Перегруженность интегральной схемы, где через отдельные участки проходит слишком много цепей (красным цветом)



Сегодня в РФ рассматриваются планы создать полноценную инфраструктуру для производства микросхем, организовать 300 дизайн-центров с штатом минимум по 100 профильных специалистов и запустить новые фабрики. В этой связи интересно посмотреть, какие методы ML используются в проектировании современной микроэлектроники. Что-то можно перенять для отечественных разработок.
Читать дальше →

https://habr.com/ru/post/662866/?utm_source=habrahabr&utm_medium=rss&utm_campaign=662866

Два года назад мы рассказывали, что TSMC начинает разработку техпроцесса N2 (2 нм), который планирует запустить в массовое производство в 2025 году. Сейчас компания подтвердила, что всё идёт по плану.

Примечание. Радиус атома кремния составляет 110 пикометров или 0,11 нанометра. Термин «размер узла» в процессе фотолитографии с пометкой «14 нм», «10 нм», «7 нм», «5 нм», «3 нм» и «2 нм» является маркетинговым и не имеет отношения к геометрии транзисторов.

https://habr.com/ru/post/661503/?utm_source=habrahabr&utm_medium=rss&utm_campaign=661503