na; устойчивость к кристаллизации, так как при кристаллизации увеличивается жесткость полимера, а компа-унды должны находиться в высокоэластическом состоянии во всем диапазоне рабочих температур (- 60 - +70 °С).
Основой эластичных компаундов являются кремнеорга-нические полимеры, а также смеси их с эпоксидными смолами. К таким компаундам относятся компаунды марок КЛ, К–18, У-1-18 (виксинт) на кремнеорганической основе, которые при-меняются для герметизации приборов, работающих в интерва-ле температур от -60 до +250 °С.
Некоторые компаунды на основе эпоксидных смол обла-дают высокой оптической однородностью и прозрачностью к излучению в видимой и инфракрасной областях спектра. Такие компаунды применяются при герметизации оптоэлектронных приборов – светодиодов, фотоприемников. Оптически про-зрачные компаунды применяют для защиты печатных плат (например, эластичный компаунд КМ-9, порошковый компа-унд ОП-429); в этом случае возможен контроль правильности коммутации с помощью прокалывающих щупов.
Клеи – это вещества, обладающие высокой адгезионной способностью, пригодные для прочного соединения между со-бой материалов разных классов. Применение клеев упрощает технологический процесс изготовления изделий, создает сплошность соединений и в ряде случаев является единствен-ным способом крепления. Разрушение клеевого соединения, как правило, означает отказ РЭС, поэтому к клеям предъявля-ются высокие требования по прочности, термостойкости, стой-кости к динамическим нагрузкам. В специальных случаях от них требуется такие качества, как электропроводность, тепло-проводность, биостойкость.
В исходном состоянии клеи могут быть:
в виде жидкостей, содержащих летучий растворитель, или без него;
в твердом состоянии в форме легкоплавких порошков, таблеток, гранул;
в виде расплавов на основе термопластов;
в виде клеящих пленок (например, склеивающие про-кладки при изготовлении многослойных печатных плат).
Универсальных клеев не существует; труднее склеивают-ся металлы, легче – неметаллы, за исключением неполярных термопластических материалов, не подвергнутых специальной обработке.
По типу применяемых полимеров клеи подразделяются на термореактивные, которые отверждаются в результате реак-ции поликонденсации, и термопластичные – отверждаются в результате полимеризации.
К термореактивным относятся клеи на основе эпоксид-ных, фенолоформальдегидных, кремнеорганических смол и их модификаций. Клеи на основе эпоксидной смолы пригодны для склеивания черных и цветных металлов, а также соедине-ния неметаллических материалов, за исключением неполярных полимеров. Например, клеи Д-6, Д-8 (холодного отверждения) и Д-2, Д-16 (горячего отверждения) применяют для склеива-ния металлов, ферритов, керамики, стекол и пластмасс на ос-нове синтетических смол с наполнителями; диапазон рабочих температур - -60 - +100°С. Клеи на основе немодифицирован-ных и модифицированных фенолоформальдегидных смол (на-пример, БФ-2, БФ-4, ВК-32-2, ВС-10Т), применяют для склеи-вания металлов друг с другом и с неметаллическими материа-лами; диапазон рабочих температур от – 60 до +200°С. Про-цесс склеивания производят под определенным давлением.
Термопластичные клеи изготавливают на основе соеди-нений полимеров и сополимеров винилхлорида, поливинило-вого спирта, поливинилацеталей и поливинилацетата акрило-вой и метакриловой кислот и других. Например, клей БМК-5 применяют для склеивания полистирола с полиметилметакри-латом (органическим стеклом), полиэтилена с фенопластами. Клеи на основе термопластичных полимеров имеют более низ-кую прочность, чем клеи на термореактивной основе, и поэто-му применяются в несиловых конструкциях.
Особую группу составляют клеи на основе эластомеров – резиновые клеи. Они обладают высокой эластичностью и при-меняются для приклеивания резины к металлам и другим мате-риалам. Например, клей 88Н используется для склеивания ре-зин с другими материалами. Клей ЛН применяют для склеива-ния резины с металлами и пластмассами, ферритов между со-бой и с металлами.
В производстве микроэлектронных устройств применяют теплопроводящие и электропроводящие клеи. Например, теп-лопроводящие изолирующие клеи: Д-9 (эпоксидный), ВК-9, К-400 и ТКЛ-2 (на эпоксидно-полиамидной основе), применя-ют для крепления СВЧ микросхем к основаниям корпусов и микросборок. Эти клеи обладают достаточной термостойко-стью (до +125°С), стойкостью к термоциклированию и меха-нической прочностью.
Электропроводящие клеи (контактолы) представляют со-бой термореактивную смолу с наполнителем из мелкодисперс-ного порошка благородных металлов из сплава серебро-палладий или золота. Медь не применяется, так как она быстро окисляется в полимерной композиции, а серебро не рекомен-дуется применять по причине того, что под действием элек-трического потенциала ионы серебра мигрируют в диэлектри-ческой основе, создавая отдельные проводящие мостики. Элек-тропроводящие клеи применяют, например, клей ВК-32-200 (на эпоксидной основе), для крепления полупроводниковых кристаллов к подложкам.
Прочность клеевых соединений зависит не только от типа клея, но и от технологии процесса склеивания (подготовки по-верхности, процесса отверждения, толщины слоя клея). Опти-мальная толщина слоя клея, обеспечивающая наиболее проч-ное соединение, составляет 0,1 – 0,2 мм.

Вопросы для самопроверки

1. Изобразите структуру макромолекулы линейного по-лимера и, исходя из структуры, объясните, какие полимеры от-носятся к неполярным, а какие к полярным?
2. Какие полимеры используются в качестве высокочас-тотных диэлектриков и почему?
3. Какие типы химической связи существуют внутри макромолекул и между ними в линейных полимерах и в поли-мерах с пространственной структурой?
4. По каким свойствам одни полимеры называют термо-пластичными, а другие термореактивными? Какими структур-ными особенностями обладают первые и вторые полимеры? Приведите примеры термопластичных и термореактивных по-лимеров.
5. Объясните, что значит стеклообразное, высокоэласти-ческое и вязкотекучее состояния полимеров? В каком состоя-нии полимеры используются как диэлектрические материалы в эксплуатации?
6. Каким требованиям должны отвечать диэлектрические материалы, применяемые для изготовления каркасов индук-тивных элементов НЧ и ВЧ диапазонов?
7. Какие ненаполненные пластмассы относятся к неполяр-ным диэлектрикам и какие к полярным? Приведите примеры и область их применения?
8. Какие ненаполненные пластмассы относят к термо-стойким и приведите область их применения?
9. Какие полимеры называют ударопрочными и почему, и для изготовления каких деталей они применяются?
10. Какие смолы и какие наполнители входят в компози-ционные пластмассы - прессматериалы, их роль, и по каким признакам классифицируют прессматериалы? Приведите при-меры применения прессматериалов для изготовления деталей РЭС.
11. Что представляет собой гетинакс, текстолит и стекло-текстолит? Какой из этих листовых материалов обладает более высокой стойкостью против действия влаги и почему?
12. Какие листовые пластмассы применяют для изготов-ления оснований однослойных и многослойных печатных плат КВ диапазона?
13. Какие материалы применяют для изготовления полос-ковых линий СВЧ диапазона и почему?
14. Что представляют собой лаки, и для каких целей они используются в устройствах РЭС?
15. В чем отличие эмалей от лаков, и для каких целей их применяют в устройствах РЭС?
16. Что представляют собой компаунды, и какие преиму-щества их перед лаками и эмалями как герметизирующих по-крытий? Приведите примеры использования компаундов.

3. НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ

3.1. Стекла

Стекло представляет собой твердое аморфное вещество, образующейся при сплавлении стеклообразующихся оксидов и безоксидных соединений. Стеклообразующими являются ок-сиды SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 и некоторые безкислородные со-единения селена, теллура, мышьяка. Свойства диэлектриков проявляют лишь оксидные стекла. По виду стеклообразующих оксилов стекла называют соответственно силикатными, бо-ратными, фосфатными, германатными. Основную часть сте-кол, применяемых в радиоэлектронных средствах, составляют силикатные стекла.
Структурной основой силикатных стекол является тетра-эдр SiO4 в центре которых расположены ионы Si+4, а в верши-нах ионы кислорода О-2 (Рис.3.1). Эти тетраэдры, соединяясь друг с другом через кислородные ионы, образуют сплошную трехмерную сетки. При этом угол Si-O-Si в силикатных стек-лах колеблется в пределах 120-180о, что нарушает строгую пе-риодичность в расположении тетраэдров. Поэтому в стеклах, как в аморфных телах, существует ближний порядок, но отсут-ствует дальний порядок. Введение в силикатные стекла ще-лочных окислов (модифицирующих окислов) Li2O Na2O и K2O нарушает кремний-кислородный каркас. Щелочные катионы разрывают цепочки Si-O-Si (рис.3.1 б), что приводит к ослаб-лению каркаса и его разрыхлению.
В результате этого уменьшается прочность стекла, и ухудшаются диэлектрические свойства – снижается удельное сопротивление, увеличиваются диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери. Но в то же время улучшаются технологические свойства – снижается температура плавления и вязкость. Для получения определенных свойств в силикатные стекла вводят промежуточные окислы типа MeO, Me2O3 (CaO, BaO, PbO, Al2O3 и др).
Встраиваясь в структурную сетку стекла эти окислы, по-вышают диэлектрические свойства, не снижая технологиче-ских свойств.


Рис. 3.1 Схематическое изображение структуры силикат-ных стекол: а) тетраэдры SiO4, б) – трехмерная сетка стекла, построенная из кремнекислородных тетраэдров

Детали из стекла изготавливают путем выдувания (ламповые баллоны, химическая посуда), вытяжки (стекловолокна), прессования, отливки и т.п. Стекла свариваются друг с другом, металлами, керамикой и полупроводниками, т.е. с материалами, обладающими достаточной теплопроводностью. Силикатные стекла практически устойчивы к действию кислот, за исключением плавиковой кислоты HF. Изготовленные стеклянные изделия подвергают отжигу для снятия механических напряжений, возникающих при быстром и неравномерном охлаждении. Механическая обработка стекла в холодном состоянии сводится к резке его алмазным инструментом, шлифовке и полировке. Силикатные стекла могут металлизироваться методами вжигания металлосодержащих паст или вакуумным напылением. Стеклам присущи следующие недостатки – низкая теплопроводность, низкая механическая прочность и хрупкость.
Силикатные стекла по составу и по электрическим свой-ствам можно подразделить на три основные группы:
1. Бесщелочные стекла, к которым относятся чистое кварцевое стекло и алюмоборосиликатные стекла. Эти стекла обладают высокими диэлектрическими свойствами и высокой нагревостойкостью, но они нетехнологичны при изготовлении из них изделий.
2. Щелочные стекла, содержащие двухвалентные окислы без тяжелых окислов (PbО, BaO). Эти стекла технологичны при обработке, но обладают пониженными диэлектрическими свойствами и пониженной нагревостойкостью.
3. Щелочные стекла с высоким содержанием тяжелых окислов (например, силикатно-свинцовые, бариевые), Эти стекла обладают высокими диэлектрическими свойствами, технологичны в изготовлении. В табл 3.1 приведены основные свойства силикатных стекол без указания точного химического состава.
Таблица 3.1

Основные свойства силикатных стекол

Свойства Бесще-лочные Щелочные стекла без тяжелых окислов Щелочные стекла с вы-соким со-держанием Pb и BaO
натриевые натрий-калиевые и калиевые
Плотность, кг/м3 2,1-3,6 103 2,2-2,75 103 2,2-3 103 2,85-4,5 103
αl . 106, C-1 0,5-2 2,6-5 2,6-9 2,1-3
Коэффициент преломления n 1,46-1,61 1,52-1,53 1,51-1,55 1,54-1,71
Удельное объемное сопротивление ρv при 200оС, Ом м 1011-1013 106-107 108-1010 109-1011

Продолжение табл.3.1

1 2 3 4 5
Диэлектрическая проницаемость,ε 4,2-7,5 5,7-7,5 7-11 3,2-12,8
tgδ при 106 Гц: при 20oС 0,0002-0,001 0,003-0,007 0,0015-0,003 0,0004-0,0012
при 200 оС 0,0003-0,001 0,01-0,11 0,003-0,0008 0,0012-0,002
ρ при 200 оС,
Ом м 1011 - 1012 106 -107 108 - 1010 109 - 1011

В конструкциях радиоэлектронных средств следующие виды технических стекол.
Кварцевое стекло, или плавленый кварц состоит из практически чистого SiO2 в аморфном состоянии. Его получа-ют из горного хрусталя или из мелкого кварцевого песка при температуре выше 1700оС. Кварцевое стекло обладает рядом уникальных свойств:
температурный коэффициент линейного расширения αl оC-1 (ТКЛР) имеет наименьшее значение из всех материалов и составляет 5 10-7, а при температуре ниже -73 оС имеет отри-цательное значение ТКЛР;
модуль упругости растет с повышением температуры;
удельное сопротивление составляет 1015-1016 Ом м;
высокие диэлектрические свойства – тангенс угла ди-электрических потерь на частоте 106 Гц составляет (1-2) 10-4, а диэлектрическая проницаемость ε = 3,8;
высокая нагревостойкость (длительная до 1200оС и в те-чение нескольких часов – 1400оС).
Благодаря выше перечисленным свойствам кварцевое стекло является материалом для изготовления линз, баллонов ламп ультрафиолетового излучения; применяются в полупроводниковой технологии в виде труб, тиглей, термостойкой и химической посуды. Высокие диэлектрические свойства наряду с высокой механической добротностью и малым КТЛР являются определяющими параметрами кварцевого стекла при изготовлении на его основе диэлектрических резонаторов. Тонкие аморфные пленки SiO2, полученные осаждением из газовой фазы широко применяются в технологии интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Электровакуумные стекла используются при изготов-лении баллонов электронных ламп и изоляционных бус для электровакуумных, полупроводниковых приборов и гибрид-ных интегральных схем. По химическому составу электрова-куумные стекла относятся к группе слабощелочных алюмобо-росиликатных стекол (содержание щелочных окислов состав-ляет 2-8 %). Определяющим параметры этих стекол наряду с высокими электрическими свойствами, является значение ТКЛР. Электровакуумные стекла по признаку спаиваемости с определенным металлом или сплавом подразделяются на: вольфрамовые, молибденовые и платиновые, хотя в своем со-ставе не содержат указанных металлов. Так стекла молибде-новой группы имеют ТКЛР, равный молибдену и при спаива-нии с ним образуют прочные вакуумно-плотные спаи. К стек-лам вольфрамой группы относятся стекла марок С37-1…С41-1, молибденовой группы С47-1…С52-1 и платиновой группы – С48-1…С95-3. Цифра в маркировке после буквы указывает значение ТКЛР, а цифра после дефиса порядковый номер разработки. Так стекло марки С52-1 имеет ТКЛР равный 52 10-7 С-1.
Молибденовые электровакуумные стекла С48-1, С49-1, С49-2, С52-1 широко применяются для спаивания с коваром при изготовлении вакуумноплотных выводов гибридных инте-гральных схем.
Конденсаторные стекла применяются в качестве диэлектриков тонкопленочных конденсаторов. Такие стекла помимо высокой диэлектрической проницаемости и малого значения tgδ должны иметь высокие удельное сопротивление и электрическую прочность, и отсутствие пор. Для пленочных конденсаторов применяют в основном двухкомпонетные боросиликатные с удельной емкость (Суд = 150 пФ/мм2) алюмосиликатные (Суд = 300 пФ/мм2) и иттрий-боросиликатные (Суд = 500 пФ/мм2) стекла.
Стекла для герметизации полупроводниковых прибо-ров и ИС. Эти стекла используются в виде тонких пленок, на-носимых на поверхность кремниевых кристаллов для защиты от внешних воздействий. Кристаллы покрываются стеклом не-зависимо от того, заливаются ли они пластмассой, заключают-ся в герметичный корпус или изготавливаются в бескорпусном исполнении. Пленки должны хорошо покрывать ступеньки то-пологического рельефа и поэтому иметь ТКЛР, близкий к ТКЛР кремния; должны быть сплошными, без разрывов и пор. Всем этим требованиям ни одно стекло, как правило, не удов-летворяет. Поэтому применяются двух или трехслойные плен-ки. Для первого слоя применяются стекла с малым значением ТКЛР, а для внешнего – легкоплавкие свинцово-боросиликатные стекла.
Стекловолокна представляют собой тонкие волокна диаметром 4 - 7 мкм, получаемые из расплавленной массы ме-тодом вытяжки через фильеру. Тонкие стеклянные волокна об-ладают хорошей гибкостью и более высокой механической прочностью по сравнению с прочностью массивных образцов. Крученые стеклянные нити из волокон на основе малощелоч-ных алюмосиликатных или алюмоборосиликатных стекол ис-пользуют для изоляции монтажных проводов с высокой нагре-востойкостью (до 250оС). Стеклянные ткани из волокон на ос-нове бесщелочных алюмоборосиликатных или магнийсили-катных стекол применяют для изготовления стеклотекстоли-тов, используемых в качестве оснований печатных плат.
Особую группу стекловолокнистых материалов представляют волоконные световоды, которые обладают свойством направленно передавать световую энергию. Светопроводящие волокна, как правило, двухслойные. Наружный слой (оболочка) отличаются от внутреннего слоя (сердцевины) более низким коэффициентом преломления света. Световой луч, падая из среды, оптически более плотной (сердцевины) на поверхность раздела со средой (оболочкой), оптически менее плотной, испытывает полное внутреннее отражение. Такое двухслойное волокно обеспечивает прохождение света по сердцевине с минимальными потерями, не попадая в окружающее пространство. Волокна, соединенные в жгуты, служат элементами волоконной оптики для передачи информации и являются составной частью раздела электроники-оптоэлектроники. Пленочные плоские световоды, полученные осаждением стекла на подложку, являются основой оптических интегральных схем.
Проводящие стекла представляют собой стеклообраз-ные вещества, которые вследствие нестехиометрического со-става обладают повышенной электропроводностью, при этом носителями в них служат электроны. Эти стекла являются без-оксидными соединениями элементов VI группы таблицы Мен-делеева S, Se, Te (халькогены) с элементами IV и V группы (As, Sb, Ge, Tl). К таким стеклам (халькогенидные) относятся, например, соединения химического состава As2, S3, Sb2S3, GeSe и другие. Халькогенидные стекла имеют низкую температуру размягчения (230…430 оС) и удельное сопротивление ρ = 105 – 10-3 Ом м. Низкая темпера обработки обусловила использова-ние высокоомных стекол для герметизации интегральных схем, но основное применение они находят из-за их полупро-водниковых свойств (как полупроводниковые материалы).

3.2. Ситаллы

Ситаллы представляют собой класс поликристаллических материалов, получаемых с помощью направленной кристалли-зации неорганических стекол специального состава.
По структуре ситаллы являются многофазными материалами, состоящими из зерен одной или нескольких кристаллических фаз, скрепленных между собой стекловидной прослойкой. Фазовый состав, вид и содержание кристалличе-ских фаз и стеклофазы зависят от химического состава исход-ного стекла и режима термической обработки. В настоящее время синтезированы ситаллы на основе стекол различного химического состава: литий-, кальций-, магний-, стронций-, натрий-алюмо-силикатных, калиево-титаносиликатных и другие. Основными кристаллическими фазами являются -эвкриптит и -сподумен (в системе Li2O-Al2O3-SiO2), a-кордиерит, кварц, шпинель, форстерит, муллит (в системе MgO-Al2O3-SiO2), цельзиан и силикаты бария (в системе BaO-Al2O3-SiO2). Содержание кристаллической фазы в ситаллах в зависимости от способа получения может колебаться в пределах 30-95 % и более, а размер кристаллических зерен равен 1-2 мкм. По структуре ситаллы занимают промежуточное положение между обычными стеклами и керамикой. От стекол они отличаются тем, что имеют в основном кристаллическое строение, а от керамики - значи-тельно меньшим размером кристаллических зерен и отсутстви-ем пористости. По внешнему виду ситаллы могут быть непро-зрачными (от светло-белого до коричневого цвета) и прозрач-ными.
Технология производства ситаллов включает в себя три стадии: варка исходного стекла, содержащего специальные "каталитические" добавки (нуклеаторы); формование изделия из стекла; термообработка изделий, приводящая к полной или частичной кристаллизации исходно¬го стекла.
Кристаллизация стекла может быть обусловлена фотохимическими и каталитическими процессами. В первом случае в исходные стекла входят соли серебра, золота или меди. Под действием ультрафиолетового или рентгеновского облучения и последующей низкотемпературной обработки происходит выделение металлов в виде мельчайших коллоидных частиц, которые являются центрами кристаллизации. При повторной высокотемпературной обработке осуществляется образование и рост кристаллов вокруг металлических частиц. Стеклокристаллические материалы, полученные таким способом, называют фотоситаллами. Фотоситаллы в основном получают из стекол литиевой системы.
Технология изготовления ситаллов упрощается, если в качестве катализаторов кристаллизации в исходные стекла входят соединения, легко кристаллизующиеся из расплава: TiO2, B2O3, Cr2O3, V2O5, FeS, фториды и фосфаты щелочных и щелочно-земельных металлов. Исходные стекла подверга-ются двухступенчатой теромообработке - при 500 - 700 оС и 900-1100 оС. Такие ситаллы называют термоситаллами. Тер-моситаллы получают из стекол систем MgO-Al2O3-SiO2 и CaO-Al2O3-SiO2.
Ситаллы по сравнению со стеклами обладают более вы-сокой механической прочностью, нагревостойкостью, тепло-проводностью. Температурный коэффициент линейного рас-ширения (ТКЛР) лежит в пределах (7-30)10-7 оС-1 и может ре-гулироваться изменением только температуры ситаллизации, т.е. доли кристаллической фазы. Стеклокристал¬лические мате-риалы обладают высокой химической стойкостью к действию кислот (кроме HF) и щелочей. Они являются хорошими ди-электриками; диэлектрические потери в ситаллах во многом определяются свойствами остаточной стекловидной фазы. Доступность исходного сырья и простая технология обеспечи-вает невысокую стоимость изделий.
Термоситаллы марок СТ38-1, СТ50-1, СТ50-2 в виде по-лированных пластин толщиной 0,5-1 мм широко используются в качестве подложек тонкопленочных гибридных интеграль-ных микросхем. В табл.3.1 приведены некоторые показатели указанных марок ситаллов (цифры после букв обозначают

Без заголовка

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:09 + в цитатник
ПС получают методами блочной, суспензионной или эмульсионной полимеризации из стирола. Структура ПС состоит из линейных полимерных макромолекул с фенильными радикалами [-CH2-CHC6H5-]n. При молекулярной массе М 30000-70000 он представляет собой вязкие жидкости (применяется для лаков), а при М равной 200000-300000 является твердым полимером. Основные физико-механические свойства блочного ПС приведены в табл. 2.2. Свойства эмульсионного и суспензионного ПС мало отличаются от блочного.
ПС стоек против действия щелочей, многих органических и минеральных кислот, трансформаторного масла, глицерина, но он набухает в 65 %-й азотной кислоте, в бензине и керосине; растворим в ароматических и хлорированных углеводородах, в сложных эфирах. При температуре 200 оС ПС разлагается с образованием стирола и других низкомолекулярных соединений.
Полистирол является неполярным материалом, диэлектрические свойства которого мало изменяются от температуры примерно до 70 оС.

Таблица 2.2

Диэлектрические и физико-механические параметры
полистирола

Показатели Блочный
ПС Показатели Блочный ПС
1 2 3 4
Плотность, кг/м3 105-1080 Температурный коэффициент линейного расширения, оС 8 10-5
Прочность, МПа:
при растяжении
35 Водопоглощение за 24 ч. при 20 оС не более, % 0,2
при статическом изгибе - Длительная рабочая температура, о С 70
Ударная вязкость, кДж/м2 16-20 Удельное объемное сопротивление v, Ом м 1015
Модуль упругости
при изгибе, МПа
2700 Удельное поверхностное сопротивление s, Ом 1016
r при 103 Гц 2,5-2,6
Относительное удлинение, % 1,5 tg при 103 Гц (2-3)10-4
Теплостойкость по Мартенсу, оС 75-80 Епр, МВ/м 25

Полистирол обладает относительно низкой механической прочностью и низкой ударной вязкостью, кроме того, имеет невысокую нагревостойкость и склонность к быстрому старению. Старение выражается в появлении на поверхности сетки мелких трещин из-за удаления присутствовавшего мономера и из-за неравномерных напряжений вследствие неодинаковой степени полимеризации. Для устранения про¬цесса старения и повышения пластичности полистирол эластифицируют синтетическими каучуками, что позволяет применять его в качестве конструкционного материала (свойства такого ПС будет рассмотрено в разд. 2.4).
Из полистирола изготавливают каркасы ВЧ катушек индуктивности, изоляцию ВЧ кабелей, корпуса приборов, пленки (стирофлекс) для конденсаторов типа К71, опорные изоляторы антенн. На основе полистирола изготавливают пропиточные и покровные компаунды для дросселей и трансформаторов.
Полифениленоксид (арилокс) - это органический синтетический гетероцепной полимер, получаемый методом поликонденсации из 2,6-диметилфенола в жидкой фазе; степень кристалличности его составляет 20 %. Структурная формула макромолекулы полифениленоксида (ПФО) представлена на рис. 2.3 а, а основные диэлектрические и физико-механические свойства приведены в табл. 2.3.
Полифениленоксид является слабополярным материалом, он сочетает высокую механическую прочность с хорошими электрическими свойствами в широком диапазоне температур и частот. Температура хрупкости ПФО лежит ниже -170 оС, размягчается он при температуре 215-280 оС.



Рис. 2.3. Структурные формулы макромолекул полифениленоксида (а) и поликарбоната (б)



Таблица 2.3

Основные диэлектрические и физико-механические свойства ПФО, ПК и ПЭТФ

Показатели Полифенилен-оксид (ПФО) Поликарбонат (ПК) Полиэтилентерефталат (ПЭТФ)
1 2 3 4
Прочность, Мпа:
при растяжении 75 65-80 170
при изгибе 105 80-130 -
Модуль упругости
при растяжении, Мпа 2300-2700 1400-2400 2900-3800
Относительное удлинение, % 6-7 50-110 70
Ударная вязкость, Дж/м2 20-40 100-120 70-90
Удельное сопротивление:
объемное v, Ом м; 1014 1014 1015
поверхностное s, Ом 1015 - -
на частоте (50-106 Гц) 2,5-2,58 2,6-3,1 3,1-3,2
tg (106) Гц 9 10-4 6 10-4 3 103
Электрическая прочность, E МВ/м 16-20 30 180 (для тонких пленок)
Теплостойкость по Мартенсу, oС 190 115-120 -
Холодостойкость, oС <-170 <-100 -
Водопоглощение за 24 ч.,% 0,1 0,2 -
Длительная рабочая температура, oС ~115 130-140 120-130
Электрические свойства мало изменяются в интервале -180 +180 оС. Полимер стоек против действия разбавленных кислот и щелочей, водяного пара; растворим в ароматических и хлорированных углеводородах. ПФО самозатухает, имеет высокую искростойкость.
Полимер имеет низкую эластичность - относительное удлинение его составляет 3-8 %. Для повышения эластичности применяют эластифицированные ПФО, что позволяет применять его для изготовления пленок (норил), каркасов катушек индуктивности, печатных плат, корпусов, работающих в области высоких частот и в широком диапазоне температур.
Поликарбонат (ПК) - сложный полиэфир, получаемый поликонден¬сацией дифенилолпропана и угольной кислоты (фосгена), который вы¬пускается под названием дифлона. ПК является прочным, жестким, прозрачным материалом со степенью кристалличности около 20 %. Структурная формула поликарбоната изображена на рис. 2.3 б; основные физико-меха-нические свойства представлены в табл. 2.3.
ПК является слобополярным полимером, он сочетает ряд хороших свойств: относительно высокую температуру размягчения, хорошие механические свойства в широком интервале температур, атмосферостойкость и влагостойкость, высокую температуру воспламенения и затухает при удалении его из пламени.
Поликарбонат химически стоек к растворам солей, разбавленных щелочей и минеральных кислот; выдерживает светотепловое старение и тепловые удары, тропикостоек, но ограниченно стоек к концентрированным растворам концентрированных щелочей, нестоек к действию аммиака и аминов.
ПК применяется в виде пленки для изоляции силовых трансформаторов и в качестве прокладок конденсаторов, для изготовления установочных деталей электронных средств назначения (каркасов катушек индуктивностей и трансформаторов, корпуса и т.д.).
Политертрафторэтилен (ПТФЭ), фторпласт-4, тефлон) – это самый лучший диэлектрический материал, обладающий низкими диэлектрическими потерями и малой диэлектрической проницаемостью, что позволяет применять его для изделий в диапазоне СВЧ. Основные свойства фторпласта-4 даны в п. 2.3 «Термостойкие ненаполненные пластмассы».
Полярные материалы. Это термопласты с полярными макромолекулами, обладающими повышенными диэлектрическими потерями (tg 10-2) и диэлектрической проницаемостью = 3 – 6.
Поливинилхлорид (ПВХ) является термопластичным полимером со степенью кристалличности 10-25 %, получаемым полимеризацией винилхлорида. Химическая формула макромолекулы ПВХ [- CH2-CHCl-]n; в молекуле один атом Н заменен атомом Cl, поэтому поливинилхлорид является полярным диэлектриком. Благодаря сильным полярным межмолекулярным связям, прочно соединяющим молекулярные цепи, ПВХ является прочным, жестким и негибким полимером. ПВХ до 60 оС стоек против действия соляной кислоты любой концентрации, серной кислоты - до 90 %-й, азотной до 50 %-й и уксусной до 80 %-й концентраций. ПВХ не изменяется при воздействии щелочей любых концентраций, промышленных газов, растворов солей Nf, Al, K, Cu, Fe и других металлов, а также бензина, керосина, масел, жиров, спиртов, глицерина. С физиологической точки зрения ПВХ совершенно безвре¬ден, но при нагреве и при механических воздействиях при температу¬ре выше 100 оС наблюдается деструкция макроцепей, проявляющаяся в выделении HCl и небольшого количества ароматических углеводородов (бензол), которые оказывают вредное воздействие (раздражение глаз и слизистой оболочки носа). При горении ПВХ выделяется большое количество тепла, образуется густой плотный дым.
Непластифицированный твердый ПВХ называется винилпластом. Применяется он для изготовления баков аккумуляторов, защитных покрытий для металлических емкостей, изоляционных трубок. Недостатком этого материала является низкая рабочая температура (не выше 70 оС), хрупкость при низких температурах (Тхр = -10 оС).
Для придания эластичности в ПВХ добавляют пластификаторы, в качестве которых используют хлорированный полиэтилен, сополимеры стирол-акрилонитрила или бутадиен-стирол-акрилонитрила. Пластифи¬цированный ПВХ имеет морозостойкость от -15 до -50 оС, а температуру размягчения 160-195 оС. Он применяется для изоляции монтажных проводов и низкочастотных кабелей низкого напряжения, изоляционных трубок, липких изоляционных лент и так далее.
Полиэтилентерефтолат (лавсан) - сложный полиэфир, получаемый поликонденсацией этиленгликоля и терефталевой кислоты, имеющий структурную формулу



Полиэтилентерефталат (ПЭТФ) - это полярный прозрачный полимер кристаллического или аморфного строения, обладающий значительной механической прочностью и высокой температурой размягчения (260 оС). Некоторые физико-механические свойства приведены в табл. 2.3.
ПЭТФ весьма устойчив к термической и термоокислительной деструкции, однако из-за изменения надмолекулярной структуры при повышенных температурах (при нагреве выше 80 оС начинает кристаллизоваться) в присутствии воды он теряет эластичность и становится хрупким в процессе длительной эксплуатации при температуре выше 140 оС. ПЭТФ обладает сравнительно высокой химической стойкостью, стоек к действию подавляющего большинства органических растворителей, устойчив в условиях тропического климата. Он растворяется лишь в фенолах и частично диметилформамиде и подобных амидных растворителях.
Полиэтилентерефталат литьевой применяется для изготовления различных конструкционных деталей (корпуса выключателей, кнопки управления, шестерни). Важной особенностью ПЭТФ является его высо¬кая механическая прочность в ориентированных полимерах - пленках, волокнах, достигающая 200 МПа. Пленки лавсана находят широкое применение для изготовления лент магнитной записи, гибких печатных плат, кабелей, шлейфов, прокладок конденсаторов. Лавсановые волок¬на используются для изготовления тканей и синтетической бумаги, имеющих высокие прочностные характеристики и применяемые в качестве изоляционных прокладок.
Полиамиды (ПА) являются полимерами линейного строения, содержащими в основной цепи макромолекулы амидные (-СО-NH-) и метилено¬вые группы (-СН2-). При поликонденсации диаминов и дикарбоновых кислот получают ПА (найлон), структурная схема макромолекулы которого имеет вид [-NH-(CH2)6-NHCO-(CH2)4-CO]n.
При полимеризации лактамов получают ПА (капрон) со структурной схемой макромолекулы [-NH-(CH)3-CO-]n. ПА - это легкокристаллизующиеся полимеры со степенью кристалличности 50-70 %. По внеш¬нему виду ПА представляют собой твердые рогоподобные продукты от белого до светло-кремового цвета, просвечивающиеся в тонком слое. Свойства различных ПА довольно близки. Они являются полярными диэлектриками с высокой механической прочностью и эластичностью; имеют низкий коэффициент трения и поэтому могут продолжительное время работать на истирание; кроме этого, ПА ударопрочны и способны поглощать вибрацию. Пленки и волокна, полученные из полиамидов, обла¬дают большой прочностью на растяжение (400-500 МПа), что обусловлено ориентацией структуры макромолекул, получаемой при вытяжке.
Полиамиды стойки к действию щелочей и органических растворителей: бензина, масел, спиртов, бензола; устойчивы в тропических условиях. Но они растворимы в концентрированных кислотах, фенолах и амидах. К недостаткам ПА относятся повышенная гигроскопичность, ускоренное старение и появление хрупкости под влиянием солнечного света, а также при продолжительном контакте с кислородом воздуха или водой, имеющей температуру выше 100 оС. Устойчивость полиамидов к свету повышается введением различных стабилизаторов.
Полиамиды без наполнителей и с наполнителями используются как изоляционные и конструкционные материалы, к которым предъявляются повышенные требования по жесткости, прочности и точности размеров. Из них изготавливают каркасы катушек, шестерни, втулки, подшипники (с графитовым наполнителем). Волокна из ПА имеют высокую механическую прочность при растяжении, причем волокна из найлона прочнее, чем из капрона.
На основе полиамидов и полиэфиров созданы полимерные материалы - полиуретаны (ПУР), которые по структуре близки к структуре ПА, но плавятся при более низких температурах (175-180 оС). Свойства ПУР в основном близки к свойствам полиамидов, но они обладают большой влагостойкостью, устойчивы к окислению и действию кислот. Полиуретаны применяют в качестве эмалей для проводов, на их основе создают лаки, компаунды, пленки, антикоррозионные покрытия, волок¬на и др. Полиуретаны особо выгодно применять для деталей радиоап¬паратуры, длительно работающей в интервале -60 +100 оС или в условиях тропического климата.




2.3. Термостойкие ненаполненные пластмассы

Политетрафторэтилен (ПТФЭ) [-CF2-CF2-]n - линейный термопластический полимер белого цвета, который получают полимеризацией газа тетрафторэтилена в присутствии инициаторов. ПТФЭ является полимером со степенью кристалличности около 90 %; аморфная фаза находится в высокоэластическом состоянии, что придает ему относительную мягкость. Кристаллическая структура его нарушается при нагреве около 327 оС - полимер становится прозрачным и переходит в высоко¬эластическое состояние. Высокоэластическое состояние сохраняется без перехода в вязкотекучее вплоть до температуры около 415 оС, при которой наблюдается интенсивное разложение полимера (деструкция) с интенсивным выделением газообразных продуктов.
ПТФЭ является наиболее химически стойким полимером из всех известных. При температуре до 260 оС он не растворяется ни в одном растворителе, на него не действуют щелочи и кислоты, сильные окислители и другие агрессивные вещества; по химической стойкости превосходит золото и платину.
Политетрафторэтилен негорюч, он способен загораться только в чистом кислороде, при этом теплота сгорания его в 10 раз меньше чем, например, полиэтилена. Он горит только в открытом пламени, но после его удаления горение прекращается. При нагреве в вакууме не выделяет газообразных продуктов (до 250 оС).
Политетрафторэтилен не смачивается водой при кратковременном погружении, но смачивается при пребывании в дистиллированной воде в течение 15-20 суток; стоек к воздействию тропического климата и не подвержен действию грибковой плесени. Он не выдерживает лишь воздействие расплавленных щелочных металлов, а также трехфтористого хлора, газообразного фтора при 150 оС и набухает в перфторированных керосинах при 300 оС.
Высокая химическая стойкость и нагревостойкость политетрафторэтилена по сравнению с углеводородами обусловлены тем, что атомы фтора создают сильное поле, экранирующие углеродную главную цепь макромолекулы от внешнего воздействия. Сама оболочка из атомов фтора также проявляет инертность по отношению к воздействиям различных сред вследствие высокой энергии ковалентной связи C-F.
К недостаткам ПТФЭ относятся ползучесть и адгезионная инертность. Ползучесть проявляется под действием небольших механических нагрузок уже при 20 оС. Для снижения ползучести в полимер вводят наполнители: стекловолокно, дисульфид молибдена и другие. Адгезионная прочность определяет низкую склеивающую способность ПТФЭ к другим материалам, поэтому перед склеиванием его поверхность подвергают особой обработке, например химическим травлением в расплаве окис¬лителей при Т = 370 оС или обработкой тлеющего разряда в кислороде.
Основные физико-механические свойства политетра-фторэтилена приведены в табл. 2.4.
ПТФЭ имеет самые низкие диэлектрические потери и низкую диэлектрическую проницаемость из всех существующих неполярных полимеров. Причем диэлектрические параметры практически не меняются в диапазоне частот от 50 Гц до 1010 Гц и при повышении температуры до 200 оС. Он применяется в качестве высокочастотного изоляционного и конструкционного материала повышенной надежности, эксплуатируемого в жестких условиях, в медицинской аппаратуре, химически стойкого покрытия металлических емкостей, труб, деталей, работающих в контакте с агрессивными средами.



Таблица 2.4

Диэлектрические и физико-механические свойства
термостойких полимеров

Показатели ПТФЭ ПТФХЭ ПИ Поли-сульфон
1 2 3 4 5
Прочность, МПа:
при растяжении 14-35 30-40 160-180 170
при статическом
изгибе 11-14 60-80 - 108
Модуль упругости
при изгибе, МПа 470-850 1160-1450 - -
Относительное удлинение, % 250-500 20-40 65 50-100
Ударная вязкость, кДж/м2 10-100 20-160 3,8-6,0 не раз-рушается
объемное v Ом м; 1015-1018 1,2 1016 1015-1016 1014
поверхностное s Ом 1015 - - -
tg (при 106) Гц 2 10-4 10-5 6 10-4-1,6 10-3 3 10-3
(при 106) Гц; 1,9-2,2 2,5-2,7 3,5 3,1
Теплостойкость по Мартенсу Тпл,oС 327 210-215 - -
Водопоглощение за 24 ч., % 0,00 0,00 1,5 0,2
Длительная рабочая температура, oС -269 +260 -195
+190 220 155

Пленки из ПТФЭ, армированные стеклотканью и неармированные, применяются для изготовления гибких печатных схем, соединительных гибких шлейфов, полосковых линий с малым волновым сопротивлением, прокладок для конденсаторов. Армированные стеклотканью пластики находят применение для изготовления печатных плат в СВЧ диапазоне. Ненаполненный политетрафторэтилен является лучшей изоляцией высокочастотных коаксиальных кабелей ответственного назначения, отличным изолятором для СВЧ разъемов. Наполненный графитом полимер применятся для изготовления подшипников скольжения, втулок.
Политетрафторэтилен не охрупчивается, т.е. сохраняет пластические свойства, вплоть до температуры жидкого гелия, поэтому он является незаменимым изолятором и конструкционным материалом в криоэлектронике.
Детали из ПТФЭ изготовляют путем прессования с последующим спеканием. В связи с выделением вредных газов при термообработке выше 250 оС помещение и установки необходимо оборудовать приточно-вытяжной вентиляцией с фильтрами.
Политетрафторэтилен выпускают под названием фторопласт-4 (фторолон-4). Существует несколько разновидностей фторопласта-4 (фторопласт-4Д; фторопласт-40 и другие), которые отличаются формой и размерами частиц, молекулярной массой, методами переработки в из¬делие. Но основные физико-механические свойства их мало различаются.
Политрифторхлорэтилен (фторопласт-3) - линейный термопластич¬ный полимер белого цвета со структурной формулой макромолекулы [-CF2-CFCl-]n. Политрифторхлорэтилен (ПТФХЭ), медленно охлажденный после формования, имеет степень кристалличности 80-85 %, а зака¬ленный - 12-40 %. Введение атома хлора нарушает симметрию боковых групп звеньев макромолекулы, поэтому фторопласт-3 является полярным материалом. Диэлектрические свойства его снижаются по сравнению с ПТФЭ, но механические повышаются - увеличивается прочность, ударная вязкость, снижается относительное удлинение примерно в 10 раз, отсутствуют хладотекучесть (табл. 2.4).
Фторопласт-3 не горюч, атмосферно стоек, химически инертен, имеет низкую газо- и влагопроницаемость. Он стоек к действию растворов щелочей, сильных окислителей, кислот, газообразных фтора и хлора. При комнатной температуре ПТФХЭ не растворяется в органических растворителях, но набухает в тетрахлорэтилене, в эфире, ксилоне; растворяется в некоторых растворителях при температуре выше их температуры кипения, разрушается под действием распыленных щелочных металлов.
Диапазон рабочих температур ПТФХЭ составляет -195 +190 оС. При нагреве выше 260 оС снижается молекулярная масса, что приводит к ухудшению физико-механических свойств полимера. При нагреве выше 300-350 оС процесс деструкции резко возрастает с выделением токсичных газообразных продуктов. Поэтому изделия из фторопласта-3 перерабатывают в помещениях с хорошей приточно-вытяжной вентиляцией.
Немодифицированный и модифицированный ПТФХЭ применяется как изоляционный и конструкционный материал, работающий при больших механических нагрузках, чем ПТФЭ, в области низких частот.
Полиимиды (ПН) - это полимеры, содержащие в основной цепи макромолекулы циклическую имидную группу.



В зависимости от химического строения примыкающих к имидной группе радикалов ПИ могут быть ароматические, алифатические и амициклическими, а по структуре цепи - линейными и трехмерными т.е. с поперечными связями. Наибольшее практическое применение нашли ароматические линейные полимеры, благодаря их высоким физико-механическим свойствам в широком интервале температур. Строение этих полимеров представляется общей формулой



где Q и R - различные ароматические группировки: Q - диангидридный фрагмент макромолекулы, R - диамидный фрагмент макромолекулы.
Все синтезированные полиимиды разделяются на четыре группы, различающихся по химическому строению групп Q и R и по физическим свойствам, и в первую очередь по способности размягчаться и плавиться.
Группа А-ПИ, состоящая только из ароматических групп и имидных циклов. Это жесткие, хрупкие и неразмягчающиеся полиимиды.
Группа Б-ПИ, имеющая шарниры в диангидридном фрагменте Q. Это также хрупкие и неразмягчающиеся полимеры, обладающие небольшой эластичностью.
Группа В-ПИ, содержащая шарнирные атомы и группы в диаминном фрагменте R. Эти полимеры образуют жесткие, прочные и эластичные пленки. У них отсутствует четко выраженный стабильный температурный интервал плавления.
Группа Г-ПИ, содержащая шарнирные атомы и группы одновременно в диангидридном (Q) и диаминном (R) фрагментах полимерной цепи. Они эластичны при комнатной температуре, имеют четкую температуру размягчения, обладают наименьшей плотностью. Многие из них способны к кристаллизации, имеют четкие температуры размягчения и плавления кристаллической фазы.
Наибольшее распространение получили полиимиды группы В (полипирометиллитимиды), где в качестве диаминного фрагмента R присутствуют ароматические группировки и атомы кислорода и серы, являющиеся шарнирами. Это улучшает прочностные и адгезионные свойства ПИ без снижения термической стабильности.
Полиимиды относятся к наиболее термостойким органическим полимерам. Химическая деструкция наступает лишь при температурах выше 400 оС. Основными продуктами деструкции являются СО и СО2. Пленка, полученная из ПИ, не плавится и не разрушается до 800 оС. При 500 оС полиимидная пленка вдвое прочнее, чем пленка из полиэтилена при 20 оС, сохраняет полную эластичность после нагрева при 300 оС в течение 25-30 суток. Эмалированные провода с полиимидной изоляцией после нагрева при 300 оС через 10 суток могут изгибаться без растрескивания. Наряду с высокой нагревостойкостью ПИ обладают исключительной холодостойкостью - при охлаждении до 269 оС механические свойства их практически не меняются.
Полиимид является слабополярным материалом, так как r = 3,5, а tg = 610-4 - 1,610-3. Электрическая прочность и удельное сопротивление пленок высоки - при температуре 250 оС Епр составляет около 115 МВ/м, удельное сопротивление v равно 1011 Омм. Основные диэлектрические и физико-механические свойства ПИ приведены в табл. 2.4.
ПИ характеризуются хорошей стойкостью к органическим растворителям, маслам и разбавленным кислотам, плеснестойки, но не стойки к щелочам и перегретому пару, под действием которого они гидролизуются. В концентрированных кислотах (азотная и серная) полиимиды растворяются. Вода в обычных условиях на ПИ мало действует, даже при кипячении в воде полиимидная пленка сохраняет свою гиб¬кость.
Полиимиды чрезвычайно устойчивы к действию излучений высокой энергии. В условиях, когда большинство полимеров полностью разрушается, в ПИ происходят едва заметные изменения. Так доза -лучей в 1000 Мрад почти не снижает прочность ПИ и незначительно снижает эластичность. При этом облучение найлона такой же дозой практически приводит его к непригодности, а волокна из полиэтилентерефталата становятся непригодными после облучения в 500 Мрад. Кремнеорганические полимеры снижают механические свойства на 13 % после облучения дозой 1050 Мрад. Электрические характеристики ПИ менее чувствительны к радиации, чем механические.
Полиимид стабилен при нагреве в вакууме, поэтому его можно использовать как подложки гибких тонкопленочных коммутационных плат. Способность к травлению концентрированными щелочами позволяет получать малые отверстия диаметром 70-100 мкм - это используется для изготовления переходных отверстий в многослойных печатных платах на основе пленок ПИ. Для нанесения тонкопленочных проводников вакуумным напылением поверхность пленок ПИ активируют травлением концентрированной щелочи NaOH. Возможна активация поверхности ПИ в электронной плазме.
Полиимид применяется в качестве изоляционного и конструкторского материала, работающего при высоких температурах, стойкого против различных излучений и агрессивных сред. На основе ПИ выпускаются пленки, применяемые при изготовлении плоских кабелей, гибких печатных схем, многослойных печатных плат. Для изготовления установочных деталей, работающих при повышенных температурах, применяют ненаполненный и стеклонаполненный ПИ (полиалканимид АИ-1Г, АИ-ЭК-1), обладающий помимо высокой нагревостойкости повышенной прочностью и износостойкостью. Пластики на основе полиимидной связки с углеродным наполнителем имеют разрушающее напряжение при растяжении около 400 МПа.
На основе ПИ изготовляют лаки для изоляции обмоточных проводов (марка ПЭТ-имид), выдерживающих высокие температуры в течение нескольких лет.
Кроме полиимидов с линейными макромолекулами получены ПИ с пространственной структурой (термореактивные ПИ), на основе которых получены пресс-материалы с различными наполнителями. Такие пресс-материалы применяют для изготовления установочных деталей, работающих до температуры 250 оС.
Полисульфон – это слабополярный простой ароматический полимер, структурная схема макромолекулы которого имеет вид



Звенья макромолекулы -SO2- повышают стойкость полимера к нагреву, а звенья -О- и -С(СН3)2- уменьшают жесткость. Полисульфон имеет повышенную стойкость к окислению и нагревостойкость; стоек к действию кислот, щелочей и обладает маслостойкостью при повышенных температурах.
Основные свойства полисульфона приведены в табл. 2.4. Механические свойства стабильны в интервале -100 +150 оС. Электрические характеристики существенно не меняются до 170 оС.
Полисульфон применяется в виде пленок и для изготовления деталей (контактодержатели, основания печатных плат, цоколи), подвергающиеся воздействию повышенных механических и тепловых нагрузок.
Фенилон - это ароматический полиамид, который содержит фенильные радикалы, соединенные группами -NH-CO-. Фенилон представляет собой аморфный полимер, который при нагревании при 340-360 оС быстро кристаллизуется. Для него характерна высокая температура стеклования (Тст до 430 оС) и высокая температура химической и радиационной стойкости; растворим лишь в концентрированной серной, хлорсульфоновой кислоте. По сравнению с капроном обладает более высокой изностойкостью и сопротивлением усталости.
Благодаря высоким прочностным свойствам, нагрево-износо- и химостойкости, фенилон применяется для изготовления деталей, работающих при высоких температурах. Кроме того, он рекомендуется при изготовлении тонкостенных деталей с высокой точностью размеров.

2.4. Ударопрочные полимеры

Многие детали несущих конструкций радиоэлектронных средств, например носимой, возимой подвергаются действию динамических нагрузок. Поэтому конструкционные полимерные материалы наряду с высокой теплостойкостью, статической прочностью, жесткостью, технологичностью при переработке в изделие и низкой стоимостью должны обладать высокой стойкостью к ударным нагрузкам и усталостной прочностью. Большинство ненаполненных полимеров обладают низкой сопротивляемостью к динамическим нагрузкам, которая характеризуется ударной вязкостью. Повышенная ударная прочность достигается структурным модифицированием широко распространенных полимеров.
Большинство однофазных (аморфных) и двухфазных (аморфнокристаллических) полимеров с низкой степенью кристалличности, эксплуатируемых в стеклообразном состоянии (полистирол, поливинилхлорид и другие), обладает низкой или нестабильной устойчивостью к ударным нагрузкам. Для повышения ударной прочности полимеров без снижения других характеристик в них добавляют определенное количество эластичных полимеров, образующих эластическую дисперсную фазу в жесткой стеклообразной матрице линейного полимера. Такие полимеры с гетерофазной структурой получили название ударопрочных эластифицированных термопластичных полимеров. Оптимальный эластифицирующий эффект, т.е. максимальное увеличение ударной прочности без резкого снижения жесткости, статической прочности и теплостойкости, достигается при оптимальной структуре гетерофазного полимера - формы и размера частиц эластичной фазы, их объемной доли и характера распределения в жесткой матрице основного полимера, максимальной прочности частиц эластичной фазы и прочности их сцепления с матрицей. Все эти факторы определяются выбором типов эластифицирующих компонентов и условием их сочетания с основным полимером.
Ударопрочный полистирол. Полистирол является одним из самых дешевых и доступных полимеров, обладающих высокими технологическими свойствами при формообразовании из него изделий методом литья под давлением, высокими диэлектрическими параметрами (неполярный диэлектрик). Это аморфный полимер с нулевой степенью кристалличности с температурой стеклования Тст 90-110 оС, поэтому полистирол обладает наиболее низкой среди конструкционных термопластичных материалов ударной прочностью - стандартная ударная вязкость его не превышает 20 кДж/м2 при испытаниях образца без надреза и 2,5 кДж/м2 при испытаниях образца с надрезом. Это ограничивает применение его в изделиях, подвергаемых динамическим нагрузкам.
Ударопрочный полистирол получают методом полимеризации стирола с бутадиеновым или бутадиен-стирольным каучуком.
Известны несколько марок ударопрочных полистиролов, отличающихся количеством эластифицирующих элементов и различных добавок (марки УПС, УПМ, УПК).
В табл. 2.5 приведены некоторые физико-механические свойства ударопрочного полистирола марок УПС-825 ТГ и УПМ-1003. Дополнительные данные о различных свойствах ударопрочных ПС различных марок можно узнать в /4/.

Таблица 2.5

Основные свойства ударопрочных полимеров

Показатели Ударопрочный ПС (УПС-825 ТГ, УПМ-1003) АВС-пластик (АВС-1106ЭАО, АВС-1002Т) ПК модифицированный (ПК-М-1)
1 2 3 4
Модуль упругости
при изгибе, Мпа 2000-2500 - -
Прочность, Мпа:
при растяжении 20-25 25-40 60-70
при изгибе 35-60 - 70-80
Относительное удлинение, % 15-35 20 20-60
Ударная вязкость, кДж/м2:
исходная, 30-60 70 101-135
с надрезом 6-9 8-9 20-56
v, Ом м; 1014 1014 1015
s, Ом 1013 1012 1016
при 106 Гц; 2,6-2,7 2,9 2,7-3,5
tg при 106 Гц 0,0003-0,0007 0,008 0,007-0,009

Продолжение табл.2.5

1 2 3 4
Епр, МВ/м 25 - 19
Теплостойкость по Мартенсу, oС 75-80 76-95 120-130
Водопоглощение за 24 ч.,при 20 оС, % 0,25 0,2 0,2
Интервал рабочих температур, oС -30+65 -60+90 -100+140

В ударопрочном полистироле по сравнению с блочным ПС снижается жесткость (модуль упругости при изгибе уменьшается с 2700 Мпа до 2100 МПа) и прочность (прочность на растяжение с 35 МПа до 25 МПа), однако увеличивается ударная вязкость исходная с 20 кДж/м2 до 60 кДж/м2 и ударная вязкость с надрезом с 2 кДж/м2 до 8 кДж/м2. При этом увеличивается относительное удлинение до 15-35 %.
С введением каучука снижается стойкость к окислению и УФ-излучению, но обычно ударопрочный полистирол стабилизируют введением антиоксидантов фенольного типа, двуокиси титана.
Ударопрочный ПС применяется для изготовления различных деталей высокочастотного оборудования, корпусов приемников, телевизоров, телефонов и других изделий радиоэлектронных средств.
АБС - пластики (акрилонитрилобутадиенстирольные пластмассы) - группа конструкционных полимерных материалов, аналогичных по строению ударопрочному ПС. Повышение ударной прочности достигается эластифицированием бутадиеновым или бутадиен-стирольным каучуком. Он содержит 5-25 % бутадиенового или бутадиен-стирольного каучука, 15-20 % акрилонитрила и стирола. Некоторые диэлектрические и физико-механические свойства АВС приведены в табл. 2.5.
АБС-пластики - непрозрачные, обычно темноокрашенные пластмассы, обладающие высокой ударной вязкостью, прочностью, удовлетворительными диэлектрическими параметрами (, tg выше, чем в ударопрочном ПС), антистатическими свойствами и тропикостойкостью (в марках полимера ставится буква Т).
Применяются для изготовления деталей радиотехнического назначения, корпусов телевизоров, телефонов и других радиоэлектронных средств.
Поликарбонат модифицированный. Гетероцепные термопластические полимеры с низкой степенью кристалличности, к которым относится поликарбонат, и в условиях эксплуатации обладают большей ударной вязкостью, чем карбоцепные (см. табл. 2.3). Но с понижением температуры и при наличии концентраторов напряжения ударная вязкость их падает. Для повышения ударной вязкости с надрезом при сохранении жесткости, теплостойкости и статической прочности поликарбонат модифицируют различными добавками (фторопласт-42, двуокись титана, привитый сополимер АБС). Основные физико-механические свойства модифицированного ПК приведены в табл. 2.5.
Модифицированный ПК применяется для изготовления деталей РЭС сложной конфигурации, работающих при повышенных динамических нагрузках.

2.5. Композиционные, наполненные пластмассы

Композиционные, наполненные пластмассы представляют собой сложные композиции, состоящие из связующего вещества и наполнителя.
При производстве пластмасс в качестве связующих компонентов широко применяют фенолоформальдегидные, эпоксидные, кремнеорганические смолы, непредельные полиэфиры и их различные модификации, а также термопластичные полимеры (поликарбонат, полиамид, полиимид и другие). В качестве наполнителей используют разнообразные органические и неорганические материалы: целлюлоза, кварц, тальк, слюда, асбест, стекловолокна на основе бесщелочного алюмоборосиликатного стекла, углеродные волокна.
Особую группу наполненных материалов представляют пластмассы с листовым наполнителем, где в качестве наполнителя используются бумага, стеклоткань, ткань на основе капрона, лавсана.
Наполнители придают пластмассам высокую устойчивость к длительному нагружению, повышают статическую прочность и прочность к циклическим нагрузкам, стойкость к растрескиванию, жесткость и теплостойкость.

2.5.1. Смолы

Фенолоформальдегидные смолы (ФФС) - олигомерные продукты по¬ликонденсации фенола (C6H5OH) с формальдегидом (СН2О). В зависимости от соотношения фенола и формальдегида и условий поликонденсации образуются новолачные (термопластичные) или резольные (термореактивные) смолы.
Смолы новолачного типа получают поликонденсацией фенола (обычно 7:6) в присутствии кислот катализаторов. Они имеют линейную структуру. Новолачные олигомеры являются твердыми, хрупкими, прозрачными полимерами, которые растворяются в органических растворителях, плавятся при температуре 100-120 оС и не меняют своих свойств при длительном хранении и при повторных нагревах. Новолачная смола переходит в неплавкое и нерастворимое состояние (термореактивное) лишь при нагреве в присутствии отверждающих агентов, например, уротропина. Процесс отверждения при этом идет очень быстро, поэтому новолаки применяют в том случае, когда при переработке в изделия требуется высокая скорость отверждения. Феноформальдегидная смола новолачного типа без наполнителей, отвержденная при добавлении гексаметилентетрамина (уротропина), получила название карболита.



Смола резольного типа, которую называют бакелитом, получается поликонденсацией фенола с избытком формальдегида в присутствии щелочных катализаторов (едкий натр, едкий калий).
Резольные смолы в отличии от новолаков характеризуются пространственной структурой, в которой присутствуют свободные гидроксильные группы (-ОН) и метинольные группы (-СН2ОН). Резолы имеют следующее схематическое изображение:



Резольные смолы отверждают путем нагревания. Процесс отверждения проходит три стадии: А, В и С. Стадия А соответствует резолу, который при нагревании плавится и пребывает в вязкотекучем состоянии, растворим в органических растворителях. На стадии В (резитол) смола переходит из вязкотекучего состояния в высокоэластическое; в этом состоянии смола не плавится, а размягчается и под действием растворителей лишь набухает. Стадия С соответствует резиту, который представляет собой твердое вещество, неплавкое и нерастворимое. Следовательно, резит является типичным термореактивным полимером. Резит в чистом виде без наполнителей обладает высокой механической прочностью, стоек к действию большинства кислот, за исключением концентрированной серной кислоты H2SO4, бензину, маслам, но обладает высокой хрупкостью. При воздействии водных растворов щелочей или кипящих фенолов резиты медленно растворяются с разложением. Разложение резитов начинается при нагреве при 300 оС, оно сопровождается выделением фенола, бензола и других веществ; при больших температурах происходит обугливание.
Резольные смолы применяются для изготовления пластиков, пресспорошков, литых пластмасс, лаков, клеев.
Фенолоформальдегидные смолы, благодаря наличию в их молекулах гидроксильных групп -ОН, полярны, поэтому диэлектрические свойства их невысокие. Они обладают высокой механической прочностью, но низкой эластичностью. Диэлектрические и физико-механические свойства фенолоформальдегидной смолы приведены в табл. 2.6.
Для направленного изменения свойств ФФС используют метод модификации, который заключается в частичной или полной замене фенола амином, мочевиной, меланином.
При замене фенола амином С6Н5NH2 получают анилиноформальде¬гидные смолы. Их полярные свойства выражены слабее, так как группа NH2 менее полярна, чем группа -ОН; это способствует уменьшению гигроскопичности наполненных пластмасс.
Мочевиноформальдегидная смола является продуктом поликонденсации мочевины (CO(NH2)2 и формальдегида.
Меламиноформальдегидная смола получается в результате реакции поликонденсации меланина (C3H6N6) и формальдегида.
Таблица 2.6

Свойства смол без наполнителей

Показатели ФФС ЭП на основе ЭД-20 ПОС
1 2 3 4
Прочность, МПа:
при растяжении 50-60 80-90 20-45
при изгибе 84-120 90 -
Относительное удлинение, % 1,0-1,5 - -
Ударная вязкость, кДж/м2: 1,5-3,0 8-12 -
Ом м; 109- 1010 1012 1012-1014
при 10 Гц; 4,5-5,0 3,6-3,8 2,6-3,5
tg при 10 Гц 0,015-0,03 0,014-0,013 0,007-0,001
Епр, МВ/м 12-16 16-18 15-25
Дугостойкость плохая - -
Теплостойкость по Мартенсу, oС - 105-113 -
Водопоглощение за 24 ч, при 20 оС, % 0,1-0,2 0,25 0,1
Нагревостойкость 105-120 120-140 180-220

Эпоксидные смолы (ЭП) - это олигомеры или мономеры, содержащие в молекуле эпоксидные группы, обладающие высокой активностью и способные превращаться в полимеры пространственного строения. Эпоксидные смолы являются продуктами поликонденсации многоатомных фенолов и других соединений, в которых имеется эпоксидная группа. Наиболее распространена смола, получаемая при конденсации эпихлоргидрина глицерина (содержит эпоксидную группу) с дифе-нилолпропаном (диамином), называемая обычно диановой. Структурная формула диановой смолы имеет следующий вид



Эпоксидные смолы сами по себе не затвердевают и не обладают технически необходимыми свойствами. ЭП представляют собой вязкие жидкости, которые растворяются во многих органических растворителях (ацетон, толуол, хлорированные углеводороды и др.), не растворимы в воде, бензине, ограниченно растворимы в спиртах. Благодаря высокой реакционной способности эпоксидных групп ЭП сильно взаимодействуют с некоторыми веществами (отвердителями), в результате чего получается твердой полимер с пространственной молекулярной структурой.
Отверждение производится при комнатной или повышенной (90-140 оС) температурах. При этом получается полимер без пузырей, с малой усадкой, процесс отверждения не требует применения давления.
Для холодного отверждения эпоксидных смол применяют алифатические полимеры в определенном количестве (5-15 %) от массы эпоксидного олигомера. Процесс отверждения длится в течение 24 часов.
Для горячего отверждения используются ароматические диамины, ангидриды карбоновых кислот и некоторые другие. Процесс отверждения происходит при температуре не ниже 100 оС в течение 4-16 ч. На свойства ЭП оказывают влияние тип отвердителя и соответствующие условия отверждения.
Некоторые физико-механические свойства ЭП приведены в табл. 2.6. Эпоксидные смолы имеют более высокие диэлектрические параметры по сравнению с фенолоформаль-дегидными смолами. Достоинством эпоксидов являются малая усадка, высокая смачивающая способность и адгезия к различным материалам, влагостойкость, механическая прочность, химическая стойкость и совместимость с другими видами смол. Широкое применение нашли модифицированные ЭП, получаемые путем химического взаимодействия эпоксидной смолы с кремнеорганической, фенолоформальдегидной и другими смолами.
Эпоксидные смолы как связующее вещество используют при изготовлении листовых слоистых пластмасс, пресс-материалов. Эпоксидные компаунды, обладающие малой усадкой при затвердевании, применяются для пропитки и заливки отдельных узлов радиоаппаратуры, для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кроме того, отвержденные некоторые эпоксидные смолы оптически прозрачны в видимой и ближней инфракрасной областях спектра, благодаря этим свойствам они используются в оптоэлектронных приборах (фотоприемниках, светодиодах).
Кремнеорганические смолы (КО) относятся к промежуточным, переходным материалам от органических к неорганическим. Молекулы кремнеорганических смол с неорганическими главными цепями могут состоять из атомов Si и O (полиорганосилоксаны), атомов Si и N (полиорга-носилазаны), Si и S (полиорганосилтианы). Возможно и другое химическое строение главной цепи макромолекулы КО.
В полиорганосилоксаных в качестве боковых групп могут быть органические радикалы, например, метил (-СН3), этил(-С2Н5), фенил(-С6Н5). В соответствии с этим КО называют
полиметилсилоксанами, полиэтилсилоксанами и полифенилсилоксанами. Полиорганосилоксаны (ПОС) могут быть как термопластичными и иметь линейное строение, так (рис.2. 4 а) и термореактивными, т.е. образовывать пространственную структуру (рис. 2. 4 б).



Рис. 2.4.

Линейные ПОС с невысокой молекулярной массой М - вязкие бесцветные жидкости, с большой М - эластомеры. ПОС с пространственной структурой - твердые хрупкие стеклообразные вещества.
Силоксановая связь Si-O более прочна, чем связь С-С, что и определяет более высокую нагревостойкость и эластичность кремнеорганических полимеров по сравнению с большинством органических полимеров. Так, ПОС сохраняют эластичные свойства при 180 оС в течение 2000 ч, а при 220 оС - 150 ч. Жидкие полиметилсилоксаны, несмотря на то, что они имеют температуру плавления около 95 оС, нелетучи при высоких температурах и не перегоняются в вакууме. Некоторые ПОС, например полифенилсилоксан с наполнителем (алюминиевой пудрой), образуют пленки, стойкие в диапазоне температур от -60 оС до +550 оС.
Полиорганосилоксаны имеют высокую атмосферостойкость, светостойкость, озоно- и дугостойкость, стойкость к действию влаги, ультрафиолетового облучения, частиц высоких энергий и проникающей радиации.
Диэлектрические свойства ПОС выше, чем у эпоксидных и фенолоформальдегидных смол. Они мало изменяются при высокой относительной влажности, нагреве до 190-200 оС, а также при высоких частотах. Но по сравнению с ними полиорганосилоксаны имеют более низкие механические свойства, худшую адгезию к другим материалам, плохую стойкость к органическим растворителям и меньшую маслостойкость.
Полиорганосилоксаны выпускают в виде жидкостей, лаков, эластомеров и твердых продуктов.
Кремнеорганические смолы используют для приготовления композиционных материалов, на основе которых изготавливают радиотехнические детали, длительно работающие при высоких температурах (300-350 оС) и в условиях повышенной влажности, в условиях тропиков и стойкие против излучений. Компаунды на основе кремнеорганических смол с различными добавками применяются для герметизации узлов радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Малая гигроскопичность и практическая несмачи-ваемость водой кремнеорганических соединений позволяет применять их для защиты пластмасс, керамики от действия влаги, делая их водоотталкивающими.

2.5.2. Наполнители

Наполнители улучшают прочностные свойства пластмасс, уменьшают усадку при формообразовании из них деталей, повышают стойкость к действию различных сред и эксплуатационные свойства материала. Все наполнители подразделяются на не¬органические (стекло, кварц, тальк, слюда) и органические, а каждая из этих групп на порошкообразные и волокнистые. Рассмотрим некоторые из них.
Стекловолокна изготавливают на основе бесщелочных алюмоборосиликатных стекол следующего состава: 53SiO2, 15Al2O3, 10Ba2O3, 17CaO, 4MgO, не более 0,4Na2O. Волокна изготавливаются диаметром 5-10 мкм; прочность таких волокон на разрыв составляет 2500-3000 МПа. Волокна имеют высокое значение удельного сопротивления ( 1015 Омм) и хорошие диэлектрические показатели ( = 4-5, tg = 0,001).
Как наполнители их применяют в виде измельченных стекловолокон, коротких нитей, длинных стеклянных нитей, отрезков стеклянных жгутов и стеклянных тканей. Применение стекловолокон в качестве наполнителей в различном виде повышают статическую и ударную прочность композиционных пластмасс, теплостойкость. Для высоконагревостойких пресс-материалов на основе кремнеорганических смол используют в качестве наполнителей стекловолокна на основе кварцевого стекла. Такие пресс-материалы кратковременно выдерживают температуру 600 оС.
Изделия из стеклянного волокна плохо работают при многократном изгибе и истирании; в композиции со смолами стойкость к изгибу и истиранию повышается. При нагревании до 250-300 оС волокон из алюмоборосиликатных стекол, особенно стеклянной ткани, прочность почти не меняется; значительное снижение наблюдается выше 300 оС. Прочность кварцевых волокон при этой температуре практически не меняется.
Волокна и стеклоткани из алюмоборосиликатного стекла достаточно стойки к действию горячей воды и пару - по гидролитической классификации алюмоборосиликатное стекло относится к "стеклам, не изменяемым водой".
Стеклянные волокна и ткани из бесщелочного стекла нестойки к действию кислот - под действием кислот происходит растворение его компонентов и остается кремнеземистый каркас. Высокой стойкостью к действию различных кислот, за исключением плавиковой, обладают волокна из кварцевого стекла.
Кварц - минерал, двуокись кремния SiO2. В композиционных пластмассах применяется молотый кварц (мелкодисперсный). Композиционные пластмассы с наполнителями из молотого кварца помимо высокой прочности имеют повышенные диэлектрические параметры.
Слюда представляет собой группу минералов, отличающихся ярко выраженной слоистой структурой и высокой анизотропией свойств. В радиотехнических изделиях в основном применяются два вида слюды: мусковит, химический состав которого соответствует приближенной формуле K2O3Al2O36SiO22H2O, и флогопит, имеющий химическую формулу K2OMgOAl2O3SiO22H2O. Кроме того в слюды могут входить соединения железа, кальция, натрия и другие.
Мусковит представляет собой бесцветные пластинки изредка с розоватым или зеленоватым оттенком, температура плавления его 1230 оС. Флогопиты окрашены в более темные тона от янтарного до коричневого и черного; температура плавления их 1270 оС. По электрическим и механическим свойствам мусковит лучше, чем флогопит (табл.2.7).

Таблица 2.7
Свойства слюды

Показатели Мусковит Флогопит
1 2 3
Разрушающее напряжение, МПа:
при растяжении параллельно (001), 200-300 160-250
перпендикулярно (001) 220-300 80-160
tg на частоте 106 Гц 0,0003 0,0036
на частоте 106 Гц 6-8 5-7

Продолжение табл.2.7

1 2 3
Епр, МВ/м 14 12
, Ом м 1012-1016 1011-1012

Приведенные в табл. 2.7 электрические параметры слюд относятся к случаю, когда электрическое поле перпендикулярно плоскости пластин. При направлении электрического поля вдоль плоскости пластин свойства значительно хуже.
Слюда сохраняет свои механические и электрические свойства при нагреве до нескольких сот градусов. При достижении определенной температуры из слюды начинает выделяться входящая в ее состав вода, что сказывается на снижении механических и электрических свойств, прозрачность слюды при этом ухудшается. Обезвоживание мусковитов происходит в основном в интервале температур 760-900 оС, флогопитов в интервале 1100-1200 оС. Флогопиты более нагревостойки, чем мусковиты.
Кроме слюды минерального происхождения существуют синтетические слюды - фторфлогопиты, в которых гидроксильные группы, присутствующие в природных флогопитах, заменены ионами фтора. Флогопиты обладают лучшими электрическими свойствами, чем природные, более высокой химической стойкостью, нагревостойкостью и радиационной стойкостью.
Слюда в измельченном виде (молотая слюда) используется в качестве наполнителя жаростойких пресс-материалов. Прессованная смесь из порошкообразной слюды и стекла (микалекс) применяется для производства деталей мощных радиопередатчиков, как дугостойкий материал в электрических установках. Мусковит наивысшего качества (образцовая конденсаторная слюда) используется для изготовления измерительных конденсаторов. Склеенные листовые материалы на основе пластинок слюды (миканиты, слюдиниты, слюдопласты) широко используются в качестве изоляционных и прокладочных материалов в электротехнической промышленности.
Асбест представляет собой минерал, обладающий волокнистым строением. В качестве наполнителей пластмасс в основном применяется один из разновидностей асбестов - хризолитовый. Он представляет собой водный силикат магния, соответствующий химической формуле 3MgO2SiO22H2O, с примесями Fe2O3, Al2O3 и др. Хризотиловый асбест при механическом воздействии легко расщепляется на тонкие волокна, длина которых колеблется от долей миллиметра до нескольких сантиметров. Асбест обладает малой теплопроводностью и электропроводностью, негорюч, огнестоек, плавиться начинает при температуре выше 1150 оС.
Асбест стоек против действия щелочей, но реагирует с кислотами. Он обладает заметной гигроскопичностью, которая уменьшается при пропитке смолами. В состав асбеста входит химически связанная вода, выделение которой начинается примерно при температуре 300-500 оС, при этом изменяется его кристаллическая структура. Механическая прочность асбестовых волокон достигает 30-40 МПа, но при длительном нагреве выше 380 оС прочность их падает. Волокнистый асбест совместно с другими наполнителями (слюдой, стекловолокнами) применяется для изготовления жаростойких и ударопрочных низкочастотных пресс-материалов, так как диэлектрические свойства его невысоки.
Тальк - минерал, представляющий собой водный силикат магния 3MgO4SiO2H2O. Это белый камень чешуйчатого строения, очень мягкий, хорошо размалывается в тонкий порошок. Температура плавления талька находится в пределах 1200-1600 оС. Применяется в качестве наполнителя в измельченном виде для изготовления пресс-материалов общего назначения и литьевых пресс-материалов (для изготовления деталей литьем под давлением).
Органические наполнители представляют собой природное вещество - целлюлозу (клетчатку). Целлюлоза является высокомолекулярным соединением, имеющим формулу (С6Н10О5)n, где n находится в пределах 1000-2000. Молекулы целлюлозы имеют линейную структуру, характеризующуюся волокнистым строением и наличием продольных капилля¬ров. Наличие большого количества гидроксильных групп в макромолекулах целлюлозы и пористости определяют высокую гигроскопичность, низкие диэлектрические свойства. С другой стороны волокнистость и капиллярность целлюлозы создает благоприятные условия для хорошей пропитываемости связующими веществами (смолами) и получению одно¬родной структуры пластмасс.
Целлюлозу изготавливают из древесины, в основном хвойных пород, она имеет длинные волокна (размером 1-4 мм), что обеспечивает высокие механические свойства материала. Древесная мука применяется в качестве наполнителей в пресс-материалах общего назначения и в ударопрочных пластмассах. В древесной муке кроме целлюлозы присутствуют и нецеллюлозные компоненты: минеральные соли, смолистые вещества, лингин – органическое вещество, которое характеризуется наличием фенольных групп в макромолекулах. Электроизоляционная бумага, изготовленная на основе сульфатной полубеленой целлюлозы, является листовым наполнителем в обыкновенных и фольгированных гетинаксах.

2.5.3. Пластмассы с порошковыми и волокнистыми
наполнителями

Пластмассы с порошковыми и волокнистыми наполнителями предназначены для переработки их в изделия прямым и литьевым прессованием, литьем под давлением. Поэтому эти пластмассы обычно называют пресс-материалами или реактопластами, так как при переработке в изделия смолы переходят в неплавкое и нерастворимое состояние, становятся термореактивными.
В зависимости от типа связующей смолы пресс-материалы подразделяются на следующие группы: фенопласты (на основе фенолоформальдегидной смолы), аминопласты (на основе мочевино- и меламиноформальдегидных смол), эпоксидные пресс-материалы, кремнеорганические и полиимидные пресс-материалы.
Большинство пресс-материалов перерабатываются в изделия методом прямого прессования и литьевого прессования. Для изготовления деталей методом литья под давлением в основном используются литьевые фенопласты, где в качестве связующего материала служит новолачная фенолоформальдегидная смола, которая в присутствии катализаторов (например уротропина) отверждается значительно быстрее, чем резольная.
Механические, электрические свойства, а также термостойкость и влагостойкость пресс-материалов определяются сочетанием типа связующей смолы и наполнителей. Большинство пресс-материалов обладают низкими диэлектрическими характеристиками ( = 4-10, tg = 0,1-0,02), поэтому они используются для изготовления различных низкочастотных деталей РЭС.
Исключение составляют некоторые кремнеорганические и полиимидные пресс-материалы, имеющие высокие диэлектрические показатели ( = 2,8-3,5, tg = 0,01-0,001). В качестве наполнителя в них служит измельченное бесщелочное алюмоборосиликатное стекло или минеральный наполнитель (молотая слюда и кварц). Комбинации компонентов и наполнителей позволяют получить большое количество пресс-материалов различного назначения.
Пресс-материалы на основе фенолоформальдегидной смолы подразделяются на фенопласты общего назначения, фенопласты электроизоляционные, фенопласты влагохи-мостойкие, фенопласты жаростойкие, фенопласты ударо-прочные.
Фенопласты электроизоляционные типа Э1-340-02, Э3-340-65 применяют для изготовления низкочастотных каркасов катушек индуктивностей, трансформаторов, дросселей, работающих при повышенных температурах во влажных условиях. В качестве наполнителей в них используются слюда молотая и кварцевая мука.
Фенопласты ударопрочные АГ-4В, АГ-4С, где в качестве наполнителей используются стекловолокна в виде пучков и отдельных нитей, применяются при изготовлении различных армированных и неармированных низкочастотных установочных деталей (каркасы катушек, трансформаторов, кронштейнов, корпусов), подвергающихся высоким ударным нагрузкам.
Эпоксидные пресс-материалы благодаря высокой нагревостойкости и удовлетворительным диэлектрическим свойствам применяются при герметизации элементов радиоэлектронной аппаратуры. Пресс-материал марок ЭКП-200, ЭКП-С используют при герметизации полупроводниковых приборов и интегральных микросхем; СП-30 - различных электронных узлов. В этих материалах наполнителем служит дисперсный минеральный наполнитель или измельченное бесщелочное стекловолокно.
Кремнеорганические пресс-материалы с минеральным наполнителем или на основе измельченного стекловолокна обладают повышенной нагревостойкостью (до 250-300 оС), водостойкостью и высокими диэлектрическими параметрами; не вызывают коррозии меди и ее сплавов, алюминия, серебра. Они применяются для изготовления различных установочных деталей радиотехнического назначения, работающих при повышенных температурах и высоких частотах. Недостаток этих мате¬риалов - более низкая механическая прочность по сравнению с другими пресс-материалами. Кремнепласт марки


Понравилось: 1 пользователю

Без заголовка

Понедельник, 25 Мая 2009 г. 22:02 + в цитатник
ГОУВПО «Воронежский государственный
технический университет»




А.В. Чернышов


РАДИОМАТЕРИАЛЫ

Часть 1

ОРГАНИЧЕСКИЕ И НЕОРГАНИЧЕСКИЕ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ






Утверждено Редакционно-издательским
советом университета в качестве учебного пособия







Воронеж 2007

УДК 621.396.66

Чернышов А.В. Радиоматериалы. Ч. 1: Органические и неорганические диэлектрические материалы: учеб. пособие/ А.В Чернышов. Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государ-ственный технический университет», 2007. 187 с.
В учебном пособии рассматриваются органические и не-органические диэлектрические материалы, применяемые при изготовлении различных элементов радиоэлектронных средств.
Издание соответствует требованиям Государственного образовательного стандарта высшего профессионального об-разования по направлению 210200 «Проектирование и техно-логия электронных средств», специальности 210201 «Проек-тирование и технология радиоэлектронных средств», дисцип-лине «Материаловедение и материалы РЭС».
Издание может быть использовано при самостоятельном изучении дисциплины «Материаловедение и материалы РЭС», при выполнении курсовых проектов конструкторского и технологического направления.

Табл. 27. Ил. 37. Библиогр.: 8 назв.

Научный редактор д.-р. физ.-мат. наук, проф. Ю.С .Балашов

Рецензенты:
доктор физ.-мат.наук, профессор В.Н.Санин

Кафедра физики и химии
Воронежского авиационного
инженерного училища
Зав.кафедрой, канд.физ.-мат.наук, доцент А.Ф.Сидоркин

 Чернышов А.В., 2007
 Оформление. ГОУВПО «Воронежский госу-дарственный технический университет», 2007.

ВВЕДЕНИЕ

Все материалы, применяемые при изготовлении радио-электронных средств, подразделяют на конструкционные и ра-диоматериалы.
Конструкционные материалы – это материалы, исполь-зуемые для изготовления элементов несущих конструкций, корпусов, деталей передающих механизмов.
Радиоматериалы – это материалы, применяемые при из-готовлении элементной базы радиоэлектронных средств (рези-сторов, конденсаторов, индуктивных элементов, трансформа-торов, полупроводниковых приборов, электронных ламп, ан-тенн, волноводов, устройств функциональной электроники и т.п.). Радиоматериалы характеризуются определенными свой-ствами по отношению к электрическим и магнитным полям и применяются с учетом этих свойств, которые определяют ра-боту электрической схемы радиоэлектронного устройства.
В зависимости от электрических и магнитных свойств все материалы подразделяют на четыре класса: диэлектрические материалы, проводники, полупроводники и магнитные мате-риалы.
В данном учебном пособии рассматриваются пассивные и активные диэлектрики, применяемые для изготовления раз-личных элементов радиоэлектронных средств. Учебное посо-бие состоит из 4-х глав. В 1-й главе приведены основные све-дения о физических процессах, протекающих в диэлектриче-ских материалах под действием электрических полей, и ос-новные параметры, которыми характеризуются диэлектрики. Во 2-й и последующих главах рассматриваются пассивные (ор-ганические и неорганические) материалы и активные диэлек-трики: сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты, материа-лы твердотельных лазеров и жидкие кристаллы. Изложение материала в учебном пособии базируется на знаниях, получен-ных студентами при изучении предшествующих дисциплин: «Физика», «Физико-химические основы микроэлектроники».

Принятые обозначения

ε – относительная диэлектрическая проницаемость
εо – диэлектрическая постоянная
Q – заряд, добротность
q – элементарный заряд
δ – угол диэлектрических потерь
С – емкость конденсатора
R – активное сопротивление
ρv – удельное объемное электрическое сопротивление
ρs – удельное поверхностное электрическое сопротивле-ние
γ – удельная проводимость
J – эффективное значение тока
Ра – диэлектрические потери (активная мощность)
Р – удельные потери
W – энергия
U – разность потенциалов, электрическое напряжение
Uпр – пробивное напряжение
Е – напряженность электрического поля, модуль упруго-сти
Епр – электрическая прочность
d – плотность, пьезомодуль
f – частота
ω – угловая частота
λ – длина волны
D – электрическая индукция
с – скорость электромагнитной волны
m – масса
F – сила
h - постоянная Планка, толщина
S – площадь
V – объем
Т – температура
t – время
К – коэффициент электромеханической связи
Vс – скорость распространения продольной ультразвуко-вой волны
Vt – скорость распространения поперечной (сдвиговой) ультразвуковой волны
Vs – скорость распространения поверхностной ультра-звуковой волны
d – коэффициент затухания ультразвуковой волны
dl – коэффициент термического линейного расширения
dr – температурный коэффициент скорости распростра-нения ультразвуковой волны
n – степень полимеризации, концентрация электронов
δв – предел прочности на растяжение (без индекса - на-пряжение)
а – ударная вязкость
G – модуль сдвига




1. ОБЩИЕ СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

1.1. Определение диэлектриков, их классификация

Диэлектриками называют материалы, основным электри-ческим свойствами которых является способность к поляриза-ции и в которых возможно существование электрического по-ля. Поляризация это – процесс смещения и упорядочения свя-занных зарядов под действием внешнего электрического поля. К диэлектрикам относятся материалы, у которых ширина за-прещенной зоны превышает 3 эВ.
К пассивным диэлектрическим материалам относятся ма-териалы, в которых диэлектрическая проницаемость не зависит от напряженности внешнего электрического поля. Эти диэлек-трики применяются в качестве электроизоляционных материа-лов и диэлектриков в конденсаторах. Электроизоляционные материалы не должны допускать утечки электрических заря-дов, т.е. с их помощью отделяют электрические цепи друг от друга или токоведущие части устройств РЭС от проводящих, но не токоведущих частей (корпусов, земли). В этом случае важную роль играет электрическая прочность материалов. При использовании материала в качестве диэлектрика конденсато-ров определенной емкости и наименьших размеров желательно иметь большую величину диэлектрической проницаемости.
Пассивные диэлектрики находят также широкое приме-нение для изготовления разных конструктивных элементов радиоэлектронных средств, таких как подложки гибридных интегральных схем, оснований печатных плат, каркасы кату-шек индуктивностей и трансформаторов, ручки и кнопки управления, корпуса приборов и др. К этим материалам кроме определенных электрических свойств, предъявляются требова-ния по механическим параметрам.
К пассивным диэлектрикам относятся различные элек-троизоляционные и конструкционные материалы: пластмассы, лаки, компаунды клеи, волокнистые материалы, стекла, кера-мика.
Активные диэлектрики – это диэлектрики, в которых на-блюдается заметная нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности внешнего электрического поля. Поэтому активными называют диэлектрики, свойствами которых можно управлять с помощью внешних энергетических воздействий. Активные диэлектрики позволяют осуществлять генерацию, усиление, модуляцию электрических и оптических сигналов, преобразование информации.
К числу активных диэлектриков относятся сегнето-, пье-зо- и пироэлектрики; электреты и материалы квантовой элек-троники, жидкие кристаллы и др.
Требования, предъявляемые к диэлектрическим материа-лам, зависят от технического назначения. Так главным требо-ванием, предъявляемым к пассивным материалам, является со-хранение стабильных свойств при внешних энергетических воздействиях. Требование к активному материалу противопо-ложное – чем сильнее изменяются его свойства при внешних энергетических воздействиях, тем лучше выполняет активный элемент функции управления энергией.
В зависимости от условий эксплуатации к диэлектриче-ским материалам предъявляются очень жесткие и разносто-ронние требования. Помимо выполнения основных функцио-нальных требований они должны быть легкими, механически прочными, технологичными при изготовлении из них деталей, не боятся вибраций и ударных нагрузок, чередование много-кратных температурных циклов не должны вызывать их порчи. Материалы, контактирующие с внешней средой не должны бо-яться плесени, должны быть химически стойкими. На функ-циональные параметры материалов не должны влиять, или влиять в малой степени, радиационные излучения. Кроме того, материалы, используемые в аппаратуре массового потребле-ния, должны быть дешевыми.
Основными параметрами и характеристиками диэлектри-ческих материалов являются диэлектрическая проницаемость ε, удельное сопротивление ρ, тангенс угла диэлектрических потерь tgδ, электрическая прочность Eпр.

1.2. Диэлектрическая проницаемость и виды поляризации диэлектриков

Для характеристики способности различных материалов поляризоваться в электрическом поле служит относительная диэлектрическая проницаемость ε. Эта величина представляет собой отношение заряда Q, полученного при некотором на-пряжении на конденсаторе, содержащим данный диэлектрик, к заряду Q0, который можно было бы получить, если бы между электродами находился вакуум


, (1.1)


где Qg – заряд, который обусловлен поляризацией диэлектрика.
Из выражения следует, что ε любого вещества больше еди-ницы и равно единице только в вакууме.
Относительную диэлектрическую проницаемость можно определить как отношение емкости конденсатора с диэлектри-ком Сq к емкости конденсатора в вакууме С0 ε = Сq/ С0.
При этом емкость конденсатора С определяется из выра-жения

С = εо. ε . S/h , (1.2)

где S – площадь электродов конденсатора; h – расстояние между электродами; εо – электрическая постоянная, равная 8,854 . 10-12ф/м.
Величина емкости конденсатора с диэлектриком и накоп-ленный в нем электрический заряд, а значит, и диэлектриче-ская проницаемость обусловливаются различными видами по-ляризации, которые в зависимости от структуры диэлектрика разделяются на два вида:
- поляризации, совершающиеся в диэлектрике под дейст-вием электрического поля мгновенно, без рассеивания энергии, т.е. без выделения тепла – это электронная и ионная поляриза-ции;
- поляризации, совершающиеся под действием электри-ческого поля не мгновенно, а нарастают и убывают замедленно и сопровождаются рассеиванием энергии – это дипольно-ре-лаксационная, ионно-релаксационная, электронно-релак-сационная, миграционная (структурная) и спонтанная поляри-зации.
Электронная поляризация представляет собой упругое смещение электронных оболочек атомов и ионов. Электронная поляризация наблюдается у всех видов диэлектриков на всех частотах, вплоть до 1014-1016 Гц. Этот вид поляризации харак-терен для неполярных органических диэлектриков. Диэлектри-ческая проницаемость материалов с чисто электронной поля-ризацией численно равна квадрату показателя преломления света ε = n2.
Ионная поляризация обусловлена смещением упруго свя-занных ионов на расстояние, меньше периода решетки. Этот вид, поляризации характерен для твердых тел с ионной струк-турой.
Дипольно-релаксационная поляризация обусловлена тем, что дипольные молекулы, находящиеся в хаотическом тепло-вом движении, ориентируются под действием внешнего элек-трического поля. Поворот диполей в направлении поля требует некоторого сопротивления, поэтому этот вид поляризации свя-зан с потерями энергии и нагревом материала. Процесс уста-новления дипольной поляризации после включения электриче-ского напряжения и процесс ее исчезновения после снятия на-пряжения требует определенного времени.
После снятия электрического поля ориентация частиц по-степенно ослабевает. Поляризованность диэлектрика ρдр от времени t выражается по формуле

Pдр(t) = Pдр(0)exp(-t/τ), (1.3)

где t – время, прошедшее после выключения электрического поля; τ – постоянная времени (время релаксации).
Время релаксации – это промежуток времени, в течение которого упорядоченность ориентированных диполей умень-шается в 2,7 раз от первоначального состояния после снятия электрического поля. Дипольно-релаксационная поляризация характерна для полярных жидкостей и твердых полярных ор-ганических диэлектриков. Но в последних поляризация обу-словлена поворотом не самой молекулы, а полярных радикалов по отношению к молекуле или смещением отдельных фраг-ментов макромолекулы.
Ионно-релаксационная поляризация обусловлена смеще-нием слабо связанных ионов под действием электрического поля на расстояние, превышающее постоянную решетки. По-сле выключения электрического напряжения ионы постепенно возвращаются в исходное состояние к центрам равновесия в течение определенного времени. Поэтому этот вид поляриза-ции можно отнести к релаксационной. На преодоление взаи-модействия ионов при их ориентации расходуется энергия электрического поля, которая рассеивается в виде тепла. Ион-но-релаксационная поляризация проявляется в диэлектриках с ионной структурой с неплотной упаковкой ионов, например в неорганических стеклах, и в некоторых кристаллических мате-риалах.
Электронно-релаксационная поляризация возникает за счет возбуждения тепловой энергией избыточных дефектных электронов и дырок. При этом наблюдается относительно вы-сокое значение диэлектрической проницаемости на частотах 1014- 1015 Гц.
Резонансная поляризация наблюдается в диэлектриках в области световых частот. Этот вид поляризации зависит от структурных особенностей материалов и относится к собст-венной частоте электронов или ионов. При резонансе сильно увеличивается поглощение энергии.
Миграционная поляризация – неупругое перемещение слабо связанных примесных ионов на расстояние, превышаю-щее параметр решетки, часто до границ зерен. Причинами воз-никновения такой поляризации являются проводящие или по-лупроводящие механические включения и примеси в техниче-ских диэлектриках, наличие слоев с различной проводимостью. Этот вид поляризации проявляется на очень низких частотах (1-104 Гц).
Спонтанная поляризация – это поляризация, которая проявляется самопроизвольно без каких-либо внешних воздей-ствий. Она проявляется у группы твердых диэлектриков, полу-чивших название сегнетоэлектриков.
Диэлектрическая проницаемость  при всех видах поля-ризации изменяется с частотой внешнего электрического поля. При увеличении частоты диэлектрическая проницаемость снижается, поскольку проявляется инерционность процесса ориентации. Изменение  с изменением частоты называют ди-электрической дисперсией. Поэтому при характеристике ди-электриков всегда указывают, на какой частоте измерена ди-электрическая проницаемость . На рис. 1.1 представлена час-тотная зависимость диэлектрической проницаемости  при различных видах поляризации и область проявления их по час-тоте.



Рис. 1.1. Частотная зависимость диэлектрической прони-цаемости  при различных видах поляризации: м – миграци-онной; р - дипольно- и ионно-релаксационных; и, э – резо-нансных видов поляризаций

Из рисунка видно, что каждый вид поляризации и ди-электрическая проницаемость, характерная для этого вида по-ляризации, существуют в определенной области частот.
Диэлектрическая проницаемость при любом виде поляри-зации зависит от температуры и характеризуется температур-ным коэффициентом диэлектрической проницаемости , вы-раженной в К-1

. (1.4)

На рис. 1.2 приведены графики изменения  при элек-тронной, ионно-релаксационной и дипольно-релаксационной поляризациях


Рис. 1.2. Кривые температурной зависимости диэлектри-ческой проницаемости при электронной (э), дипольно-релаксационной (εдр) и ионно-релаксационной (εир) поляриза-циях

Из рисунка видно, что при электронной поляризации  почти не изменяется при состоянии вещества в одном агрегат-ном состоянии, но резко снижается при переходе из одного аг-регатного состояния в другое. При замедленных видах поля-ризации диэлектрическая проницаемость возрастает с ростом температуры в твердом состоянии материала, что обусловлено увеличением подвижности поляризуемых частиц. В жидком состоянии диэлектрическая проницаемость уменьшается, так как превалирующее значение приобретает движение молекул, а не ориентирующее действие поля.
В зависимости от влияния электрического на-пряжения на относительную диэлектрическую проницаемость все диэлектрические материалы подразделяют на линейные и нелинейные. На рис. 1.3 приведена зависимость заряда конденсатора Q от напряже-ния Uи и диэлектрической проницаемости  от Е (Е=U/n) для линейных диэлектриков с малыми потерями и для нелинейных диэлектриков. Емкость конденсатора с линейным диэлектри-ком зависит только от его геометрических размеров, а в нели-нейных она становится управляемой электрическим полем. Поэтому в классификации диэлектриков линейные диэлектри-ки относят к пассивным диэлектрикам, а нелинейные к актив-ным (управляемым).


Рис. 1.3. Зависимость заряда конденсатора от напряжения и диэлектрической проницаемости от напряженности поля (Е=U/n) для линейных диэлектриков (а) и нелинейных диэлек-триков (сегнетоэлектриков)

Линейные диэлектрики в зависимости от механизма по-ляризации можно подразделить на:
- неполярные диэлектрики – газы, жидкости и твердые вещества в кристаллическом и аморфном состоянии, обладаю-щие в основном электронной поляризацией; к ним относятся водород, бензол, парафин, полиэтилен, полистирол, политет-рафторэтилен и др.;
- полярные (дипольные) диэлектрики – органические жидкие, полужидкие и твердые вещества, имеющие одновре-менно дипольно-релаксационную и электронную поляриза-цию; к ним относятся канифольные компаунды, феноло-формальдегидные и эпоксидные смолы, поливинилхлорид, целлюлоза, капрон и др.;
- ионные соединения – это твердые неорганические ди-электрики с ионной, электронной, ионно-релаксационной по-ляризациями (стекла, керамика).
Ввиду существенного различия электрических характе-ристик ионных соединений их целесообразно разделить на две подгруппы материалов:
- диэлектрики с ионной и электронной поляризацией. К ним относятся кристаллические вещества с плотной упаковкой ионов – кварц, слюда, корунд (Al2O3), рутил (TiO2) и др.;
- диэлектрики с ионной, электронной и релаксационными поляризациями; к ним относятся неорганические стекла, си-таллы, многие виды керамик.
В таблице 1.1 приведены, для примера, значения относи-тельной диэлектрической проницаемости некоторых неполяр-ных и полярных твердых органических диэлектриков, а в таб-лице 1.2 ионных кристаллов и неорганических стекол.

Таблица 1.1

Диэлектрическая проницаемость неполярных и полярных твердых диэлектриков

материалы  материалы 
неполярные полярные
Парафин 1,9-2,2 Поливинилхлорид 4
Полиэтилен 2,4 Эпоксидная смола 3,8
Полистирол 2,5-2,6 Фенолоформальде-гидная смола 5
Политетрафтор-этилен 1,9-2,2 Целлюлоза 6,5
Поликарбонат 2,9

Таблица 1.2

Диэлектрическая проницаемость ионных кристаллов и неорганических стекол

материалы  материалы 
Корунд (Al2O3) 10 Кварцевое стекло 4,5
Рутил (TiO2) 110 Силикатное щелочное стекло 6,5
Титанат кальция (CaTiO3) 150 Силикатное бариевое стекло 10

1.3. Электропроводность диэлектриков

К диэлектрикам относят материалы с большой шириной запрещенной зоны (около 3 эВ), поэтому концентрация сво-бодных электронов в них ничтожно мала. Малая концентрация свободных зарядов определяет высокое удельное сопротивле-ние диэлектрических материалов, находящееся в пределах 106-1016 Ом м. Если подключить к диэлектрику с нанесенными на поверхность металлическими электродами постоянное напря-жение, то через него будет протекать электрический ток, кото-рый называют током утечки Jут. Ток утечки представляют в ви-де суммы двух токов: сквозного тока Jск и абсорбционного то-ка Jаб

Jут = Jаб + Jск. (1.5)

Величина сквозного тока обусловлена движением сво-бодных зарядов - ионов и реже электронов. Природа абсорб-ционного тока Jаб связана с мгновенными и замедленными по-ляризационными процессами, протекающими во времени до момента установления и получения равновесного состояния. При постоянном напряжении ток абсорбции возникает при включении напряжения и затем снижается. На рис. 1.4 показа-на зависимость тока от времени при приложении постоянного напряжения. По истечении определенного времени, когда по-ляризационные процессы заканчиваются, через диэлек-трик будет протекать только сквозной ток. Обычно измерение проводимости диэлектрика определяют по сквозному току че-рез 1 мин, после включения напряжения. При переменном на-пряжении проводимость диэлектрика будет определяться не только сквозным током, но и активной составляющей тока аб-сорбции.


Рис. 1.4. Зависимость тока от времени в диэлектрике при постоянном напряжении

В диэлектриках электрический ток может протекать не только по объему, но и по поверхности. Поэтому для характе-ристики диэлектриков вводят удельное объемное сопротивле-ние v и удельное поверхностное сопротивление s. Для опре-деления поверхностного Rs и объемного сопротивления Rv ди-электриков обычно используют измерительную ячейку с коль-цевыми электродами, схемотехнически представленную на рис. 1.5.



Рис. 1.5. Измерительная ячейка для определения поверх-ностного Rs и объемного Rv: А - центральный электрод; В – на-ружный кольцевой электрод; С – нижний электрод

Удельное объемное сопротивление v рассчитывается по формуле

v = Rv D12/4h, Ом м, (1.6)

где h – толщина образца; D1 – диаметр центрального электрода.
Удельное поверхностное сопротивление s определяется из выражения

s = Rs(D2 + D1)/ (D2 - D1) Ом, (1.7)

где D2 – внутренний диаметр кольцевого электрода.

При измерении объемного сопротивления используют электроды A и C, а кольцевой электрод B заземляют для ис-ключения шунтирования по поверхности.
По величине удельного объемного сопротивления опре-деляют удельную объемную проводимость v = 1/v (См м-1) и соответственно удельную поверхностную проводимость s = 1/s (См). Полная проводимость складывается из объемной и поверхностной проводимостей.
Электропроводность изоляционных материалов обуслов-ливается состоянием вещества: газообразным, жидким и твер-дым, а также зависит от влажности и температуры окружаю-щей среды.
Газы при небольших значениях напряженности поля об-ладают очень малой проводимостью. Так удельное сопро-тивление чистого воздуха на поверхности земли составляет 1013 – 1014 Ом м. Увеличение электропроводности в газах мо-жет происходить при движении нейтральных молекул под дей-ствием внешних факторов: рентгеновских, ультрафиолетовых и космических лучей; радиоактивного излучения, нагрева газа, а также при электрическом напряжении, превышающем крити-ческое значение напряжения ионизации.
Электропроводность жидких диэлектриков связана со строением молекул жидкости и обусловлена ионами, обра-зующимися в результате диссоциации молекул на заряженные частицы противоположного знака.
Неполярные жидкости (трансформаторное масло, бензол) имеют высокое удельное сопротивление 1010 – 1013 Ом м. В та-ких жидких диэлектриках молекулы основного вещества практически не диссоциируют на ионы, а электропроводность в них обусловлена в основном движением ионов примесей.
В полярных жидкостях электропроводность зависит не только от примесей, но и вызывается диссоциацией молекул самой жидкости. К таким жидкостям относятся этиловый спирт, ацетон, дистиллированная вода. Удельное сопротивле-ние полярных жидких диэлектриков составляет 103 –105 Ом м. Кроме того, проводимость жидких диэлектриков зависит от температуры. С увеличением температуры в результате сниже-ния вязкости возрастает подвижность ионов и может увеличи-ваться степень тепловой диссоциации молекул, что приводит к увеличению проводимости.
Электропроводность твердых диэлектриков обусловлива-ется как движением ионов самого диэлектрика, так и ионов случайных примесей. Электронная электропроводность твер-дых диэлектриков вносит незначительный вклад в проводи-мость, так как при обычных температурах эксплуатации радио-электронных средств концентрация электронов очень мала.
Электропроводность твердых диэлектриков при ионной проводимости выражается зависимостью

 = q Nт Mт, (1.8)

где q – заряд иона, Кл; Nт – концентрация ионов в единице объема, м-3; Мт – подвижность носителей, м2/Вс.
Концентрация ионов от температуры Т оценивается из выражения
Nт = N exp (-Wq/kТ), (1.9)

где k – постоянная Больцмана; Wq – энергия диссоциации ионов.

Подвижность ионов так же выражается экспоненциаль-ной зависимостью от температуры Т

μт = μmax.exp(-Wпер/kT), (1.10)

где μmax – постоянная, имеющая размерность подвижности; Wпер – энергия перемещения иона.
Общее выражение для электропроводности приобретает при подстановке значений Nт и μт следующий вид

γ = q . Nт. μmax exp(-(Wq + Wпер)/kT. (1.11)

Обозначив γо = q . Nт. μmax и W = Wq + Wпер, получим

γ = γо exp (-W/kT). (1.12)

В технических диэлектриках ток может быть обусловлен не только собственными ионами, но и слабо связанными иона-ми примесей. Для графического представления электропро-водности от температуры используют координаты Аррениуса - ln γ и 1/Т, в которых эта зависимость выражается прямыми (рис. 1.6).



Рис. 1.6. Зависимость удельной проводимости ln γ от температуры 1/Т

Если линии имеют изломы, то это свидетельствует о смене перехода от примесной проводимости к собственной. Так как энергия активации электропроводности ионов приме-сей меньше энергии активации электропроводности собствен-ных ионов, то при низких температурах электропроводность будет примесная, а при высоких температурах - собственная. В некоторых случаях излом кривой температурной зависимости электропроводности объясняется тем, что ионы основного ве-щества имеют различные энергии активации.
Ионная проводимость в твердых диэлектриках, в отличие от электронной, связана с переносом вещества. В процессе длительной эксплуатации при воздействии постоянного элек-трического поля возможно изменение химического состава, следствием которого может быть постепенная деградация ди-электрика и его разрушение. Это может происходить в струк-туре диэлектрических пленок, применяемых в производстве интегральных схем.
При рассмотрении ионной электропроводности твердых диэлектриков мы имеем в виду объемную электропроводность, которая при постоянной температуре практически не зависит от внешних атмосферных условий.
Поверхностная электропроводность γδ твердых диэлек-триков зависит от дефектов поверхности диэлектрика, наличие влаги и загрязнений.
Вода обладает значительной электропроводностью, по-этому наличие ее на поверхности диэлектрика приводит к за-метному снижению удельного сопротивления ρs.
Вода является полярным веществом, поэтому адсорбция влаги на поверхности зависит от полярности материала. Для неполярных материалов: полистирола, полиэтилена, политет-рафторэтилена, угол смачивания, которых больше 90о (гидро-фобные материалы), наличие высокой относительной влажно-сти не приводит к снижению удельного поверхностного сопро-тивления ρs. В полярных материалах и в материалах, частично растворимых в воде (гидрофильных) наблюдается снижение удельного поверхностного сопротивления от влаги. Кроме то-го, к поверхности полярных диэлектриков могут прилипать различные загрязнения, также приводящие к снижению по-верхностного сопротивления. Высокой поверхностной прово-димостью обладают пористые материалы (керамика, волокни-стые материалы на основе целлюлозы), так как процесс про-никновения влаги в поры стимулирует образование проводи-мой пленки на поверхности диэлектрика. Для защиты таких материалов от действия влаги их покрывают пленками, напри-мер кремнеорганическими лаками.

1.4. Диэлектрические потери

Диэлектрическими потерями называют электрическую мощность, рассеиваемую в диэлектрике, находящегося в элек-трическом поле. Эта электрическая мощность идет на нагрев материала. Потери энергии при постоянном напряжении обу-словлены протеканием сквозного тока, величина которого за-висит от значения объемного и поверхностного удельных со-противлений. В переменном поле на величину потерь, кроме сквозного тока, влияет активная составляющая абсорбционно-го тока, вызванного различными поляризационными процес-сами.
Для характеристики способности диэлектрического мате-риала рассеивать электрическую мощность служит тангенс уг-ла диэлектрических потерь tgδ. Определение tgδ следует из векторной диаграммы между током и напряжением на примере параллельной эквивалентной схемы включения идеального конденсатора Ср с активным сопротивлением потерь R (рис. 1.7).




Рис.1.7. Параллельная эквивалентная схема диэлектрика с потерями и векторная диаграмма между током и напряжением

Углом диэлектрических потерь δ называют угол, допол-няющий до 90о угол сдвига фаз φ между током J и напряжени-ем U в емкостной цепи, а tgδ = Ра/Рр. Независимо от эквива-лентной схемы включения (параллельной или последователь-ной) активная рассеиваемая мощность в диэлектрике опреде-ляется из выражения

Ра = U2 .ωСр tgδ, (1.13)

где ω – угловая частота; Ср емкость диэлектрика U – напряже-ние.
Практическое значение tgδ, как параметра диэлектрика в том, что он определяет потери мощности в диэлектрике.
На переменном токе на величину диэлектрических потерь будет влиять и значение диэлектрической проницаемости. Это видно из выражения для удельных диэлектрических потерь ρ = Ра/V, где V – объем диэлектрика между электродами кон-денсатора. Подставив в выражение 1.12 значение емкости конденсатора С из (1.2), получим

Вт/м3, (1.14)

где Е = U/h – напряженность электрического поля, В/м; S – площадь диэлектрика, м2; h – толщина диэлектрика, м.
Произведение ε.tgδ называют коэффициентом диэлек-трических потерь. Из выражения (1.13) видно, что на опреде-ленной частоте удельные диэлектрические потери пропорцио-нальны коэффициенту диэлектрических потерь.
В диэлектрических материалах в зависимости от структу-ры могут проявляться четыре основных вида диэлектрических потерь:
- потери на электропроводность;
- релаксационные потери;
- резонансные потери;
- ионизационные потери.
Потери на электропроводность обусловлены прохожде-нием сквозного тока в диэлектриках с заметной поверхностной или объемной электропроводностью. Эти потери ничтожно малы в материалах с высоким удельным сопротивлением, но в диэлектриках с небольшим удельным сопротивлением или в полярных или материалах, эксплуатируемых например во влажной среде, их следует учитывать.
С ростом частоты тангенс угла диэлектрических потерь tgδ уменьшается по гиперболическому закону и увеличивается по экспоненциальному закону с возрастанием температуры Т (рис. 1.8).



Рис. 1.8. Частотная (а) и температурная (б) зависимости tgδ при потерях на электропроводность

Релаксационные потери характерны для диэлектриков, обладающих замедленными видами поляризации и проявляют-ся на достаточно высоких частотах, когда сказывается явление гистерезиса, т.е. отставание поляризаций от изменения элек-трического поля. Диэлектрические потери обусловлены актив-ными составляющими поляризационных токов.
Релаксационные потери наблюдаются в диапазоне частот 105 – 1010 Гц. На достаточно низких частотах, когда время ре-лаксации τ « 1/ω (ω – угловая частота внешнего электрического поля), релаксационные потери будут малы, а при возрастании частоты они будут увеличиваться. На частоте, когда выполня-ется условие τ = 1/ω, наблюдается резонанс, и потери будут резко возрастать. При дальнейшем увеличении частоты внеш-него электрического поля, когда τ > 1/ω, будет сказываться инерционность релаксационных видов поляризации и tgδр, ха-рактеризующий диэлектрические потери, будет уменьшаться. На частотной зависимости tgδр наблюдается максимум (рис. 1.9 а), положение которого определяется из условия ω τ = 1; на рис. 1.9 б приведено изменение tgδ с учетом потерь на электропроводность.



Рис. 1.9. Частотная зависимость tgδ при релаксационных потерях (а) и с учетом потерь на электропроводность (б)

На высоких частотах, несмотря на уменьшение tgδр с рос-том частоты, активная мощность Ра, выделяемая в диэлектрике, остается практически постоянной, так как число циклов поля-ризации возрастает, что находится в согласии с формулой (1.12). С повышением температуры максимум tgδр будет сме-щаться в область высоких частот. Это обусловлено тем, что время релаксации τ становится меньше времени периода изме-нения напряжения электрического поля.
Резонансные потери в диэлектрических материалах обу-словлены процессами ионной и электронной поляризаций при совпадении частоты внешнего электрического поля с соб-ственной частотой колебаний ионов или электронов. При ионной поляризации наблюдается максимум tgδ на частотах 1013-1014 Гц, т.е. в инфракрасном диапазоне частот. Резонанс-ные потери при электронной поляризации имеют максимум tgδ в оптическом диапазоне частот 1014 - 1016 Гц: инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой частях спектра. При совпадении частоты внешнего электрического поля с собственной частотой колебаний электронов наблюдаются узкие максимумы по-терь, которые показывают оптическими спектрами поглощения света.
Ионизационные потери свойственны диэлектрикам в га-зообразном состоянии и проявляются также в твердых диэлек-триках, содержащих газовые включения: бумага, пористая ке-рамика. Эти потери проявляются на радиочастотах при напря-жении внешнего электрического поля выше порога ионизации. В этом случае происходит ионизация газовых включений, при-водящих к резкому возрастанию диэлектрических потерь, ра-зогреву материала и постепенному его разрушению. Порог ио-низации зависит от конкретного материала и определяется по началу роста tgδ.
Для наглядности основные сведения об особенностях различных видов диэлектрических потерь сведены в табл. 1.3.

Таблица 1.3

Классификация потерь в диэлектриках

Диэлектрические потери Главные особен-ности Виды диэлектриков
1 2 3
Обусловленные по-ляризацией:
- релаксационные (дипольные и ион-ные) Наличие макси-мума tgδ, зави-сящего от Т и f дипольные жидкие и твердые полярные диэлектрики, ион-ные с неплотной упаковкой


Продолжение табл.1.3

1 2 3
- спонтанной по-ляризацией Велики, выше точки Кюри резко уменьшаются сегнетоэлектрики
Обусловленные электропровод-ностью tgδ снижается с ростом f по гиперболе и возрастает с тем-пературой по экспоненте жидкие и твердые диэлектрики с большой электро-проводностью
Ионизационные наблюдаются при напряжени-ях выше порога ионизации Газообразные ди-электрики и твер-дые с газовыми включениями
Обусловленные неоднородно-стью структуры Сложная зависимость потерь от компонентов, входящих в состав диэлектрика и случай-ных примесей, с ростом час-тоты tgδ снижается Неоднородные ди-электрики (поли-меры с наполните-лями, керамика)

1.5. Электрическая прочность

Электрическая прочность это способность диэлектриче-ского материала сохранять свое высокое удельное сопротивле-ние под действием напряженности электрического поля. Элек-трическая прочность Епр определяется из выражения

, МВ/м, (1.15)

где h – толщина диэлектрика; Uпр – пробивное напряжение, приложенное к диэлектрику, приводящее к долговременному или кратковременному образованию каналу сквозной прово-димости под действием электрического поля. Диэлектрик при этом теряет свои электроизоляционные свойства.
На рис. 1.10 приведена типичная вольтамперная характе-ристика, которая показывает изменение тока при пробое ди-электрика. При напряжении, большем напряжения пробоя U>Uпр, на вольтамперной характеристике появляется участок АВ с отрицательной проводимостью, что обусловлено образо-ванием канала сквозной проводимости. В результате этого па-дение напряжения уменьшается, электрический ток резко воз-растает, и диэлектрик в месте пробоя становится проводником



Рис. 1.10. Вольтамперная характеристика диэлектрика при пробое

Электрическая прочность зависит не только от агрегатно-го состояния диэлектриков (газ, жидкость, твердый диэлек-трик) и их структуры, но может изменяться в зависимости от толщины диэлектрика, формы электродов и условий теплоот-вода.
Электрическая прочность воздуха невелика по сравнению с большинством жидких и твердых диэлектриков. В нормаль-ных условиях, т.е. при давлении 0,1 МПа и температуре 200 С, при расстоянии между электродами в 1 см электрическая прочность Епр = 3,2 МВ/м.
При уменьшении давления ниже атмосферного вначале наблюдается снижение электрической прочности, но когда давление доходит до некоторого значения, электрическая прочность будет возрастать.
В твердых диэлектриках возможны три основных вида пробоя: электрической, тепловой, электрохимический. Все эти виды пробоя могут иметь место в одном диэлектрическом ма-териале в зависимости от характера внешнего электрического поля – постоянного или переменного, импульсного, низкой или высокой частоты, наличия дефектов, условия охлаждения.
Электрический пробой проявляется в диэлектриках при кратковременном (импульсном) воздействии напряжения. Электрический пробой по своей природе является чисто элек-трическим процессом, когда немногие электроны от катода ус-коряются электрическим полем и создают электронную лави-ну от катода к аноду. Развитие лавины ускоряет образование проводящего канала, в котором создается высокое давление, приводящее к появлению трещин или полному разрушению изоляционного материала. Чисто электрический пробой на-блюдается у однородных диэлектриков с высокой температу-рой плавления, таких как окислы, щелочно-галоидные соеди-нения и некоторые органические полимеры. Электрическая прочность таких диэлектриков при электрическом пробое мо-жет достигать до 1000 МВ/м.
Электрическая прочность при электрическом пробое яв-ляется характеристикой материала.
Тонкие пленки из диэлектрических материалов обладают более высокой электрической прочностью по сравнению с мас-сивными образцами. Тонкие диэлектрические пленки, особен-но аморфной структуры, широко используются в качестве изо-ляции при изготовлении микроэлектронных элементов и уст-ройств.
Тепловой пробой возникает в том случае, когда количест-во тепла, выделяемое в переменном поле в диэлектрике вслед-ствие диэлектрических потерь, повышает количество тепла рассеиваемого в окружающее пространство. Тепловой пробой характерен для полярных диэлектриков и диэлектриков с по-лярными включениями. Электрическая прочность при тепло-вом пробое является характеристикой не только материала, но и изделия из него. Кроме того, электротепловое и пробивное напряжение зависит от нагревостойкости материала. Органи-ческие диэлектрики с низкой температурой плавления, напри-мер полистирол, полихлорвинил, имеют меньшее значение те-плового пробивного напряжения, чем неорганические мате-риалы (керамика, кварцевое стекло).
Напряжение теплового пробоя для плоского диэлектрика с нанесенными электродами, находящимися в переменном электрическом поле частотой f, определяются по следующей приближенной формуле

,В, (1.16)

где λ – суммарный коэффициент теплоотдачи с поверхности диэлектрика во внешнюю среду; α – температурный коэффи-циент тангенса угла диэлектрических потерь; tgδо – тангенс уг-ла диэлектрических потерь при температуре окружающей сре-ды; h – толщина диэлектрика; k - числовой коэффициент, рав-ный 1,5 105, если размерность всех величин в системе СИ.
Из формулы (1.15) следует, что величина напряжения при тепловой пробое увеличивается с ростом толщины образца и коэффициента теплоотдачи от диэлектрика во внешнюю среду и снижается при высоких частотах, большом коэффициенте диэлектрических потерь εtgo и большом температурном ко-эффициенте тангенса угла диэлектрических потерь α.
Ионизационный пробой является разновидностью тепло-вого пробоя и происходит в диэлектриках с воздушными включениями, например, в пористой керамике. Пробой в этом случае обусловлен ионизационными процессами в воздушных включениях, приводящих к постепенному растрескиванию ма-териала. Так как электрическая прочность газов меньше по сравнению с твердыми диэлектриками, то наличие воздушных включений в твердых диэлектриках приводит к снижению электрической прочности.
Поверхностный пробой диэлектриков возникает вследст-вие возникновения больших поверхностных токов, обуслов-ленных снижением поверхностного сопротивления Rs. Причи-ной этого является наличие на поверхности загрязнений, влаги, шероховатости, трещин. Чем выше выражены гидрофильные свойства диэлектрика, тем сильнее снижается поверхностное пробивное напряжение; электрическая прочность при этом может снижаться до 0,1 МВ/м. При достаточной мощности ис-точника тока поверхностный пробой может перейти в дуговой, т.е. развиваться по воздуху. Для повышения напряжения по-верхностного пробоя принимают ряд методов: нанесение на поверхность диэлектрических пленок с гидрофобными свойст-вами (кремнеорганических лаков), увеличение длины разряд-ного пути по поверхности диэлектрика за счет гофрирования.
Электрохимический пробой возникает при постоянном и переменном напряжении низкой частоты, при длительной экс-плуатации изделия во влажной среде и повышенной темпера-туре. Этот вид пробоя обусловлен такими процессами в ди-электрике, как электролиз, электромиграция, перенос ионов. Электрохимический пробой чаще наблюдается в конденсатор-ной керамике, содержащей окислы с переменной валентно-стью, например, диоксид титана TiO2, чем в керамике, содер-жащей окислы SiO2, MgO, BaO, Al2O3.

Вопросы для самопроверки

1. Какие материалы называют диэлектрическими?
2. Что называют поляризацией? Какие виды поляризации считают мгновенными и какие замедленными и в чем их раз-личие?
3. Какие виды поляризации наблюдаются в неполярных и полярных органических диэлектриках и в диэлектриках ион-ной структуры?
4. Что характеризует относительная диэлектрическая проницаемость диэлектриков и как она изменяется от темпера-туры и частоты?
5. Каков механизм электропроводности твердых диэлек-триков и почему электропроводность диэлектриков мала? Ка-кими токами определяется проводимость диэлектриков при постоянном и переменном напряжениях?
6. Приведите формулы для определения удельного, объ-емного и поверхностного сопротивлений и в каких единицах их измеряют?
7. Как влияет влажность на величину удельного поверх-ностного сопротивления твердых диэлектриков различной структуры?
8. Что называют диэлектрическими потерями, и какие существуют механизмы диэлектрических потерь?
9. Чем характеризуют способность диэлектриков рассеи-вать энергию в электрическом поле? Какой угол называют уг-лом диэлектрических потерь?
10. Каков характер изменения tgδ в зависимости от часто-ты при наличии релаксационных потерь в диэлектриках?
11. Какие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ должны иметь ди-электрики, применяемые в области высоких и сверхвысоких частот?
12. Что понимается под явлением пробоя в диэлектриках? Как определяется электрическая прочность диэлектриков?
13. Какие существуют механизмы пробоя твердых ди-электриков? Каковы условия проявления каждого из них?

2. ПЛАСТМАССЫ

2.1. Основные определения, структура и классификация

Пластмассы - это искусственные материалы, представ-ляющие собой композиции полимеров или реакционноспособ-ных олигомеров с раз¬личными добавками, находящимися при формовании в вязкотекучем или высокоэластическом состоя-нии, а при эксплуатации в стеклообразном или аморфно-кристаллическом состоянии.
Основой всех пластмасс являются синтетические или природные высокомолекулярные соединения - полимеры, ко-торые определяет диэлектрические, механические и техноло-гические свойства пластмасс.
Полимерами называют вещества, молекулы которых по-строены из большого числа многократно повторяющихся структурных единиц-звеньев, связанных между собой химиче-скими связями. Каждое звено представляет собой молекулу исходного низкомолекулярного вещества - мономера. При по-лучении полимеров мономеры объединяются друг с другом и образуют длинные линейные молекулы или макромолекулы, в которых атомы соединены ковалентными связями. Типичным примером служит полиэтилен (рис. 2.1).




Рис. 2.1. Схема строения линейной макромолекулы

Элементарным звеном является мономер СН2-СН2 (эти-лен). В макромолекуле -СН2-СН2-n число n показывает коли-чество мономеров, входящих в макромолекулу, и называется степенью полимеризации; она колеблется от единиц и десятков до нескольких тысяч. При значениях n = 2 – 5 полимеризующе-еся вещество находится в газообразном состоянии, а с ростом значения n до 20 вещество переходит в жидкое состояние. При величине n = 1500 – 2000 получается эластичный гибкий пла-стик, а при n > 5000 вещество представляет собой жесткий твердый полимер. Для характеристики полимера вводят моле-кулярную массу М=n*М3, , где М3- молекулярная масса звена (мономера).
Полимеры с низкой степенью полимеризации называют олигомерами, с высокой степенью полимеризации - высокопо-лимерами. Олигомеры при добавлении или удалении одного или нескольких составных звеньев могут изменять комплекс свойств.
Полимеры, макромолекулы которых содержат несколько типов элементарных звеньев, называются сополимерами.
В зависимости от характера связи между макромолеку-лами полимеры подразделяются на линейные и пространствен-ные, или сшитые.
В линейных полимерах между макромолекулами действу-ет относительно слабая молекулярная связь. По форме они представляют собой длинные зигзагообразные или закручен-ные в спираль цепочки, что определяется величиной угла связи между атомами главной цепочки (рис. 2.2 a).
Линейные молекулы имеют главные цепи и боковые группы (рис. 2.1). У большинства полимеров главные цепи со-стоят преимущественно из атомов углерода, у кремнийоргани-ческих полимеров они образованы чередующимися атомами кремния и кислорода или атомами кремния. Боковые группы могут состоять из атомов (Н,F,Cl) или группы атомов (радика-лов) - гидроксильные (ОН), метильные (СН3), этильные (С2Н5), фенильные (С6Н5), аминные (NH2), нитрильные (CN), карбок-сильные (COOH) и другие. Изменение вида боковых групп в линейных полимерах приводит к изменению природы и свойств полимера в целом. При наличии боковых групп не-скольких видов они могут располагаться вдоль главной цепи молекулы как неупорядоченно, так и в определённом порядке. Полимеры с неупорядоченным чередованием групп называют нерегулярными, а с упорядоченным - регулярными.






а б в

Рис. 2.2. Формы макромолекул полимеров: а - линейная; б - разветвлённая; в - пространственная

Линейные полимеры могут быть неполярными и поляр-ными. Молекула полиэтилена неполярна - её результирующий электрический дипольный момент равен нулю. При замещении Н другими атомами или группами атомов полимер может ока-заться как неполярным, так и полярным. Неполярная молекула получается при замещении Н неполярными группами - СН3, C2H5, C6H5. Если же заместитель является полярным (OH, COOH, NH2, CN и другие), то молекула полимера становится полярной; ее электрический момент не равен нулю. Полярны-ми являются так же связи C-F, C-Cl. Но если полярные группы или связи располагаются в молекуле симметрично, то они ком-пенсируют друг друга и тогда молекулярная цепь оказывается неполярной (например, политетрофторэтилен, имеющий структуру [-CF2-CF2-]n).
Общая структура линейных полимеров складывается из структуры молекул и надмолекулярной структуры, то есть вза-имной укладки линейных молекул в полимерном веществе. Надмолекулярная структура появляется под влиянием сил при-тяжения между молекулами и теплового движения самих мо-лекул. Наиболее характерной и важной формой теплового движения макромолекул являются повороты частей молекул по отношению друг к другу без нарушения (разрыва) связей между звеньями. Изменение формы макромолекулы за счёт поворотов отдельных её звеньев называют конформационным превращением. Для нерегулярных полимеров характерны па-чечные структуры, когда на относительно больших участках главные цепи соседних молекул располагаются параллельно. У регулярных полимеров типичными надмолекулярными струк-турами являются кристаллы.
Линейные полимеры гибки и эластичны. При повышении температуры до определенной величины они легко размягча-ются и расплавляются. После охлаждения их свойства восста-навливаются. Из-за этих свойств линейные полимеры называ-ют термопластичными полимерами или термопластами.
Наряду с линейными полимерами существуют разветв-лённые (рис. 2.2 б), в которых помимо главной цепи содержат-ся боковые цепи, длина и природа их может различаться. Раз-ветвлённые макромолекулы являются промежуточной формой между линейными и пространственными.
Пространственные полимеры (рис. 2.2 в) имеют, кроме молекулярной связи, ковалентные связи между молекулами, вследствие чего образуется пространственная сетчатая трёх-мерная структура.
Поперечные связи между макромолекулами образуются в процессе образования полимера (полимеризации или поликон-денсации) под действием химических веществ, вводимых в систему (вулканизация, отверждение), или ионизирующих из-лучений и других воздействий на заранее синтезированные ли-нейные или разветвлённые полимеры, или олигомеры. Длина основной цепи и количество поперечных сшивок могут ме-няться в широких пределах, в соответствии с этим меняются и свойства образующегося полимера. Примерами сшитых поли-меров могут служить отверждённые эпоксидные и феноло-формальдегидные смолы, вулканизаторы каучука и др. Для сшитых полимеров понятие "молекула" и молекулярная масса М утрачивает смысл.
Пространственные полимеры обладают большей жестко-стью, чем линейные. При нагревании до определенной темпе-ратуры они сначала расплавляются, а затем в результате хи-мических превращений разрушаются химически (сгорают, обугливаются и т.п.); многие из них разрушаются химически до достижения температуры плавления. Из-за этих свойств по-лимеры с пространственной структурой называют термореак-тивными материалами или реактопластами.
По электрическим свойствам являются полярными.
Полимеры с линейной и разветвленной структурой в за-висимости от температуры могут находиться в трех различных физических состояниях: стеклообразном, высокоэластическом и вязкотекучем. Полимеры с пространственной структурой в зависимости от количества поперечных связей (частоты сшив-ки) – в стеклообразном и высокоэластическом или только в стеклообразном.
Стеклообразное состояние – твердое, когда атомы, вхо-дящие в состав молекулярной цепи совершают колебательное движение около положения равновесия, а движение звеньев и перемещение макромолекулы не происходит.
Высокоэластическое состояние характеризуется способ-ностью полимеров к большим обратимым изменениям формы макромолекулы при небольших нагрузках. Однако перемеще-ние макромолекулы относительно друг друга не происходит; после снятия нагрузки формы макромолекул восстанав-ливаются.
Вязкотекучее состояние напоминает жидкое состояние с большой вязкостью; макромолекулы приобретают возмож-ность относительного смещения, которое не устраняется после снятия нагрузки.
Температура перехода из одного состояния в другое за-висит от вида полимера. Как правило, большинство полимеров применяют в стеклообразном состоянии. Исключением являет-ся резина, которая из-за небольшого количества поперечных связей между макромолекулами (малой сшивки) – в высоко-эластическом.
Полимеры получают способом полимеризации и поли-конденсации. Исходными соединениями синтеза являются низкомолекулярные соедине¬ния: мономеры и олигомеры.
Полимеризация - это процесс образования макромолекул по цепному механизму за счет последовательного присоедине-ния n молекул мономера (Мн) к активным центрам, находя-щимся на концах растущих цепей. Схема полимеризации запи-сывается в виде

[ - Mн - ]n + Mн  [ - Mн - ]n+1.

Элементарный состав полученных макромолекул, как правило, не отличается от состава мономера. В полимеризацию вступают мономеры, содержащие кратные связи С = С, С = 0, С  С, С  N и другие. Полимеризацию мономеров, содержа-щих только одну кратную связь или цикл, называют линейной, полимеризацию трех и более функциональных мономеров на-зывают трехмерной. В соответствии с этим образуются линей-ные или сшитые полимеры. По числу типов мономеров, участ-вующих в реакции различают гомополимеризацию (один тип мономера) и сополимеризцию, когда участвуют два и более типа мономеров. Процесс полимеризации осуществляется в водных эмульсиях или в газовой среде, с использованием ката-лизаторов, без выделения побочных продук¬тов. Конечными продуктами при полимеризации являются блоки (блочная по-лимеризация), порошки или пленки, гранулы, которые перера-батываются в изделия. Примером продуктов полимеризации являются полиэтилен, полистирол, политетрафторэтилен и другие. При этом необходимо отметить, что карбоцепные по-лимеры синтезируют в основном методом полимеризации.
Поликонденсация - это ступенчатый процесс образования макро¬молекул путем взаимодействия друг с другом активных центров низкомолекулярных реактивов системы с выделением побочного продукта: воды, аммиака, спирта и другие. Схема процесса поликонденсации имеет вид

[ - Mn - ]n1 + [ - Mn - ]n2  [ - Mн - ]n1+n2,

где [- Mn -]n1 и [- Mн -]n2 - олигомеры или макромолекулы, со¬держащие в своей цепи n1 или n2 мономерных составов.
При получении полимеров поликонденсацией применя-ются мономеры с группами - OH, - NH2, - COOH и другие. При этом состав элементарных групп конечного продукта в основ-ном не совпадает с элементарным составом исходных мономе-ров. Структура полимеров после синтеза может быть линейной или сшитой в зависимости от количества типов функциональ-ных групп, а процесс поликонденсации называют линейным или трехмерным. Сшитые полимеры и изделия из них, как правило, получают при использовании промежуточных олиго-меров, имеющих линейную структуру. Трехмерное состояние часто образуется при механическом воздействии, например, при прессовании. Трехмерная поликонденсация используется, например, при изготовлении изделий на основе фенолофор-мальдегидных и эпоксидных смол. Поликонденсация применя-ется в основном при синтезе гетероцепных полимеров, хотя некоторые из них (пентапласт, полиамид) получают методом полиме¬ризации.
Главными признаками, по которым классифицируют пла-стмассы, являются: состав, отношение к нагреванию и раство-рителям, химическая природа полимера.
По составу пластмассы разделяются на ненаполненные и наполненные.
Ненаполненные пластмассы представляют собой полиме-ры в чистом виде. Для увеличения стойкости против ударных нагрузок (повышения ударной прочности) многие полимеры (полистирол, поливинилхлорид, поликарбонат и другие) моди-фицируют определенным количеством эластичных полимеров, образующих эластичную дисперсную фазу в жесткой стекло-образной фазе термопластичного полимера. При этом не сни-жаются электрические, технологические и конструкционные свойства исходного полимера.
Наполненные пластмассы являются сложными компози-циями, содер¬жащими связующее вещество, отвердитель, на-полнитель, пластификатор, краситель и другие добавки. В ка-честве связующих веществ применяют синтетические полиме-ры, смолы и их смеси: полиамиды, полиакрилаты, полиацета-ты, поликарбонаты и другие термопласты; эпоксидные крем¬нийорганические, фенолоальдегидные, аминоальдегидные и другие смолы. По характеру связующего вещества пластмассы подразделяются на термопластичные (термопласты) и термо-реактивные (реактопласты).
Наполнители применяют для улучшения прочностных и эксплуатационных свойств, снижения усадки в процессе пере-работки в изделие, повышения стойкости против воздействия различных сред, а также снижения стоимости материала. По своей природе наполнители бывают органические (древесная мука, дисперсионные полимеры, лигнин, бумага и другие) и неорганические (кварцевая мука, асбест, стекло и другие). Ор-ганические и неорганические наполнители подразделяются на порошкообразные, волокнистые и слоистые (листы бумаги, стеклотка¬ни). Содержание наполнителей в пластмассах дохо-дит до 40 - 65 %.
Пластификаторы вводят для улучшения технологических и эксплуатационных свойств пластмасс: повышения пластич-ности и расширения интервала высокоэластического состоя-ния, увеличения стойкости к воздействию ультрафиолетового излучения, холодостойкости.
Красители придают нужную окраску пластмассам, а так-же используются для защиты от старения и разложения. В ка-честве красителей применяют мумию, родалин, нигрозин.
Пластмассы с термореактивным связующим веществом и различными наполнителями обычно называют пресс-материалами.
В радиоэлектронных средствах пластмассы применяются для изготовления разнообразных деталей, которые можно ус-ловно подразделить на три группы. К первой группе относят детали, к которым предъяв¬ляют высокие требования по меха-ническим свойствам. Это корпуса, каркасы, панели, крышки, стойки и так далее. Ко второй группе относят детали, которые наряду с высокими механическими свойс¬твами должны иметь высокие диэлектрические параметры - подложки микросхем, основания печатных плат, каркасы трансформаторов, дета¬ли переключателей и электрических разъемов. К третьей группе относятся детали, к которым предъявляются высокие требова-ния по диэлектрическим параметрам - детали высокочастотных и импульсных трансформаторов и катушек индуктивностей, антенных устройств, волноводных трактов и так далее.
Пластмассы, предназначенные для изготовления первых двух типов деталей, называют конструкционными, а пластмас-сы, применяемые для изготовления деталей третьей группы, относят к радиоматериалам. Но это деление является услов-ным, так как материалы, применяемые для изготовления пер-вой группы деталей, должны обладать и вы¬сокими электроизо-ляционными свойствами, а материалы, применяемые для изго-товления деталей третьей группы, должны обладать достаточ-ными механическими свойствами.


2.2. Ненаполненные пластмассы

К ненаполненным пластмассам относятся термопластич-ные полимеры, которые применяются в чистом виде или явля-ются связующим ве¬ществом для других видов пластмасс. При-менение ненаполненных пластмасс для изготовления деталей радиоэлектронных средств зависит от их физико-механических (прочность, пластичность, ударная вязкость, плотность, тепло-стойкость), диэлектрических (диэлектрическая проницаемость , диэлектрические потери tg, удельное сопротивление , электрическая прочность Епр), эксплуатационных (интервал рабочих температур, стойкость против агрессивных сред, во-допоглощение, старение) и технологических (усадка, теку-честь) свойств. Все эти свойства определяются химической структурой полимеров, степенью кристалличности, температу-рами переходов из одного физического состояния в другое, ха-рактеризующимися температурой стеклования Тст, температу-рой текучести Тт (температура перехода из высокоэластическо-го в вязкотекучее состояние) и температурой плавления Тпл (для кристаллических полимеров).
Неполярные материалы. Это термопласты с неполяр-ными макромолекулами, обладающими малыми диэлектриче-скими потерями на высоких частотах (tg δ ≈ 3 10-4) и неболь-шой диэлектрической проницаемостью (ε = 2 – 3).
Полиэтилен (ПЭ) - неполярный твердый полимер белого цвета, макромолекулы которого имеют линейное строение с небольшим количеством боковых ответвлений. Полиэтилен получают методом полимеризации из газа этилена – С2H4. В результате реакции образуется макромолекула [- С2Н4 -]n, где n - степень полимеризации для полиэти¬лена n = 1500. В промышленности ПЭ получают тремя основными методами
1. Полимеризацией этилена при высоком давлении (130-250 МПа) и высокой температуре (190-300 оС) в течение 30-100 с в присутс¬твии инициаторов; полученный ПЭ называ-ют полиэтиленом высокого давления (ПЭВД) или ПЭ низкой плотности.
2. Полимеризацией этилена при низком давлении (около 1 МПа), температуре 80 оС с применением катализаторов. По-лученный ПЭ назы¬вают полиэтиленом низкого давления (ПЭНД) или ПЭ высокой плотности.
3. Полимеризацией этилена при среднем давлении (3-4 МПа), температуре ниже 300 оС с применением катализа-торов. Этот полимер называют ПЭ среднего давления (ПЭСД) или ПЭ высокой плотности.
Эти три ПЭ различаются по степени разветвленности (наиболее разветвлен ПЭВД), по степени кристалличности, по плотности и по температуре плавления. В табл. 2.1 приведены основные диэлектрические и физико-меха¬нические параметры трех типов ПЭ.

Таблица 2.1

Диэлектрические и физико-механические параметры ПЭ


Параметры ПЭВД ПЭНД ПЭСД
1 2 3 4
Степень кристалличности, % ~60 70-85 90
Прочность, МПа:
при растяжении 10-17 18-45 18-40
при изгибе 17-20 20-40 18-40
при срезе 14-17 20-36 20-37
Предел текучести, МПа 9-16 25-35 28-38
Ударная вязкость
с надрезом, кДж/м2 не ломается 2-150 7-150

Продолжение табл.2.1

1 2 3 4
Относительное удлинение
при разрыве, %
100-600
200-700
200-700
tg при 1-106 Гц (2-3)10-4 (2-4)10-4 (2-4)10-4
, Ом м ~1015 ~1015 ~1015
s ,Ом ~1015 ~1015 ~1015
Температура, oС:
плавления 103-110 124-132 123-135
хрупкости от -120
до -80 от -150
до -70 от -140
до –70
ТКЛ, oС-1 (2-5)10-4 (1-2,5)10-4 (1-1,5)10-4
Длительная рабочая темпера-тура, oС 90 90 90

Полиэтилен сочетает высокую прочность с достаточ-ной эластичностью и способен работать в широком диа-пазоне температур (-120  +100 оС). При этом в интервале -45  +115 оС диэлектрические параметры мало изменяются. ПЭ обладает высокой химостойкостью против щелочей, рас-творов солей и кислот, включая плавиковую кислоту. При дей-ствии концентрированной серной кислоты и температуры 50 оС свойства ПЭ сильно меняются; он разрушается при дей-ствии 50 %-й азотной кислоты при 20 оС, а также жидкими и газообразными хлором и фтором. Полиэтилен обладает низкой газо-, паро- и водопроницаемостью. ПЭ не растворяется, но набухает в органических растворителях при 20 оС, выше 80 оС растворяется во многих растворителях, особенно в углеводо-родах и их производных.
При действии на ПЭ ультрафиолетовых лучей, кислорода происходит старение, которое выражается в ухудшении физи-ко-механических свойств. На воздухе в деталях из ПЭ, нахо-дящихся в напряженном состоянии, возможно появление тре-щин; процесс этот происходит в течение нескольких лет, осо-бенно он, ускоряется при контакте со спиртами, мылами, неф-тяными маслами.
Полиэтилен практически безвреден и не выделяет в ок-ружающую среду опасных для здоровья человека веществ. Вредное действие могут оказывать лишь продукты его разло-жения, образующиеся при температурах значительно выше температуры плавления.
Облучение ПЭ частицами высоких энергий вызывает об-разование в линейных макромолекулах поперечных связей, что приводит к увеличению прочности облученного ПЭ и сохране-нию ее вплоть до 200 оС. При этом повышается стойкость ПЭ к действию растворителей и поверхностному растрескиванию, увеличивается срок службы изделия. При изоляции проводов облученным ПЭ можно провода облуживать, не опасаясь рас-плавления изоляции вблизи облуженного провода.
Для улучшения различных физико-механических свойств, в частности улучшения эластичности, стойкости к растрескиванию в напряженном состоянии, повышения удар-ной прочности, увеличения стойкости против окисления и дей-ствия атмосферы применяют вулканизацию, хлорирование, хлорсульфирование полиэтилена. Улучшенными свойствами обладают сополимеры полиэтилена с пропиленом.
Полиэтилен и его модификации нашли широкое при-менение для изготовления изоляции и защитных оболочек высокочастотных кабелей, пленок, деталей высокочастот-ной аппаратуры, ручек управления. Разработанные виды мате-риалов на основе ПЭ, их марки и область применения даны в /4/.
Полипропилен (ПП) - это неполярный термопластичный полимер молочно-белого цвета (пленки ПП прозрачны), имеющий структурную формулу [-CH2-CHCH3-]n. Полипропи-лен получают методом полимеризации пропи¬лена в присутст-вии катализаторов. Структура ПП имеет две фазы - аморфную и кристаллическую со степенью кристалличности 70-75 %.
По физико-механическим, диэлектрическим свойствам и применению ПП близок к полиэтилену низкого давления, бо-лее термостоек (до 170 оС), но имеет низкую холодостой-кость - Тст его составляет - 5-20 оС, и низкую ударную вяз-кость (5-12 кДж/м2). Нестабилизиро¬ванный ПП быстро стареет и более чувствителен чем ПЭ к действию кислорода в атмо-сферных условиях, особенно при повышенных температурах.
Полистирол (ПС) – это неполярный аморфный прозрач-ный полимер с нулевой степенью кристалличности. Темпера-тура стеклования Тс находится в области 90-100 оС, поэтому при нормальной комнатной температуре это жесткий, хрупкий полимер.

Без заголовка

Среда, 19 Ноября 2008 г. 19:02 + в цитатник
у всех всё хорошо
у всех всё заебись
так ебитесь не давай те мне повода напасть на вас

Без заголовка

Четверг, 30 Октября 2008 г. 14:37 + в цитатник
:mms_deth: ха кто то еще читай этот блог))) ну приятно прям оч)))))))
может просто кто то глядит тож приятно спасип))))))

что вам рассказать меня волнует одна вещь но я надеюсь её решу! задолбала реклама с лысым мужиком ангелом ему что глаз подбили что ли!?
 (600x419, 33Kb)

Без заголовка

Пятница, 10 Октября 2008 г. 21:23 + в цитатник
лучшое что я слышал за многое многое время
последний альбом Kings of Leon......
советую.........

Без заголовка

Понедельник, 15 Сентября 2008 г. 00:01 + в цитатник
elfk. yfdthyj z 'njn lyta dc` hfdyj vtyz yt rnj yt xbnftn))))

когда осень плачет.... всегда идёт дождь!

Воскресенье, 07 Сентября 2008 г. 19:14 + в цитатник
подать вставть плакать и ждать!

мммм короче вообще одни одни концерты я был в выходе на своей любимой группе нот энаф каш! вообще было круть))) так отожгли и всё такое)))

потом был на открытие скейт шопа в сотке)) тока первая группа лост радио вэйф меня оч парадывала))) понравилься момент када клавишник группы выбежал со сцены и танцевал около неё минуты две один прыгал скакал был очень круто!
тока зря такой долгий сделали концерт!

я кста есть на ластфм http://www.lastfm.ru/user/Un_Nir
берите меня в друзья или сравнивайте наши вкусы))))

что еще рассказать учёба пока радует! хОтя сука ток чертежи растраивают.... я не умею чертить....

пробиваюсь в команду факультета по футболу... на место вратаря))) крутой)))
 (604x453, 43Kb)

Без заголовка

Понедельник, 25 Августа 2008 г. 14:31 + в цитатник
не с кем погулять ...... девушка ушла сказала какая разница короч вообще не весело.....

любовь

Суббота, 23 Августа 2008 г. 22:22 + в цитатник
лазиние по контакту убивает) хотя и веселит оч)))
в жизни всё меняитцо хотя всё по старому)
старое и есть новое а новое старое) короч нету нового и старого) есть как есть)
искал группу кста в контакте про фильм НИРВАНА ... что т не нашёл)
слушаю сейчас спокойную музыку хотя вот недавно орало скримо коры)))
оч полюбил группы с длиными дурацкими названиями(
вообще когда ответят на моё резюме?

Без заголовка

Четверг, 14 Августа 2008 г. 02:25 + в цитатник
на зареееееееее голоса завут меня))))))))))))))))))))))))))0

плачу)

Офис

Вторник, 12 Августа 2008 г. 01:50 + в цитатник
Абажаю этот сериал))))))) смарю каждый день)))))))) фот и всё)

ясно

Среда, 06 Августа 2008 г. 00:17 + в цитатник
сегодня много гулял потом марими уснула у меня дома))) она спала как ангел я её целовал ток после сна она этого не вспомнила увы( может надо было её разбудить.. но всё равно я её потома зацеловал! она полюбила морскую капусту какая она ужасная на вид... и сыр она любит сыРРРРРР ! забавно))) када я её провожал она меня попрасила купить ей кальмароф или рыбки я купил но... она не стала их есть... по тому что не понравилось... и отдала мне их))) и када я шёл домой спускалься по длиной бетоной лесници то увидел черного кота это сын моего кота Мусика я всё время пытаюсь его погладить но он не даётца((( и вот сегодня я его потихоньку звал и давал ему кальмаров.. он не шёл я решил оставлю на этой леснице их и пойду када я обернулься он уже их ел)))) РРРРРРРЫЫЫЫЫ
контакт налажен)))
 (501x376, 14Kb)

андероф

Понедельник, 04 Августа 2008 г. 13:11 + в цитатник
ну вот опять дождь и я пишу в блог что сказать качаю музыки гигабайты слушаю андеров! просто хожу и напиваю его) а моя девочка любит гуфа и центр хммм шлак)))
хотя каждому своё)))

что еще нового какие соображение... да сегодня умер великий человек ... царство ему небесное...

ушёл думать всем спасип кто меня читает прада приятно если конечно такие есть)
 (451x450, 105Kb)

странный денёк

Суббота, 26 Июля 2008 г. 21:56 + в цитатник
читаю посты других людей... размышляю о том о сём) идёт гроза!))
Видел пьяных которые пускали салют под дождём такая шняга получилась... ха...
Вообще весело вот... и хорошо)))

короч что нас стоит дом построить нарисуем будем жить)

Еще можно написать на популярные темы:
В России может быть введена система регистрации велосипедов,ХА

предсказание * а проще жесть какая то *

Суббота, 28 Июня 2008 г. 00:52 + в цитатник
2006 - Мусульмане изобретут новый страшный вид оружия. Все станут готовиться к войне, создавать запасы оружия, продуктов, лекарств, воды и противогазов, побегут в леса, в горы, в пещеры и т. п.
2008 - Покушения на 4 глав правительств. Конфликт на Индостане. Это явится одной из причин 3 - ей мировой войны.
2010 - Начало 3 - ей мировой войны. Война начнется в ноябре 2010 года и окончится в октябре 2014 года. Начнется как обычная, затем будет применено сначала ядерное, а потом и химическое оружие.
2011 - В результате выпадения радиоактивных осадков в Северном полушарии не останется ни животных, ни растительности. Затем мусульмане начнут химическую войну против оставшихся в живых европейцев. 2014 - Большинство людей будет страдать гнойниками, раком кожи и др. кожными болезнями (следствие химической войны).
2016 - Европа почти безлюдна.
2018 - Новой мировой державой становится Китай. Развивающиеся страны превращаются из эксплуатируемых в эксплуататоров.
2023 - Немного изменится орбита Земли.
2025 - Европа все еще мало заселена.
2028 - Создание нового источника энергии (вероятно, это контролируемая термоядерная реакция). Голод постепенно преодолевается. Стартует пилотируемый космический корабль к Венере.
2033 - Полярные льды тают. Повышается уровень Мирового океана.
2043 - Мировая экономика процветает. В Европе правят мусульмане.
2046 - Выращиваются любые органы. Замена органов становится одним из лучших методов лечения.
2066 - Во время нападения на мусульманский Рим, США применяют новый вид оружия - климатический. Резкое похолодание.
2076 - Бесклассовое общество (коммунизм).
2084 - Восстановление природы.
2088 - Новая болезнь - старение за несколько секунд!!!
2097 - Быстрое старение побеждено.
2100 - Искусственное "Солнце" освещает темную сторону Земли.
2111 - Люди становятся киборгами (живыми роботами).
2123 - Войны между малыми государствами. Державы не вмешиваются.
2125 - В Венгрии получат сигналы из космоса (это предсказание Ванги).
2130 - Колонии под водой (с помощью советов инопланетян).
2164 - Животных превращают в полулюдей.
2167 - Новая религия.
2170 - Большая засуха.
2183 - Колония на Марсе становится ядерной державой и требует независимости от Земли (как когда - то США от Англии).
2187 - Удастся остановить извержение 2 крупных вулканов.
2195 - Морские колонии полностью обеспечены и энергией и пищей.
2196 - Полное смешение азиатов и европейцев.
2201 - На Солнце замедляются термоядерные процессы. Холодает.
2221 - В поисках внеземной жизни человечество вступает в контакт с чем - то ужасным.
2256 - Космический корабль занес на Землю новую страшную болезнь.
2262 - Постепенно меняются орбиты планет. Марсу угрожает комета.
2271 - Заново рассчитаны изменившиеся физические "константы".
2273 - Смешение желтой, белой и черной рас. Новые расы.
2279 - "Энергия из ничего" (вероятно, из вакуума или из "черных дыр").
2288 - Путешествие во времени. Новые контакты с инопланетянами.
2291 - Солнце остывает. Предпринимаются попытки зажечь его снова.
2296 - Мощные вспышки на Солнце. Изменяется сила притяжения. Начинают падать старые космические станции и спутники.
2299 - Во Франции - партизанское движение против ислама.
2302 - Открыты новые важные законы и тайны Вселенной.
2304 - Открыта тайна Луны.
2341 - Нечто страшное приближается к Земле из космоса.
2354 - Авария на одном из искусственных Солнц приводит к засухе.
2371 - Великий голод.
2378 - Новая быстро растущая раса.
2480 - Столкнутся 2 искусственных Солнца. Земля в сумерках.
3005 - Война на Марсе. Нарушатся траектории планет.
3010 - Комета протаранит Луну. Вокруг Земли - пояс из камней и пыли.
3797 - К этому времени на Земле погибнет все живое, но человечество сможет заложить основы для новой жизни в другой звездной системе.
(с)

ICQ 12111

Понедельник, 23 Июня 2008 г. 21:35 + в цитатник
Абонент ICQ Systems с номером 12111, наделавший столько шуму среди клиентов популярного сервиса обмена сообщениями, оказался изобретением администрации ресурса. Информация об этом была размещена на официальном сайте компании спустя несколько дней после того, как в Сети разгорелись ожесточенные дебаты о природе загадочного пользователя. Намерения были благими: разработчики проекта хотели облегчить жизнь клиентам, но вместо этого сделали их жертвами спекулянтов.

Номер ICQ 12111, внезапно появившийся в контакт-листах абонентов популярной программы обмена мгновенными сообщениями и ее аналогов QIP, Adium, Pidgin и мобильного клиента Jimm оказался изобретением администрации сервиса, сообщает РИА «Новости». Оказалось, что загадочный номер был автоматически добавлен каждому из пользователей в целях модернизации системы.


«Компании должны вынести урок и не пускать все на самотек, учитывая масштабы атаки вирусов, зафиксированных в последнее время»

Напомним, непрошенный визитер с именем ICQ System и коротким номером 12111 стал внедряться к пользователям с 19 июня. Аноним появлялся в списке контактов в группе General, даже если до этого такой группы у пользователя не существовало.


В тот же день в Сети появилось несколько версий происхождения неизвестного абонента. Некоторые специалисты полагали, что под номером 12111 скрывается вредоносная программа-троян, ворующая пароли. Пользователям рекомендовалось удалить ICQ System из контакт-листа или сменить пароль ICQ. Но в результате активности абонентов сервер оказался перегружен запросами на смену/восстановление паролей, в результате чего эта функция у многих перестала работать.


По другой версии, таким образом злоумышленники пытались осуществить DDoS-атаку на сам сервер ICQ. В таком случае угрозу нес бы не появившийся пользователь 12111, а как раз сообщение, запущенное в Интернете, о необходимости смене пароля: массово обращаясь к серверу, пользователи перегрузили и блокировали его.


На эту темуПятница хакерских атак
ICQ займется бизнесом
Ронен Арад: «Сбой был глобальным»
Социальные сети атакуют вирусы
«Одноклассники» – находка для шпиона


Ключевые слова: ICQ, вирусы, интернет

Комментарии от владельцев ресурса поступили лишь спустя несколько дней. На официальном сайте компании появилось сообщение, в котором раскрывалась суть во многом надуманной проблемы.


Согласно информации из справочного раздела интернет-мессенджера, пользователь ICQ System был «добавлен специально, в рамках апгрейда новой, продвинутой версии сервиса – ICQ 6». Как отмечается в сообщении, новый контакт «должен улучшить связь ICQ со своими пользователями».


Суть оптимизации сервиса заключалась в том, чтобы помочь абонентам мессенджера бороться со спамом. То есть если в адрес пользователя пришло спам-сообщение, то его текст и номер отправителя стоит скопировать и отправить на номер ICQ System. После чего номера, в адрес которых будет получено больше всего жалоб, заблокируют, пишет РИА «Новости».


В воскресенье компания AOL, владеющая популярным ресурсом, и разработчик ICQ Ияр Голдфингер принесли свои извинения за доставленные неудобства, которые уже успели не только наделать много шума, но и пробудить фантазию интернет-пользователей. Так, на сервере YouTube появился ролик под названием «12111 Code», где под зажигательную музыку неизвестный контакт превращается в Фантомаса.



Метафизика футбола

Секреты Пако Аррайи


Впрочем, некоторые пользователи воспользовались ситуацией в более корыстных целях: некоторым клиентам сервиса пришел спам с рекомендацией поменять пароль своей «аськи» и отослать СМС по определенному номеру. В приписке говорилось, что услуга платная, но «только этим мы можем гарантировать стабильную работу ICQ».


«Смена паролей в таких ситуациях абсолютно бесполезна, – пояснил в интервью газете ВЗГЛЯД независимый эксперт IT, также являющийся абонентом ICQ, Михаил Кузнецов. – Спам в контакт-лист самостоятельно не добавляется, то есть эту ситуацию можно было квалифицировать как взлом серверов ICQ либо технический сбой на этих же серверах».


По мнению эксперта, в случае взлома рядовой пользователь уже никак не сможет повлиять на ситуацию.


«Вы можете просто удалить незваного гостя и забыть о нем, – пояснил Кузнецов. – Что касается компаний, которые запускают такие программы в действие, не оповещая при этом целевую аудиторию, – они должны вынести полезный урок и впредь не пускать все на самотек, учитывая масштабы атаки компьютерных вирусов, зафиксированных в последнее время».

Без заголовка

Понедельник, 23 Июня 2008 г. 01:38 + в цитатник
крыша едет от всяких историй притч... не могу разобратца... что мне делать со всем этим....... ох...... не я не прошу что б меня пожелели прос может кто то тут напишет в коментах нечто умное... лучше чем напитца или забытца...

((((((((

Понедельник, 23 Июня 2008 г. 01:28 + в цитатник
в последние время в это время( хм как круто звучит) мне портят настроение.....
херня..... все какие то весёлые а я нет! вот так всегда....((((((((((
вроде наши выграли а я сижу и грущу..... зафтро пойду гулять.....

Хакеры

Воскресенье, 22 Июня 2008 г. 11:22 + в цитатник
Турецкие хакеры успешно атаковали в пятницу вечером интернет-сайт Министерства иностранных дел Хорватии. Около 21:00 по местному времени (23:00 мск) на главной странице сайта МИД страны появился турецкий флаг на черном фоне, под которым красным текстом были написаны несколько слов благодарности хакеров своим партнерам из Турции и Саудовской Аравии. В завершении сообщения Хорватия была названа "Хорватистаном".

utro.ru/news/2008/06/21/746279.shtml

вчера!!!!!!!!!!

Воскресенье, 22 Июня 2008 г. 10:59 + в цитатник
ну что ж что было вчера... сначала выграли НАШИ я радывалься искал свой флаг что б поехать в центр и кричать Р-О-С-С-И-Я но млин не нашёл но приехал в центр))))))) короч вообще класс был! но блин на меня обиделась моя девочка за то что я её "ударил" када наши забили! и тип того ей больно.... жесть! вот и мама тут что то с утра сейчас меня гонит а я счастлиф ))))) наши то пидарасы умеют играть)

"ICQ-троян" вызвал панику в Рунете

Воскресенье, 22 Июня 2008 г. 02:29 + в цитатник
Все российские пользователи популярных ICQ-клиентов - таких как QIP, Miranda и, непосредственно ICQ, - в опасности. В Сети объявился новый "троян", который меняет пароли и ворует "аськи".

Подобными сообщениями с раннего Yтра пестрят самые разнообразнейшие интернет-форумы. Причиной паники стал загадочный UIN - 12111. Он самовольно появился в контакт-листах подавляющего большинства пользователей под именем ICQ System. Номер появляется в группе General, он не авторизован. Что любопытно, если такой группы у пользователя не существует, то при появлении ICQ System она создается автоматически.

Эпидемия началась со вчерашнего вечера и продолжается сегодня. Официальные источники пока никак не комментируют происходящего, что только подливает масла в огонь. От спровоцировавшего множество слухов 12111 на блогах советуют немедленно избавиться, удалив его из списка, а себя из его контакт-листа, да еще и пароль поменять. А все потому, что ICQ System, оказывается, умеет менять пароли, добавляя к ним пару символов, и "угоняет" UIN.

Впрочем, слухи о коварных хакерах, запустивших новый "троян", судя по всему, только слухами и останутся. Опытные интернет-пользователи в один голос утверждают, что хакерскую атаку таких масштабов осуществить невозможно, и советуют не паниковать. Вторят им и специалисты из антивирусных компаний. Как сообщил один из них корреспонденту "Yтра", добавление так называемого "трояна" в контакты такого количества людей, а речь идет о 99% юзеров, с технической точки зрения возможно только на уровне серверов AOL - компании, владеющей службой мгновенных сообщений ICQ. То есть, скорее всего, это бот, запущенный компанией с целью решить какие-то свои проблемы, связанные с работоспособностью ICQ. Напомним, на днях ряд пользователей в течение нескольких часов не могли подключиться к сервису.

"Мы советуем пользователям удалить этот контакт, но, поскольку генерация паролей идет через сервер AOL, не менять их, пока не будет исправлена проблема на сервере", - подытожил сотрудник антивирусной лаборатории.

Алексей БУТЕНКО, 20 июня, 13:41


Поиск сообщений в DurnoI
Страницы: [7] 6 5 4 3 2 1 Календарь